关键词： 哑铃形碳化硅晶须   聚氨乙烯   制备   SiC晶须   复合材料   力学性能  

摘要： 研究了平直晶须和哑铃形仿生ＳｉＣ晶须增强聚氯乙烯（ＰＶＣ）复合材料的微观结构和力学性能 结果表明，与平直ＳｉＣ晶须相比，哑铃形仿生ＳｉＣ晶须在提高复合材料强度的同时还成倍地提高其延伸率，由于仿生晶须上小球的存在使复合材料中各部位处于均匀受力状态．裂纹不易在局部过早形成．同时，由于仿生晶须在拔出过程中起桥连的作用、所以复合材料的强度降低很小而延伸率得以增加， 在加载过程中仿生晶须逐渐从ＰＶＣ基体中拔出，在达到晶须断裂强度时在球颈处发生断裂， 由于仿生晶须的增强和增韧机理是通过晶须上的小球在基体和晶须之间传递应力，因此其增强、增韧效果对于复合材料中的界面结合情况是不敏感的。

关键词： 碳化硅晶须   铝基复合材料   晶须取向   弹性模量   超声波   不均匀性  

摘要： 借助图象仪与扫描电镜联机系统 ,测量压铸态 Si Cw/6 0 6 1Al复合材料中的晶须取向分布。基于剪滞后模型及晶须的实际分布情况 ,分析复合材料弹性模量的不均匀性。采用超声声速法 ,测量复合材料的弹性模量。结果表明 ,压铸态复合材料中晶须在垂直压铸方向具有一定择优取向性 ,晶须体积分数越高其择优取向程度越明显 ,从而造成复合材料各向弹性模量的不均匀性。

关键词： 硅溶胶   溶胶-凝胶法   碳热还原反应   碳化硅晶须   合成  

摘要： 以工业硅溶胶和炭黑为主要原料 ,用溶胶 -凝胶和碳热还原法合成了SiC晶须 .获得的产物中碳化硅质量分数高于 95 % ,碳化硅晶须质量分数高于 74% .碳化硅晶须为直线形 ,具有光滑的表面 ,直径为 0 .2～ 0 .5 μm ,长径比约为 5 0～ 2 0 0 .对影响碳化硅晶须产率和微观结构的主要因素进行了研究 ,结果表明 :采取原料中碳含量稍多于理论值 ,并且严格控制反应温度 。

关键词： 碳化硅晶须   铝复合材料   热残余应力   X射线衍射   压铸态   SiCw  

摘要： 利用X射线衍射方法 ,研究了压铸态SiCw/ 60 61Al复合材料中热残余应力。结果表明 ,压铸态复合材料基体中存在三向不等的热残余拉应力 ,各向应力分量差异主要与晶须的择尤取向有关。晶须体积分数越高 ,则晶须的择尤取向程度越明显 。

关键词： 热机械疲劳   力学行为   铝基复合材料   碳化硅晶须  

摘要： 对体积分数为１５％和２８％的ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料进行了同相和反相热机械疲劳（ＴＭＦ）实验，研究了疲劳过程中的应力应变行为和变形机制．结果表明，两种材料在同相和反相加载下均表现为循环软化；反相加载产生拉伸平均应力，同相加载产生压缩平均应力；在相同应变范围下，高体积分数复合材料的循环应力范围比低体积分数复合材料的应力范围大．

关键词： 铝基复合材料   碳化硅晶须   氧化铝纤维   压缩变形   疲劳  

摘要： 非连续和连续增强金属基复合材料以其各自的显著特点受到了广泛的关注.非连续增强金属基复合材料的显著特点之一是,可以用传统的二次加工工艺进行塑性成形;连续增强金属基复合材料的主要特点是极高的纵向性能.围绕这些特点,该文通过性能测试以及组织结构分析,研究了非连续增强SiC<,W>/LD2复合材料的压缩变形行为以及连续增强(Al<,2>O<,3>)<,f>/Al复合材料的疲劳行为.

关键词： 纳米材料   碳化硅晶须   二元气凝胶   净碳质溶胶   净硅溶胶  

关键词： 碳化硅晶须   铝基复合材料   应力腐蚀开裂  

摘要： 采用双悬臂梁试验 ,研究了碳化硅晶须增强纯铝基及碳化硅晶须增强 2 0 2 4铝基复合材料和 2 0 2 4铝合金在 3.5 %NaCl溶液中的应力腐蚀 (SCC)开裂行为 ,探讨了晶须对复合材料应力腐蚀开裂行为的影响 .结果表明 ,晶须的存在改变了材料的应力腐蚀特性 。

关键词： 莫来石   SiC晶须   分散剂   沉降高度   分散特性   Mullite   高温结构陶瓷浆料   流变学   碳化硅晶须  

摘要： 研究了SiC 晶须在Ｍｕｌｌｉｔｅ浆料中的分散行为．通过沉降实验和流变学测试讨论了ｐＨ值，分散剂对SiC 晶须分散性质的影响．结果发现，晶须的加入影响了浆料的流变性能．当ＰＨ＝１１，分散剂含量为5wｔ％时，可获得分散性较好的浆料．本分散工艺促进了晶须在Ｍuｌｌｉｔe浆料中的分散，提高了浆料的结构均匀性．

关键词： 碳化硅晶须   锌基复合材料   微结构   TEM  

摘要： 通过透射电镜对碳化硅晶须增强锌基复合材料微结构的观察 ,发现碳化硅晶须与基体间界面结合良好 ,界面附近区域分别存在T(T′)相和二次析出 η相 ,且后者与碳化硅晶须间存在一定取向关系。此外 ,挤压变形后碳化硅晶须中存在大量位错、层错和孪晶等缺陷 ,基体中 η相也有孪晶产生。