关键词： 半导体激光器   研究所   半导体光激射器   金属材料   量子化   量子论   日本  

摘要： 据日本《O Plus E》杂志1991年第136期报道,日本科学技术厅金属材料技术研究所利用量子阱开发高性能半导体激光器.从下年度五年计划开始.该研究所采用独创的液滴外延法制作化合物半导体的超微晶体,使电子处在这种立体空间内,目标是实现振荡频率很低的相干半导体激光器.新一代电子器件是一种量子化功能器件,在超高速、大容量的信息通信中是不可缺少的,其目标是实现先进的相干光通信.

关键词： 量子窄区串联   绝热输运   欧姆输运  

关键词： 介观系统   量子相干性   输运  

摘要： 本文综合介绍近几年来，在研究“介观”系统（ｍｅｓｏｓｃｏｐｉｃ　ｓｙｓｔｅｍｓ）中电子的输运现象时所观察到的量子干涉效应．含有无序的散射中心的金属细线或小环，半导体二维电子气中量子点接触结构，一维量子线，以及双联通的微结构等，都属于“介观”系统，其电子的相泣相干长度Ｌφ可以与系统的结构尺度相比较，电子波的量子干涉现象变得十分显著和重要。本文着重介绍金属和半导体异质结中Ａｂａｒｏｎ－ｏｖ－Ｂｏｈｍ效应、金属细线中电导的量子相干涨落现象和电导的非定域性．

关键词： GaAs/AlGaAs   量子阱   运输特性  

摘要： 本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。

关键词： 量子阱材料   电子显微镜   光致发光  

摘要： 对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材料的结构质量对其光电性能有一定影响。另外,也观察到分子束外延对改进异质结界面的平整度有明显作用。

关键词： 半导体   微结构   量子   弹道式   输运  

摘要： 半导体微结构的尺度可以与电子的相位相干长度相比较，在输运过程中，电子保持“相位记忆”，表现为量子弹道式输运和具有量子相干性．本文着重介绍在零磁场和磁场下，量子点接触微结构中的电子的量子弹道输运过程和电导呈现量子化现象．

关键词： 半导体器件   量子阱   超晶格   材料  

摘要： 本文回顾了超晶格概念的提出及材料制备技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。文末概述了作者在量子阱超晶格材料的设计与性能预测方面进行的一些工作。

关键词： GaAs   GaA1As   多量子阱   折射率   色散  

摘要： 本文提供了一种在GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)材料的直接带边附近折射率参数色散关系的获得方法。其特点是在多层介质膜系统中用光学传递矩阵对MQW进行处理的基础上引入室温激子振荡因子,然后对材料的实验反射谱进行拟合。这种色散关系对于光电器件设计及其理论期望来讲是十分重要的。这种方法除能得到折射率实部与虚部的色散关系外,还可得到激子共振吸收谱。

关键词： 量子阱   能带混和   能隙材料  

摘要： 本文使用单带双谷理论研究了直接/间接能隙量子阱中的能带混和现象.研究了量子阱中的束缚态随合金组分和液体静压力变化的关系.讨论了由第Ⅰ类超晶格向第Ⅱ类超晶格的转变.最后论述了这些状态转换的意义及单带双谷理论的有效性.

关键词： 三类高   材料结构   性能关系