关键词： 容许跃迁   禁戒跃迁   激子   量子阱  

摘要： 用光调制透射和电调制透射两种方法研究了In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱中激子的带间跃迁,对晶格匹配的(x=0.53)或有应力的(x=0.6)宽阱材料(L_x=250(?))和窄阱材料(L_x=50(?))等四类样品的跃迁能量和展宽参数做了系统研究,实验结果与用一个有限高的方势阱模型的计算结果符合甚好.根据展宽参数与量子数n的关系,还估算出材料界面的不平整度δ_t(?)6.2(?).当对样品施加直流反偏压时,除允许跃迁外,还观察到激子的禁戒跃迁及其随电场增加的“红移”现象(QCSE效应),最大红移为20meV,所对应的场强为45kV/cm.

关键词： .linear statistic   Transmission Eigenvalues   Random-matrix   RMT   Energy Levels   Dyson-Mehta formula  

摘要： A random-matrix formula is derived for the variance of an arbitrary linear statistic on the transmission eigenvalues. The variance is independent of the eigenvalue density and has a universal dependence on the symmetry of the matrix ensemble. The formula generalizes the Dyson-Mehta theorem in the statistical theory of energy levels. It demonstrates that the universality of the conductance fluctuations is generic for a whole class of transport properties in mesoscopic systems.

关键词： 超晶格红外探测材料   量子阱器件   长波红外探测器   红外热电子晶体管  

摘要： 超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径,作者曾介绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料,本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导多量子阱和光伏(或称Kastalsky)型红外探测器;以GaAs或InGaAs为基极的红外热电子晶体管(IHET);Ga_(1-x)Al_xSb-AlSb超晶格材料和Ge_xSi_(1-x)-Si量子阱材料与内光电子发射红外探测器。这些都是目前研制长波红外材料与器件的热点。

关键词： 应变   能带结构算法   光纤通信   材料  

摘要： 本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张应变情况下,利用InGaAs做有源区较为合适。

摘要： The optical electronic, and catalytic properties of semiconductor Q-particles differ significantly from those of either the bulk materials or of the molecules, as the nanometer-size particles exhibit effects due to quantum confinement. The methods of preparing these materials, their characterization, their properties, and their applications are reviewed, and the requirements for future progress, even the extension of the work to nanometer-sized metal particles, are discussed.

关键词： 磁性合金   电导   量子输运  

摘要： 利用推广的自洽迭代递归方法,精确求解了具有s-d交换相互作用系统的磁场顶角函数;计算了Kondo电导张量.发现,经过顶角函数的高级修正后,电导张量缩小到无高级修正值的1/(1+h~2).

关键词： InGaAs/InP   InP   量子阱   MOCVD   超晶格   超点阵   材料特性   低压   电压   测试分析  

摘要： 研究了InP、InGaAs体材料薄膜和InGaAs/InP量子阱和超晶格的低压MOCVD生长。InP外延层背景电子浓度为（1-5）×10;/cm;,低温电子迁移率为45240cm;/V·s。InGaAs/InP异质结应变层匹配度可以控制在±（1-3）×10;,匹配的InGaAs层的背景电子浓度为（2-5）×10;/cm;,室温及低温电子迁移率为8660和65150cm;/v·s。InGaAs/InP量子阱的标定阱宽从114A减少到6.4A时低温光致发光峰能量上移量从59meV增加到362.5meV,线宽从12.4meV增加到57meV。InGaAs/InP超晶格的X射线衍射曲线显示了高至3级的卫星峰结构。观察到从AsH;切换到PH;时由于As的优先掺入特性引起的InP中As的掺入,其组份达到0.09。证实了它是线宽加大、荧光峰上移降低的一个因素。

关键词： 量子阱激光器   半导体激光器   液相外延   GaAs/GaAlAs   低温  

摘要： 在国家科委以及863计划新材料领域专家委员会大力支持下,经国务院引进国外智力领导小组批准,中科院半导体研究所材料科学实验室与俄罗斯科学院约飞技术物理所就低温液相外延量子阱激光器材料和器件项目进行合作

关键词： MOCVD   TEM   GaAs/AlxGa1-xAs   量子异质结构  

摘要： 本文报道 MOCVD 生长 GaAs/AlGaAs 量子异质结构材料(超晶格、量子阱及量子共振隧穿二极管),采用横断面透射显微术表征了样品的界面结构。实验表明:多量子阱与超晶格的周期性良好,层与层之间界面清晰,采用[100]带轴入射,观察到超晶格的 TEM 卫星衍射斑,测量到量子阱中电子的子能级跃迁吸收。研究了生长工艺和材料结构的关系,分析了影响 RT 器件的因素。