关键词： Majorana束缚态   量子点   散粒噪声   量子输运   谱分解  

摘要： 研究了双量子点-拓扑超导纳米线混合系统中电子输运过程的散粒噪声。该系统中可存在多种相干隧穿机制,本文研究了混合系统中,Majorana束缚态和Poorman’s Majorana束缚态都不存在、二者分别存在和同时存在时4种情形下的散粒噪声。研究表明,2种束缚态相对应的相干隧穿都使低频和零频散粒噪声显著提升,但对散粒噪声特征谷深度和动力学行为的影响显著不同,这可作为区别二者的证据。此外,对散粒噪声谱进行分解,各噪声分量显示,系统-环境相互作用、单电子输运可以和电子相干隧穿相互竞争。本研究有助于深入理解Majorana束缚态的本质。

关键词： 碳量子点   纳米材料   金属防腐   缓蚀剂   涂层  

摘要： 碳量子点纳米材料作为新型零维碳纳米材料,具备水溶性好、低毒及易于改性等诸多优点,在金属防腐领域得到了广泛的应用研究。综述了碳量子点纳米材料在缓蚀剂和防腐涂层两个方向上的研究进展,分别介绍了其在缓蚀剂和防腐涂层领域的制备方法、作用机理和具体性能,研究者认为通过制备不同前驱体碳量子点纳米材料加以不同官能团修饰,可以有效提高缓蚀剂缓蚀性能;碳量子点在改性后作为纳米填料可以有效改善涂料防腐性能。指出碳量子点的功能化改性、碳量子点荧光特性的拓展应用以及碳量子点的规模化制备是其未来在金属防腐领域的重要研究方向。

关键词： 量子反常霍尔效应   无序   拓扑安德森绝缘体   量子输运  

摘要： 石墨烯是具有蜂窝结构的特殊二维材料,在电子器件应用方面具有潜力.拓扑安德森绝缘体现象是一种在无序诱导下系统从金属转变为拓扑绝缘体即拓扑安德森绝缘体的新奇现象.本文基于Haldane模型,利用非平衡格林函数理论,分别计算了不同状态下ZigZag边界准一维石墨烯条带的输运性质随无序的变化.研究发现拓扑平庸和拓扑非平庸状态下的系统都具有鲁棒的边缘态.当费米能处于导带中,两种状态的系统在较弱和较强无序作用下电导快速下降,而在中等无序强度下,前者电导下降减缓,后者出现电导为一的平台,表明系统出现拓扑安德森绝缘体相.对边缘态与体态的传输系数的分析表明Haldane模型中上述现象的形成基础是体态与鲁棒边缘态的共存,随着无序的增强体态被局域化,拓扑平庸的边缘态能一定程度下抵抗中等强度的无序,有拓扑保护的边缘态鲁棒性更强几乎不受影响,使得系统输运稳定性增强并产生电导平台.

关键词： 钙钛矿体材料   化学合成   量子点光转换膜   材料制备  

摘要： 钙钛矿材料因其独特的晶体结构和优异的光电性能,在太阳能电池、发光二极管(LED)、光探测器等领域展现出广阔的应用前景。文章综述了钙钛矿体材料的多种合成方法,并详细介绍了钙钛矿量子点光转换膜的制备技术。通过对溶胶-凝胶法、水热合成法、高能球磨法以及热注射法等合成方法的探讨,为钙钛矿材料的制备提供了全面视角。同时,结合量子点光转换膜的原位制备技术和应用实例,展示了钙钛矿量子点在提升显示器件性能方面的巨大潜力。

关键词： 准粒子   含时密度泛函理论   量子材料物性调控  

摘要： 准粒子作为对单粒子激发背后复杂多体现象的有效描述,在理解量子材料的宏观性质中扮演着重要角色.近年来,结合超快激光技术与各类探测手段,实现了对量子态及其动力学过程的高精度监测和操纵.这不仅加深了对准粒子激发机制的理解,还有助于驱动物质进入非平衡态,从而揭示出新的物理现象,促进新型功能材料的设计和应用开发.基于实时演化含时密度泛函理论(rt-TDDFT)的计算方法,可以超越线性响应理论的限制,第一性地模拟强耦合准粒子在非平衡状态下的动力学响应,揭示由强激光诱导的高度非线性现象及其物理机制,为优化光电器件性能提供了重要的理论支持.本文通过介绍基于rt-TDDFT的Ehrenfest动力学方法的理论基础和激光激发条件下多种准粒子演化的案例研究,展示了超快激光在量子材料物性探索和操控中的巨大潜力,同时凸显了动力学模拟在非平衡态及其时域性质研究方面的关键作用.

关键词： 量子点   量子点电视   量子点太阳能电池   生物成像  

摘要： 2023年诺贝尔化学奖授予对量子点的发现和合成做出重要贡献的3位科学家。介绍了什么是量子点以及量子点在电视、太阳能电池、生物医学等方面的应用,并总结了量子点的科学研究历程和发展方向。

关键词： 二维VSi2N4-MoSi2N4磁性异质结   光生电流效应   自旋电子学   量子输运   第一性原理计算  

摘要： 二维磁性半导体材料中的光生电流效应（photogalvanic effect）可产生纯自旋流、完全自旋极化的光电流,在自旋电子学领域具有应用潜力,激发了广泛的研究兴趣。其中,光生电流效应的自旋输运性质是一个重要的研究课题。有实验表明,电极是影响光生电流效应的重要因素,但目前的研究鲜有涉及电极对磁性器件中光生电流效应的影响以及对光电流自旋输运性质的调控。针对这一问题,本文采用量子输运方法研究二维磁性异质结中的光生电流效应,主要探讨电极对光电流自旋输运性质的调控规律和机理,本文的研究内容和结果如下: 提出了2种基于二维VSi2N4-MoSi2N4-VSi2N4（V-Mo-V）和Nb Si2N4-MoSi2N4-Nb Si2N4（Nb-Mo-Nb）磁性面内异质结的光电探测器模型。其中二维磁性半金属V（Nb）Si2N4为电极,光照在二维非磁性半导体MoSi2N4上。这2种异质结都属于C2v点群,没有空间反演对称。因此在偏振光均匀照射下能够产生光生电流效应。研究表明,在光子能量为1.8-3.2 e V的线偏振光照射下,可激发显著的光生电流效应。对于这2种异质结,光电流随偏振角度及入射角度呈余弦变化关系,而且在特定光子能量及偏振角度下,可获得纯自旋流、高消光比和自旋阀效应。相较而言,V-Mo-V器件的光电流比Nb-Mo-Nb的光电流高一个数量级,且具有几乎100%的自旋极化率,展现了完美的自旋滤波效应。这是因为VSi2N4电极的功函数小于MoSi2N4的功函数,导致MoSi2N4自旋向上的能带向下弯曲,因而光激发的电子从MoSi2N4输运到电极没有势垒,而自旋向下的能带则向上弯曲,电子隧穿势垒较大,故自旋向上的光电流远大于自旋向下的光电流,使得光电流的自旋极化率近乎100%。而对于Nb-Mo-Nb器件,Nb Si2N4的功函数大于MoSi2N4的功函数,使得MoSi2N4自旋向上和自旋向下的能带均向上弯曲,因此电子隧穿势垒较大,产生的光电流远小于V-Mo-V器件,且自旋极化率较低。此外,当用WSi2N4替换MoSi2N4时,仍然能得到类似的结果。 本文的研究结果表明,二维磁性V-Mo-V和Nb-Mo-Nb光电探测器在线偏振光的照射下可产生显著的光生电流效应,选取具有合适功函数的磁性电极可有效调控光电流的大小和自旋极化率。这些研究结果为设计低能耗、多功能的二维自旋电子器件提供了理论参考。

关键词： 超导材料   量子计算   零电阻   相干时间   集成电路  

摘要： 超导材料在量子计算中的应用依赖其零电阻特性和相干性，使其成为实现高效量子计算的核心技术之一。分析了量子计算的现状及其面临的退相干问题，探讨了超导材料在量子比特实现中的性能挑战，重点介绍了零电阻效应在量子电路中的关键应用方法，并详细阐述了优化Josephson结设计和低噪声控制，延长超导量子比特相干时间的技术手段。此外，还讨论了超导材料在量子计算集成电路中的发展潜力，特别是如何以先进的制造工艺和材料选择提升集成度和计算效率。通过对这些技术的探讨，展示了超导材料在推动量子计算领域发展的关键作用。

关键词： 室温超导体   量子材料   应用场景  

摘要： 在量子材料这个领域,我们在有些方面是做得不错的,尤其是在实验物理方面,如超导领域,在国际上是处在领先地位的。在量子材料上的一些研究,包括量子信息、量子计算、量子模拟,尤其是量子精密测量等方面我们国家也做得非常好,在国际上处于第一方阵。未来,可从如下几个方面进行布局：一是应大力发展强关联物理、多体理论包括非常规超导的理论;二是基于这些量子材料中量子现象的应用和器件,并不一定是完全取代或者说很快取代硅,虽然还有很长的路需要走,但相信未来一定会有所突破;三是建立相应的人才队伍和资助体系。

摘要： Quantum transport arises from the interplay of coherent interference, impurity scattering, and inter-particle interactions[1,2].The competition between disorder and interaction leads to a transition between localized and delocalized phases, and many breakthroughs have been made[3]. While traditional theories focus on electronic systems, recent advancements in quantum technologies,such as Bose-Einstein condensates[4], superconducting qubits[5],and trapped ions[6], enable direct simulations of quantum transport.