关键词:
蓝光量子点
第一性原理计算
激子光学性质
配体钝化
摘要:
基于红绿蓝三基色量子点发光二极管的全彩显示是未来照明显示领域的一个重要目标,然而,相较于红光和绿光量子点发光二极管,蓝光量子点发光二极管的寿命和外量子效率仍然落后于二者,使其在照明显示中的应用受到限制。为此,人们在提高蓝光量子点发光二极管器件性能方面进行了许多相关的研究,包括制备高质量的蓝光量子点、优化载流子传输材料、调控器件界面等,均推动了蓝光量子点发光二极管的发展,但是蓝光量子点发光二极管的工作寿命(稳定性)不高仍然是目前面临的主要挑战。蓝光量子点发光二极管器件性能的提高离不开高质量的量子点发光材料,从基础物理角度来说,量子点本身的电子结构、激子光学性质以及配体钝化等都会影响量子点的发光。但是相较于绿光和红光量子点,蓝光量子点表现出相当大的带隙,尺寸更小,因此稳定性差,导致实验上难以对其激子光学性质进行准确表征。在理论方面,常采用紧束缚近似、经验赝势等不同的理论方法研究半导体量子点材料的激子光学性质,但是由于以上不同的理论方法各自存在局限性使得它们在处理大体系量子点的激子光学性质时存在困难,因此实验和理论上的两大方面原因导致目前对II-VI族蓝光量子点发光材料的激子光学性质的认识仍然有限。本文以II-VI族硒化镉(Cd Se)、硫化镉(Cd S)、硒化锌(Zn Se)、硫化锌(Zn S)这类优异的蓝光量子点材料为研究对象,采用密度泛函理论和含时密度泛函理论,从量子限域效应和表面配体钝化两个方面研究II-VI族Cd Se、Cd S、Zn Se和Zn S蓝光量子点材料的电子结构及激子光学性质。通过研究四种不同蓝光量子点材料之间发光的差异性,为蓝光量子点的实验制备及蓝光量子点发光二极管器件性能的提高提供理论建议。本文主要包括两部分内容:第一部分重点研究了量子限域效应下的Cd Se、Cd S、Zn Se和Zn S四种II-VI族蓝光量子点材料的激子光学性质,包括尺寸依赖的单粒子带隙、光学带隙、激子衰减寿命、单三态分裂能量和光学吸收光谱。(一)通过拟合带隙与量子点尺寸之间满足的函数关系发现:对于Cd Se量子点体系,用杂化密度泛函计算得到的电子带隙与尺寸之间满足的标度定律分别与光发射测量得到的实验结果和半经验赝势计算的结果非常吻合。当用含时密度泛函理论考虑激子效应后,光学带隙与尺寸之间满足的标度定律几乎完全符合实验结果。对于Cd S量子点,也能得到同样的与实验结果符合得很好的拟合结果。(二)II-VI族环境友好的无镉量子点体系中Zn Se量子点的电子带隙和光学带隙几乎与直径成线性反比关系;对于Zn S量子点,电子或光学带隙与尺寸之间满足的标度定律与Cd Se量子点的情况相似。考虑激子效应后,拟合参数倾向于减小,则增大,证明激子效应的重要性。(三)在II-VI族蓝光量子点材料的激子衰减寿命及单三态分裂能量等光学性质的研究中,发现激子衰减寿命随着量子点尺寸增加而递增,并在更大尺寸处趋近于饱和;其中,Zn S量子点的激子寿命对量子限域效应不敏感,显示出一个几乎消失的值。(四)拟合得到的II-VI族量子点的单三态分裂能量与尺寸满足的函数关系中的参数δ值随着相应体相材料带隙的增加而减小。第二部分主要研究无机Cl配体钝化量子点表面对量子点光学性质的影响。本章节以Cd S量子点为研究体系,探究无机Cl配体钝化量子点表面的钝化机制,Cl配体覆盖度以及成键构型对量子点的带隙和吸收光谱的影响。(一)采用电子计数模型和量子力学检验计算,通过连续监测Cl配体和表面Cd原子之间的成键来确定最有利的成键构型,发现Cl配体和表面Cd原子可以形成三种类型的键,Cd-Cl单键、Cd-Cl-Cd桥键和NH分子型的Cl-Cd三棱锥键。(二)探究无机Cl配体覆盖度对量子点光学性质的影响。发现,随着无机Cl配体覆盖度的增加,最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道(HOMO-LUMO)之间的能级差以及光学带隙随Cl配体覆盖度的增加而减小,且与成键构型无关;吸收光谱随着Cl配体覆盖度的增加发生明显的红移。(三)探究无机Cl配体钝化量子点的成键构型对量子点光学性质的影响。发现对比完全赝氢钝化的量子点情况,Cl配体钝化引起不同的光学特性:吸收光谱出现红移且与成键构型无关;在光谱低能量部分,吸收强度减小。