关键词： PT对称性   非厄米量子理论   量子纠缠   量子相干性   散射矩阵  

摘要： 在量子力学中,哈密顿量的厄米性确保了系统具有纯实的本征能量以及幺正的时间演化。随着非厄米理论的研究,一类具有PT对称性的非厄米系统引起了研究人员的关注。研究人员发现,非厄米哈密顿量在PT对称性的保护下仍然具有实数的本征值,并且自洽地构造了非厄米PT对称量子理论体系。这在很大程度上丰富了量子力学的内容。另一方面,量子信息与量子计算,作为量子力学与经典信息学相互结合而形成的新型交叉学科,逐渐成为了热点的研究领域。由于量子系统之间相互作用而产生的非经典效应可以被作为量子信息领域中有效利用的物理资源,量子纠缠等非经典效应的研究具有重要的理论研究意义。本文我们主要研究了具有PT对称性的耦合二能级量子系统的量子纠缠等非经典效应以及散射特性,得到了一些有意义的结果。主要研究内容和结果包括以下几个方面:1.研究了基于给定初始纠缠态的具有PT对称性的非厄米双Jaynes-Cummings模型的PT对称性、概率演化、量子纠缠和原子布居数反转。结果表明,非厄米项的存在将整个参数区域划分为两个不同的相区,系统在这两个不同的相区中产生了不同的动力学行为。在PT对称相,由于此时系统受到PT对称性的保护,光子和原子之间进行着稳定的相互作用,这导致了概率随时间的演化呈现出拉比振荡的现象,而纠缠会表现出“纠缠突然死亡”和“纠缠突然诞生”的现象。同时,原子布居数反转也随时间发生着周期性变化。随着非厄米性的增强,系统逐渐从PT对称相转变为PT对称破缺相。在PT对称破缺相,通过适当地选择参数,系统的概率演化和纠缠演化将趋于某个非零值,原子布居数反转最终也将随时间趋于稳定。这项工作可以帮助我们理解对称性对非厄米系统中光子和原子之间相互作用的影响,对于实现长距离量子通信、保持长纠缠时间以及增强纠缠抗干扰能力具有重要意义。2.研究了具有PT对称性的一维无限长的耦合谐振器波导中的单光子的散射特性,其中两个施加了增益和损耗的谐振器分别嵌入一个相同的二能级原子。通过使用散射矩阵的方法,我们发现单光子的传输会在共振点产生完全反射而没有透射的现象。在适当调整参数的情况下,系统还会产生单向隐形透射现象。随着参数的调整,系统将经历从PT对称相到PT对称破缺相的转变。这一过程中,我们对例外点进行了数值求解,并给出了判断系统发生相变的判别式。在PT对称破缺相,我们还发现在这个模型中会产生一种称为CPA-Laser的独特现象。这项工作为进一步研究单光子的传输提供了理论支持,并为制造相关量子器件提供了理论上可行的方法。3.研究了由磁通量调制的非厄米Aharonov-Bohm模型的单光子散射特性。我们一般性地证明了在该非厄米系统中仍然满足磁通规范不变性。适当地调整参数,我们发现单光子的传输将产生大范围的近似单向无反射和单向隐形透射现象,同时系统也将经历从PT对称相到PT对称破缺相的转变。在PT对称破缺相,合成磁通量可以作为判断CPA-Laser现象发生的方法。这项工作为揭示合成磁通量对光传输的影响提供了相关的理论支持,并为相关量子器件的设计和应用提供了理论上可行的途径。4.研究了开放环境下具有PT对称性的两个耦合的非厄米二能级系统的量子纠缠和量子相干性。首先,我们简单地介绍了描述非厄米开放量子系统动力学演化的主方程。然后,我们根据矩阵的方法求解了该方程,得到了系统的含时密度矩阵、共生纠缠和量子相干性的解析表达式。结果表明,由于非厄米量子系统中的增益和损耗非厄米效应以及开放环境下的耗散效应的共同作用,该系统的量子纠缠和量子相干性会表现出新奇的特征。最后,我们发现该系统会存在一类新的高阶例外点。这项工作为理解和进一步深入研究非厄米开放量子系统具有一定的理论意义。

关键词： Quantum matter   Topology   Quantum computers   Topological materials  

摘要： In recent years, the understanding and identification of quantum materials supporting non-trivial band topology has progressed rapidly. This progress has been motivated in part by the potential application of topological quantum materials in quantum computers, sensors, and other next-generation devices. Despite this progress, the computation of bulk topological invariants in time-reversal symmetric materials remains a largely open question in the absence of enhanced crystalline symmetries. In this thesis, we establish generalized procedures for computing topological invariants of time-reversal symmetric systems in one, two, and three dimensions without imposing severe symmetry constraints. We develop these methods in both momentum and real space, providing a route for cross-validation. In each case, emphasis is placed on integration with ab initio simulations to allow for connection to experiment. The outcome of this work is the establishment of novel theoretical diagnostics, conceptual advancements in bulk topological classification, and the identification of multiple high-quality topological materials that had evaded detection in the literature prior to this point. The materials identified are energetically stable and experimentally controlled, offering potential for use in future devices.

关键词： 笼目晶格   电荷密度波   金属绝缘体转变   磁性   高压测量  

摘要： 自石墨烯发现,二维材料因其新奇的物理现象和广阔的应用前景受到广泛的关注,其中笼目材料和过渡族金属二硫族化合物（TMDs）是两个具有代表性的材料体系。笼目（Kagome）晶格指的是共顶点连接的准二维三角格子。根据紧束缚模型计算结果可知,笼目材料的电子能带结构包含平带、狄拉克点以及范霍夫奇点等特征,在适当的电子填充下可能呈现诸如电荷序、密度波序、超导电性等新奇电子有序态和物理性质。同时,以Mo S2为代表的TMDs具有丰富的结构和特殊的能带结构,具有诸多新奇的物理性质和优秀的机械性能,成为研究诸多前沿科学问题的优秀材料载体,在电子器件与光电子学等领域具有广阔的应用前景。 因此,二维量子材料为研究各种丰富的物理现象提供了重要的材料平台,同时,设计合成新型二维量子材料并调控发现新奇物性成为当前凝聚态物理领域的前沿研究方向。本论文紧密围绕新型笼目材料和TMDs的合成和物性调控开展研究,取得了如下主要成果: （1）利用助熔剂法生长了系列稀土钒基笼目金属RV6Sn6（R=Tb-Tm）单晶,通过X射线衍射、磁化率、电阻率和比热等测量手段,详细研究了其晶体结构、电输运、磁性和热学等性质。这些化合物的晶体结构包含非磁性的钒原子构成的笼目结构子晶格和磁性的稀土离子构成的三角子晶格。详细的磁性研究结果表明,RV6Sn6（R=Tb、Dy和Ho）分别在TN=4.4 K、3 K和2.5 K出现磁有序,而RV6Sn6（R=Er、Tm）直到0.4 K都没有形成长程磁有序。此外,由于稀土离子具有较强的自旋-轨道耦合相互作用,RV6Sn6中不同的稀土离子呈现出迥异的磁各向异性:Tb V6Sn6中Tb3+局域磁矩倾向于沿c轴排列,表现出强烈的Ising各向异性;而Tm V6Sn6和Er V6Sn6在低温下的局域磁矩倾向于排列在ab平面内;Ho V6Sn6和Dy V6Sn6样品则表现出较为各向同性的行为。详细的电输运结果表明,RV6Sn6化合物都表现出多带的输运行为,但直到0.4 K的低温均没有出现超导电性或电荷密度波转变。 （2）不同于上述稀土笼目金属,Sc V6Sn6是目前发现的RV6Sn6家族成员中唯一具有电荷密度波（CDW）转变的化合物。通过测试Sc V6Sn6单晶在不同静水压下的电阻率,详细地跟踪电阻率在CDW处的特征变化,发现其CDW转变温度随压力的提高逐渐向低温移动,在大约2 GPa时CDW在电阻的特征发生了显著改变,并在约2.4 GPa时被完全抑制。然而,与AV3Sb5体系不同,Sc V6Sn6无论是CDW被完全抑制的临界压力2.35 GPa附近,还是直到11 GPa的压力区间,其在实验测量的低温下电阻均没有出现超导电性。以上研究结果表明,钒基笼目金属体系可以呈现迥异的CDW特征以及不同的高压调控规律,通过系统的对比研究可以给出更加深入的认识。此外,我们还针对该体系中少见的重费米子材料Yb V6Sn6开展了高压调控研究,结果表明压力可以逐渐抑制其Kondo效应,逐步提高磁有序温度,但其压力效应在0-2 GPa低压区比较明显,而2 GPa以上的高压区并不明显。最后,通过对比加压前后磁有序附近电阻行为的变化,表明其磁基态可能发生了改变。 （3）利用助熔法合成了笼目结构材料K2Ni3S4,通过常压物性表征确认其为抗磁性的绝缘体;然后,对其开展了详细的高压下电阻和拉曼光谱测量以及理论计算研究,结果表明其电输运行为在压力下展现出丰富的演化过程。随着压力增加,其电阻迅速减小,在15-30 GPa的压力范围内,低温出现电阻下掉行为,由于该下掉可以被磁场逐渐抑制,意味着可能出现超导转变;在50-66 GPa的压力范围内,K2Ni3S4被完全金属化。常压下的Ni2+是低自旋的d8电子构型,四面体的晶体场环境使得K2Ni3S4中Ni最高能量的dxy为空轨道,其能隙很大,因此K2Ni3S4为绝缘体,能带计算的结果也证实了这一点。Raman光谱的结果表明,K2Ni3S4在12 GPa和30 GPa附近可能存在结构畸变,分别对应绝缘行为的结束和低温电阻下掉行为的结束压力。计算结果显示,压力压缩晶格,Ni离子在c轴方向上间距减小,因此在层间Ni离子之间很有可能发生轨道重叠,或通过S的p轨道实现电子转移,使得K2Ni3S4出现高压诱导的金属化。 （4）利用化学气相输运法制备了一个新型的层状结构单晶材料1T-Fe1/3Ta Se2,并采用单晶X射线衍射、透射电子显微镜、能量色散谱、磁性、电输运、比热等测试手段详细表征了该材料的晶体结构和基本物理性质。研究结果表明,该样品具有1T相结构,即Fe原子插入了1T-Ta Se2,并且Fe原子与相邻两层的Se原子成键,其较强的相互作用使得样品层间距缩短。出乎意料的是,该样品是一个磁转变温度高达350 K的反铁磁体,低温8 K以下存在自

关键词： 钙钛矿量子点   无机材料   复合材料   稳定性提升   发光二极管  

摘要： 钙钛矿量子点（PQDs）由于具有容易合成、载流子扩散长度长、吸收系数高、量子效率高和组分相关带隙可调等优点,在学术界和工业界受到了广泛的关注,并在发光二极管（LEDs）、背光显示、太阳能电池、激光、光探测器、催化和储能等领域展现出了极佳的应用前景。然而,PQDs的形成能较低,对外界环境极其敏感。当暴露在热、光、水分和氧气等条件下时,容易引起PQDs晶体结构的变形和坍塌,导致材料性能的衰退。因此,如何在保证PQDs发光性能尽量不受影响的前提下,实现其高稳定性发光是当前钙钛矿发光材料面临的关键挑战。构筑复合材料是一种有效的提升PQDs稳定性的手段。无机材料具有高比表面积、易于表面功能化和良好的化学惰性等特性,可以作为基质材料负载PQDs以实现稳定性的提升。此外,无机材料与PQDs的复合丰富了界面性能,可能实现发光性能的协同提升,拓宽了PQDs的应用领域。本论文围绕改善PQDs稳定性开展工作,通过构筑PQDs@无机材料复合材料,旨在调控PQDs的发光性能和提升PQDs的稳定性,揭示稳定性提升机理和探究在LEDs中的应用。根据无机材料与PQDs复合方式的不同,我们系统地研究了PQDs与无机材料的外表面、内表面以及分子孔道相结合时的生长动力学过程,探讨了不同的复合模式与稳定性之间的关联。其中,PQDs复合在无机材料的外表面所构筑的复合材料包括凹凸棒石（ATP）@PQDs复合材料和六方氮化硼（h-BN）@PQDs复合材料;PQDs复合在无机材料的内表面所构筑的复合材料为PQDs@中空二氧化硅（Si O2）复合材料;PQDs复合在无机材料的分子孔道内所构筑的复合材料为PQDs@金属-有机框架（MOFs）复合材料。本论文主要包括以下三个方面研究内容:（1）一维凹凸棒石和二维六方氮化硼外表面铆钉钙钛矿量子点复合发光材料:利用ATP表面丰富的Si-OH键,引入硅烷偶联剂对ATP表面进行氨基功能化,嫁接的氨基硅烷偶联剂可以作为桥接联结剂促进ATP与PQDs的结合。通过对比ATP与PQDs复合时有无桥接联结剂的形貌、光学特性和稳定性,提出了桥接联结剂在构筑复合材料中的作用机理,验证了复合材料界面工程与性能之间的关联性。该复合材料在加热至120℃时具有29%的相对PL强度,降温至20℃时恢复至81%。此外,该复合材料在紫外光持续照射30 h后仍能保留84%的相对PL强度。桥接联结剂用量研究还表明发光性能并不完全随着桥接联结剂用量的增多而提高,合适的桥接联结剂用量对于维持高效发光很有必要。此外,由于厚层h-BN之间存在弱的范德华力,可以在球磨过程中加入尿素,促进h-BN由厚层向薄层转变,并且在其表面引入氨基官能团。得益于薄层h-BN表面丰富的氨基功能化,促进了PQDs原位成核与生长。此外,薄层h-BN具有良好的热导率,可以协助PQDs加速热量的散失,显著提高了PQDs的热稳定性和环境稳定性。该复合材料在加热至120℃时能保留80%的相对PL强度,是纯PQDs的6倍,并且在大气环境中保存22天后仍具有90%的相对PL强度。（2）三维中空Si O2纳米球内表面封装钙钛矿量子点复合发光材料:利用水溶液乳化聚合反应制备了聚苯乙烯纳米球,然后以聚苯乙烯纳米球为内核多步分级包裹Si O2外壳,最后去除掉模板制备了中空Si O2纳米球。该中空Si O2纳米球的硅层分为两层,其中内壳层具有氨基官能团,而外壳层保持化学惰性,这样有利于PQDs在内壳的选择性生长。此外,介孔和中空结构保证了合成PQDs的前驱体离子可以顺利进入内腔,同时阻止熟化的PQDs从内腔中逃离。通过形貌和稳定性测试,证实了PQDs被封装在中空Si O2纳米球内腔,并表现出卓越的热稳定性和光稳定性。该复合材料在加热至100℃时具有65%的相对PL强度,并且在紫外光持续照射72 h后仍能保留89%的相对PL强度。（3）三维金属有机框架分子孔道封装钙钛矿量子点复合发光材料:利用乙二胺四乙酸二钠改性MOF-808的分子孔道结构,可以实现对水溶液中有毒Pb（II）有效的吸附。MOF-808分子孔道中的吸附Pb（II）可以作为Pb（II）源,原位负载PQDs,实现Pb（II）螯合物和PQDs的转换。此外,MOF-808分子孔道中的吸附Pb（II）的释放过程比较缓慢,能进行多次PQDs的负载,实现了荧光信号的可逆打开和关闭,在防伪领域具有广阔的应用前景。所制备的PQDs@MOF-808复合材料表现出优异的光电特性和增强的热稳定性,能在更加苛刻的外界环境下保持稳定发光。该复合材料在加热至120℃时具有23%的相对PL强度,降温至20℃时恢复至92%。此外,该复合材料在紫外光持续照射17 h后仍能保留85%的相对PL强度。更重要的是,PQDs@MOF-808复合材料中因分解而产生的游离Pb（II）可以再次被MOF-808

关键词： 延迟响应   空间关联涨落   光生载流子转移   量子掺杂   热力学演化  

摘要： 能源和环境是人类可持续发展进程上亟待解决的两个问题,太阳能作为廉价、清洁的可再生能源为人类可持续发展提供了机遇,因此基于太阳能的光伏器件备受关注;而较低的光电转换效率成了光伏器件低成本、推广应用的瓶颈,半导体量子点(QDs)光伏器件因其独特的量子效应为高效光电转换器件的实现提供了可能。基于此,本文以双量子点(DQD)光电池为研究对象,开展了量子效应对光伏性能影响机理的研究,并籍此提出高效光电转换的新策略。具体内容如下:1、空间关联涨落效应对DQD光生载流子输运过程光伏效率的影响提高光伏性能的一个可行策略是理解DQD光电池中电荷转移的量子物理机制。我们用一个随机过程函数来表征空间关联噪声引起的导带能级涨落,在提出的DQD光电池模型探讨了空间关联涨落对电荷转移和输出光伏效率的影响。结果表明,空间关联涨落显著推迟了输出电流和效率达到峰值的时间。反空间关联涨落不涉及延迟响应,降低了输出光伏效率的峰值。延迟响应没有被明显观测到,我们猜测DQD系统存在潜在自身调节机制。进一步的结果表明,两个量子点间的间隙能差和隧穿系数可以抑制延迟响应,证实了存在潜在物理机制的猜想。随后的研究表明,延迟响应是由空间关联涨落引起的,空间关联涨落减缓了噪声诱导相干性的产生过程,反空间关联涨落和更热的热环境破坏了噪声诱导相干性的产生,从而使得输出光伏特性降低。由空间关联涨落产生的延迟响应的发现将加深对电子转移的量子特征的理解,并有望使我们对高效DQD太阳能电池的量子技术的进一步理解。2、掺杂量子点因结构参数、环境变化引起光电输运特性的优化特征确定物理参数的作用是实验上提高掺杂DQD光电池中光生载流子传输特性的方法之一。通过对掺杂DQD光电池在多光子吸收过程中的输出电流、功率和输出效率的研究,来评估光激发载流子传输特性,并从理论上实现了该光电池模型的优化方案。结果表明,掺杂引起的一些结构参数,如两个量子点间能隙差、非相干隧穿耦合系数、垂直排列的结构对称性等,可以显著地控制光生载流子的转移特性,并且在室温附近略微提高环境温度更加有利于该掺杂DQD光电池模型中载流子的转移性能。因此,我们的方案证明了一种DQD光电池掺杂QD设计策略的优化方法。3、从DQD光电池的热力学角度衡量光伏特性的演化特征在光子脉冲驱动的供体-受体DQD光电池模型中,我们试图通过评估DQD光电池模型中光电转换过程中的热力学演化,构建一种新的理论方法来评估光电性能。结果表明,热力学相关的量的演化过程可以反映出光伏动力学的规律,也就说可以通过供体、受体的热流及受体部分的熵流来间接评估光电传输特性,同时验证热力学第二定律的有效性。不仅拓展了我们对光电输运过程中热力学量物理规律的理解,也为优化DQD光电池光电转换效率提出一种可能的新方法。在本文的研究工作中:阐述了空间相关涨落与提高光伏特性的量子相干性之间的联系;为设计掺杂DQD光电池提出了一种理论优化策略;并从理论上探究光电输运过程的量子热力学标度方法,为优化光电转换效率提开辟了新的视角。

关键词： 约瑟夫森结   自旋轨道耦合   超导量子干涉  

摘要： 以量子计算为基础的信息技术的发展有望引发新的量子科技革命,基于满足非阿贝尔统计的马约拉纳零能模（Majorana Zero Modes,MZMs）去构造受拓扑保护的量子比特,有望从物理层面解决量子退相干问题,从而实现可容错的拓扑量子计算。MZMs的实验构建与观测是实现拓扑量子计算的第一步也是关键一步,具有强自旋轨道耦合（Spin-orbit Coupling,SOC）的一维和二维体系是实现MZMs的良好平台之一,其中强SOC相互作用在实现有效p波超导及拓扑转变中扮演着至关重要的作用,这也促使研究者们去寻找合适的具有强SOC的体系进行研究,希望能够在实际体系中观测到MZMs。一种高迁移率的具有强SOC的新型半导体材料Bi2O2Se进入我们的研究视野。Bi2O2Se具有高的迁移率、优异的电子性能和环境稳定性等,这使得Bi2O2Se成为构建拓扑量子器件以及观测MZMs的良好平台之一。因此,本文研究了基于强SOC的Bi2O2Se微纳器件的量子输运现象,着重研究了超导、SOC和塞曼效应这些实现MZMs的关键元素的相关量子现象,为实现MZMs奠定了一定的基础。论文第一部分介绍了基于Bi2O2Se纳米薄片的反常约瑟夫森效应的实验研究。在约瑟夫森结中研究自旋轨道耦合和塞曼效应的相互作用是实现MZMs的关键一步,自旋轨道耦合和塞曼效应相互作用会引起体系的0-转变和反常约瑟夫森效应。我们在基于Bi2O2Se纳米薄片的超导量子干涉器件（Superconducting Quantum Interference Devices,SQUID）上进行了相位敏感的实验研究,通过施加面内平行场追溯干涉图样的移动去反映反常的相位移动。我们观察到了相位的基本移动,同时发现超导电极的顺磁性引起的零磁场附近的不稳定行为导致的相位移动会对真实的反常相移信号形成强烈的干扰,在之前的研究中并没有重视这个问题。在门调节实验中,由于纳米薄片的门可调性有限,没有达到通过调节费米面及自旋轨道耦合强度来调节反常相移幅值的效果。论文第二部分介绍了基于Bi2O2Se纳米薄片的Nb Ti N弱连接约瑟夫森结中的超导干涉图样的菱形块图案演化。在约瑟夫森结中引入面内塞曼效应对于探索有趣的物理现象,如塞曼驱动的0-转变、平面拓扑超导等,具有非常重要的意义。然而,实际体系中微小高低起伏的微分几何结构(称之为起伏（rippled）结构)引入的轨道效应会导致特征的相位干涉现象。我们在基于Bi2O2Se纳米薄片的Nb Ti N弱连接约瑟夫森结中观测到了特征的呈现菱形块图案的干涉图案演化行为。基于此我们探究了起伏（rippled）结构轨道效应和非均匀电流密度分布共同作用的情形,发现特定的电流分布与轨道效应的结合会导致特征的干涉图案演化行为,在特定的参数下可以产生类似于实验中观测到的干涉图案演化行为。我们的结果揭示了实际体系中的微分几何结构的轨道效应与特定电流分布结合的特征干涉行为,对于理解约瑟夫森结中的几何干涉现象有着重要意义,同时对于塞曼驱动的0-转变实验研究也有重要参考意义。论文第三部分介绍了Bi2O2Se纳米线的量子输运研究。我们将二维体系扩展到了一维纳米线体系,并对其进行了系统的输运研究。化学气相沉积法合成的Bi2O2Se纳米线呈现出高达约1.34×10～4cm2V-1s-1的场效应迁移率,并且展示出强的自旋轨道耦合及良好的门可调性（自旋弛豫长度从～100 nm到～250nm）。在零门压下纳米线的费米能级处于半导体能隙中,低门压下纳米线表现出准弹道输运行为,高门压下纳米线进入了量子相干输运区间。合成的纳米线拥有比二维薄片更强的自旋轨道耦合强度,且高的迁移率使得其在强磁场下出现Sd H（Shubnikov-de Haas）震荡,强自旋轨道耦合及观测到的两个Sd H震荡频率进一步表明纳米线中可能存在的表面原子积累层,从而导致纳米线中空间反演对称性的进一步破缺。因此,高质量Bi2O2Se纳米线具有高迁移率、强SOC和门可调性,其可成为未来电子学和自旋电子学的潜在材料,并成为实现螺旋态和拓扑量子计算的潜在平台。最后一部分是总结和展望。为了更好地理解和利用Bi2O2Se的优良性质,我们还需要继续开展理论实验研究、优化制备方法及改进器件设计等,期待在不久的将来实现高性能、可扩展的量子计算系统。

关键词： 钙钛矿量子点   过饱和析晶   固相研磨法   无铅钙钛矿  

摘要： 钙钛矿量子点因其具有高的光致发光效率、可调的发光波长、较窄的半峰宽等优异的光电性能备受业内关注,被广泛认为是半导体照明、太阳能电池、激光及显示等领域最具发展潜力的新型材料之一。目前制备钙钛矿量子点材料的方法已呈多元化发展趋势,如热注入法、微波辅助法、饱和析晶法等,但操作复杂、产量低限制了上述技术的产业化之路。此外,现有铅基钙钛矿量子点材料中有毒铅元素的使用,所面临的可能环境问题亦是困扰该体系材料进一步发展的关键因素之一。因此发展成本低廉、操作简单、易于规模化的制备技术以及探索环境友好、性能优异的新型无铅钙钛矿量子点材料对于推动本领域的发展具有重要的现实意义。于此,本文围绕上述关切问题展开研究,主要工作如下所示:1)本文基于过饱和析晶原理结合离子交换手段成功实现了可见光区域宽光谱的CsPbX3全无机钙钛矿量子点材料的制备。与现有的制备技术相比,该工作可为CsPbX3材料的合成提供一种简易化、低成本的制备方法,且对规模化制备该材料提供了有效理论与技术支撑。文中着重探讨了阴离子掺杂对所制样品光学性能、晶体结构、形貌特征、元素组成、载流子衰减特性的作用规律,剖析了样品的具体形成机理,结果表明所制样品发光光谱可在472～638 nm可调,光致发光效率最高达53.53%。2)旨在解决现有材料有毒铅元素使用问题,本文创新地将固相研磨法应用于无铅多元Cs2Ag1-xNaxInCl6:Bi钙钛矿量子点材料的制备。在剖析方法制备机理的同时,揭示Na元素掺杂对所制样品光学性能、晶体结构、元素组成、形貌特征、载流子衰减特性的影响规律。结果所示Na掺杂可有效改善样品的光学特性,发光光谱在578～586nm区间变化,色温于2844～4248 K区间可调,光致发光效率最高可达66.87%。值得一提的是,所制样品呈0维结构特征,晶体尺寸约为2.45 nm,利于高性能发光器件的制备。