关键词： 力学性能   碳化硅   锆莫来石   直接混磨   N2气氛  

摘要： 通过对体积密度、三点抗弯强度、断裂韧性地测定以及对复合材料断口和表面的SEM分析,重点探讨了直接混磨和湿化学法制粉两种方法对添加有碳化硅的锆莫来石材料的影响。结果表明:在N2气氛中,直接混磨法更易获得碳化硅与锆莫来石基质的匹配和较高的力学性能。

关键词： 六角多型碳化硅   纳米晶须结构   光学性质   PECVD技术   拉曼光谱  

摘要： 采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型碳化硅纳米晶须。高分辨率电镜观察其直径在2~6 nm之间。长度为0.3 mm^6 mm。拉曼光谱表明它是六角多型(4 H)纳米碳化硅晶须。紫外光激发出现高强度蓝光发射。随着激发强度的增加,在397 nm处的蓝光强度即刻上升,并溢出,其宽度急剧减小,可能是蓝色激光。

关键词： 纳米电子学   碳化硅   薄膜   晶须   光电子性质   拉曼受激散射  

摘要： 纳米碳化硅薄膜和晶须的制备及其光电子性质研究在当代社会科技发展中占有相当重要的地位.因为它是第三代半导体,对于21世纪的信息科技和纳米科技的发展具有决定性作用.采用高氢稀释、高功率密度、偏压预处理和低反应气压制备出纳米碳化硅4H多型薄膜.研究了工艺参数、微观结构和电学性质和光学性质.采用SOL-GEL方法制备出纳米碳化硅晶须.其直径达到1~30nm,纯度极高.对于碳化硅多型异质结进行了研究.根据量子光学理论对纳米碳化硅几进行了理论和实验研究.该文此为中心展开了实验和理论研究.

关键词： 碳化硅晶须   镁基复合材料   显微组织   热循环次数  

摘要： 该文采用挤压铸造法制备出体积分数为20％的SiCw／Az91和SiCw／MB15镁基复合材料.采用外约束型模拟空间热循环试验设备,对复合材料在77K-393K温度范围内进行热循环试验.测定了热循环前后复合材料的拉伸性能和显微硬度,分析了热循环对复合材料拉伸性能和显微硬度的影响.利用SEM研究了SiCw／AZ91和SiCw／MBl5复合材料拉伸断口形貌：利用TEM观察了热循环前后复合材料的显微组织.试验结果表明,采用挤压铸造法制备的复合材料组织致密、无缺陷,晶须分布均匀,复合材料力学性能良好.随着热循环次数的增加,复合材料的界面反应有所增加,但总的来说,界面反应不严重;随着热循环次数的增加,复合材料中析出相有长大趋势;在热循环温度场的作用下,界面处产生交变的错配热应力和应变,导致界面处产生新的位错及位错的滑移,使位错密度也升高.

关键词： 碳化硅   纳米晶须   制备   树脂热解碳   二氧化硅   复合材料   二元净炭质-硅溶胶   加热  

摘要： 论述了碳化硅纳米晶须的反应机理和各种制备技术,指出用二元净炭质硅溶胶或树脂热解碳和SiO_2微粉为原料,以连续式常规加热炉或间歇式双重加热炉为加热设备可实现碳化硅纳米晶须的规模化生产。

关键词： 碳化硅微米晶须   双重加热   泡沫浮选法   重力分级  

摘要： 该文采用双重加热这一新技术,以炭黑和SiO<,2>微粉作为原料,批量合成出了高纯度的微米级碳化硅晶须.该文自制了双重加热炉,该炉与常规加热炉有着不同的加热机理,具有升温速度快、合成温度低、装料量大等特点.该文研究了碳化硅晶须合成的热力学与生长机理,讨论了合成碳化硅晶须的影响因素,优选出了最佳工艺条件.该文还对碳化硅晶须初产物的提纯工艺进行了初步研究:采用泡沫浮选法进行了初选,得到了品位为85~90%的初级产品;采用重力分级法对初级产品进行了精选,得到了品位为95%的精选产品;对精选产品做了进一步后处理,利用高温氧化除去游离的碳,考察了碳化硅晶须的抗氧化性能,利用氢氟酸除去二氧化硅,最终得到了品位达96~97%的碳化硅晶须.最后,该文对提纯后碳化硅晶须的形貌与显微结构进行了检测与分析,结果表明采用双重加热技术合成的碳化硅晶须具有较高的性能指标.

关键词： SiC晶须   增强   铝基复合材料   热膨胀   内应力   碳化硅晶须  

摘要： 本文作者研究了 6 0 0℃水淬和 6 0 0℃退火处理的碳化硅晶须增强铝基复合材料的热膨胀行为 ,阐述两者热膨胀行为与内应力的内在关系。结果表明 :淬火后复合材料基体的位错密度、内应力、及材料的有效屈服强度较高 ;而退火后复合材料基体的位错密度、内应力、及材料的有效屈服强度较低。当材料在 6 0 0℃淬火后 ,升温过程中材料的热膨胀系数曲线在 80℃和 2 4 5℃各出现一个峰值 ,且后者明显高于前者 ;而 6 0 0℃退火后材料的热膨胀系数曲线只在 80℃出现一个波峰 ,且其峰值低于淬火材料相应的峰值。分析表明 :材料热膨胀系数曲线出现的第一个峰是基体内拉应力释放的结果 ;

关键词： 凝胶维度   纳米技术   碳化硅   晶须   局域化氢键作用   半导体材料  

摘要： 讨论了纳米碳化硅晶须的制备过程中出现的直径分布不均匀性问题。在制备纳米碳化硅晶须的实验中发现,凝胶呈现体积跃变的现象,并且发生形貌的改变,这又直接影响纳米晶体的形状,其中的原因归之于凝胶体系的局域氢键作用,称之为维度变化。结果发现,凝胶随温度跃变首先膨胀,然后又萎缩。其逆过程同样存在这一现象并呈现体积跃变迟滞。

关键词： 碳化硅晶须增强铝基复合材料   应力腐蚀   点蚀   电偶腐蚀  

摘要： 综述了国内外最新关于碳化硅晶须增强铝基复合材料的腐蚀行为的研究进展 ,并对材料加工和热处理对复合材料腐蚀行为的影响进行了概述。对其点蚀 ,电偶腐蚀 ,应力腐蚀行为进行了归纳总结。

关键词： 哑铃形碳化硅晶须   SiC晶须   仿生   生长机理   复合材料   增强剂  

摘要： 研究了仿生哑铃形碳化硅晶须的生长机理．发现组成仿生晶须的念珠状小球与直杆状碳化硅晶须的生成过程是相对独立的、而且念珠状小球在直杆状晶须上的生长位置是一定的，首先，直杆状碳化硅晶须在反应空间中生成：然后由Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２等组成的非晶态物质在直杆状晶须上的缺陷位置沉积长大．形成包裹在晶须上的念珠状小球， 念珠状小球不仅可以在制备碳化硅晶须的过程中生成．而且能够在已有的碳化硅和钛酸钾等晶须上生成。