摘要： 微纳电子技术涉及电子、机械、物理、化学、生物、医学、材料、制造、测试等多学科领域,是一门多学科交叉渗透和综合的高新技术,是未来技术更新换代和新兴产业发展的重要基础。为进一步推动我国微纳电子技术的快速发展,为大家提供一个了解国内外微纳电子技术最新发展动态的交流平台,“第十八届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨2025年微纳器件技术融合创新发展论坛”定于2025年5月16—18日在合肥世纪金源大饭店举行。大会特邀微纳电子技术及其交叉融合创新应用领域的知名专家、教授及企业代表等作大会主题报告,欢迎广大科研人员、高校师生以及产业界技术研究人员积极参与。

关键词： 自由电子   微纳光子学   光子准粒子   自由电子辐射  

摘要： 微纳光子学是现代光学领域的重要组成部分。利用微纳结构，人们可以精确调控光的相位、偏振态、传播方向以及频率等属性，对光场的调控能力达到前所未有的高度。该领域的发展为自由电子辐射领域注入了新的动力。结合微纳结构，自由电子辐射模式的动量和辐射的频率能够被有效操控，自发辐射或受激辐射相干光源将得以实现，频率覆盖范围拓展至THz到X射线波段。微纳光子学与自由电子辐射两个研究领域的交融有望为新一代片上集成自由电子光源提供理论支撑，并在粒子探测、粒子加速、生物传感等方面得到广泛应用。本文从自由电子辐射基本原理出发，介绍了近年来自由电子与光子准粒子相互作用产生辐射的研究进展，概述了该领域的潜在发展方向。

摘要： 作为物联网与人工智能领域的核心技术，感知传感与微纳系统集成是推动上述领域微型化、智能化、高度集成化的关键。以微纳机电系统(MEMS/NEMS)为代表的微电子学、集成电路等学科方向的深入发展，为上述技术的创新提供了重要支撑。但该领域的进一步深入发展和应用，仍亟需解决异质异构集成、多模态融合感知、多参量单片集成、传感功能一体化等关键技术难点，需要在新型半导体材料、新型异质异构集成、新型复合集成机理、新型微纳跨尺度制造等方向推陈出新。为进一步推动智能微纳感知与微系统集成领域新机理、新方法、新材料、新技术的创新研究，《太赫兹科学与电子信息学报》计划于2025年12月推出“智能微纳感知与微系统集成”专题栏目，现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述，旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

摘要： 作为物联网与人工智能领域的核心技术，感知传感与微纳系统集成是推动上述领域微型化、智能化、高度集成化的关键。以微纳机电系统(MEMS/NEMS)为代表的微电子学、集成电路等学科方向的深入发展，为上述技术的创新提供了重要支撑。但该领域的进一步深入发展和应用，仍亟需解决异质异构集成、多模态融合感知、多参量单片集成、传感功能一体化等关键技术难点，需要在新型半导体材料、新型异质异构集成、新型复合集成机理、新型微纳跨尺度制造等方向推陈出新。为进一步推动智能微纳感知与微系统集成领域新机理、新方法、新材料、新技术的创新研究，

摘要： 微纳电子技术涉及电子、机械、物理、化学、生物、医学、材料、制造、测试等多学科领域，是一门多学科交叉渗透和综合的高新技术，是未来技术更新换代和新兴产业发展的重要基础。为进一步推动我国微纳电子技术的快速发展，为大家提供一个了解国内外微纳电子技术最新发展动态的交流平台，“第十八届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨2025年微纳器件技术融合创新发展论坛”定于2025年5月16—18日在合肥世纪金源大饭店举行。

摘要： 作为物联网与人工智能领域的核心技术，感知传感与微纳系统集成是推动上述领域微型化、智能化、高度集成化的关键。以微纳机电系统(MEMS/NEMS)为代表的微电子学、集成电路等学科方向的深入发展，为上述技术的创新提供了重要支撑。但该领域的进一步深入发展和应用，仍亟需解决异质异构集成、多模态融合感知、多参量单片集成、传感功能一体化等关键技术难点，需要在新型半导体材料、新型异质异构集成、新型复合集成机理、新型微纳跨尺度制造等方向推陈出新。为进一步推动智能微纳感知与微系统集成领域新机理、新方法、新材料、新技术的创新研究，《太赫兹科学与电子信息学报》计划于2025年12月推出“智能微纳感知与微系统集成”专题栏目，现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述，旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

关键词： 异构集成   多模态融合   人工智能   系统集成   物联网   原创性研究   新型半导体   专题栏目  

摘要： 作为物联网与人工智能领域的核心技术,感知传感与微纳系统集成是推动上述领域微型化、智能化、高度集成化的关键。以微纳机电系统(MEMS/NEMS)为代表的微电子学、集成电路等学科方向的深入发展,为上述技术的创新提供了重要支撑。但该领域的进一步深入发展和应用,仍亟需解决异质异构集成、多模态融合感知、多参量单片集成、传感功能一体化等关键技术难点,需要在新型半导体材料、新型异质异构集成、新型复合集成机理、新型微纳跨尺度制造等方向推陈出新。为进一步推动智能微纳感知与微系统集成领域新机理、新方法、新材料、新技术的创新研究,《太赫兹科学与电子信息学报》计划于2025年12月推出“智能微纳感知与微系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

关键词： 粗化处理   纳米铜颗粒   超低轮廓   剥离强度   添加剂  

摘要： 目的随着5G通信高频高速传输技术的发展,亟需开发出低轮廓、高剥离、微细纳米铜颗粒结构的电子铜箔,以满足5G材料低介电、低损耗的要求。方法开发了一种复合添加剂的粗化液体系,通过脉冲电沉积制备了低轮廓电子铜箔,表面形成了微纳米铜颗粒。利用扫描电子显微镜、接触角测试、激光共聚焦显微镜和电化学测试等技术手段表征了脉冲占空比和复合添加剂粗化对纳米铜颗粒形貌、铜箔表面粗糙度和剥离强度的影响。结果调节脉冲占空比能有效控制纳米铜颗粒微观形貌。当占空比为20%、40%和60%时,平均尺寸小于80 nm,纳米铜颗粒微观形貌差异不明显,均呈现出近似圆球状的形貌。占空比为80%的条件下,得到了平均尺寸为59 nm的圆球状纳米级微细瘤点。此时铜箔表面粗糙度Rz为0.817μm,剥离强度为0.95 N/mm。此外,复合添加剂使纳米铜颗粒平均粒径从274 nm降低至77.4 nm。电化学测试发现,加入复合添加剂后极化曲线由-0.49 V正移至-0.39 V,这说明复合添加剂的加入能够显著提升镀液的去极化能力。结论当脉冲占空比为80%时,颗粒尺寸最小,铜箔同时具有极低轮廓与高剥离强度的性能。复合添加剂体系能够有效细化纳米铜颗粒,稳定其形貌。对高频高速传输中降低信号传输损耗具有重要意义。

关键词： Ⅲ族氮化物   垂直腔面发射激光器   空穴注入效率   微纳米结构   应变补偿DBR   电子阻挡层  

摘要： 氮化镓(GaN)基微纳米结构生长技术的成熟为微纳级GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备提供了新的途径。本文设计了基于GaN基轴向异质结微纳米柱的微纳级VCSEL结构,采用Al_(0.8)Ga_(0.2)N/In_(0.2)Ga_(0.8)N应变补偿结构作为上下分布式布拉格反射镜(DBR),其中Al_(0.8)Ga_(0.2)N层的Al组分远高于传统结构中的电子阻挡层(EBL),能够更好地起到电子阻挡的作用。本文使用商用软件PICS3D构建了电子阻挡层处于不同位置的VCSEL数理模型,并进行数值模拟计算,探索和分析物理机理,解释了不同位置EBL对空穴注入效率的影响。结果表明,采用Al_(0.8)Ga_(0.2)N与In_(0.2)Ga_(0.8)N组成的应变补偿DBR可以更好地提高空穴注入效率,优化器件光电性能。

关键词： 有限合伙   合伙企业   收购   股份   间接持有   微电子   上海  

摘要： 6月23日,纳芯微发布公告披露,公司拟以现金方式收购上海矽睿科技股份有限公司直接持有的麦歌恩62.68%的股份,拟以现金方式收购矽睿科技通过上海莱睿企业管理合伙企业(有限合伙)间接持有麦歌恩5.6%的股份,合计收购麦歌恩68.28%的股份,收购对价合计约为6.83亿元。