关键词： 量子点   受激发射   半导体激光器   氧化锌   Ⅱ-Ⅵ族  

摘要： 介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构．ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射．它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料．

关键词： 量子点材料   镓   砷   铟  

关键词： 量子输运   表面散射   金属圆柱线   界面散射  

摘要： 考虑了量子尺寸效应以及来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射，运用量子统计的格林函数方法和久保公式，计算多层金属圆柱线中的各种散射电导率．计算结果表明，在杂质、表面和界面的弱散射极限下，系统总电导率等于各个子能级通道的电导率之和，而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的．

关键词： 半导体超晶格   朱邦   领域   低维半导体结构   声子模   夏建白   电子态   介观系统   量子输运   平面波展开法   量子阱   物理内涵   二维激子   专著   中华人民共和国  

摘要： 即将成为历史的20世纪,使人感触最深的,就是日新月异的科学技术极大地改变了整个世界。信息技术与信息产业无疑在其中扮演着最重要的角色,而且会继续影响到下一世纪。微电子技术和光电子技术,是信息产业的两大技术支柱。应该说,半导体物理是上述技术得以迅速发展的重要科学基础。由夏建白和朱邦芬合著的《半导体超

关键词： GaAs基低维量子材料   红外探测器   2D-3D生长模式   量子点超晶格  

摘要： 在该论文中,作者对InGaAs/GaAs应变体系的生长过程与驰豫机制,以及多量子阱与 量子点超晶格在红外探测器上的应用进行了研究,并开展了GaAs/AlGaAs光伏型多量子阱红 外探测器的部分研究工作,获得了如下新的结果:1、研究了InGaAs/GaAs应变体系生长过程中2D-3D生长模式的转变;2、利用TEM、PL等表征技术,详细研究了量子点超晶格的结构特 征;3、对量子点超晶格快速退火研究表明,随着退火温度的提高,InGaAs量子点与GaAs隔 离层间的互扩散加强,界面变差;4、实现了响应8~12μm大气窗口波段的量子点超晶格的 正入射红外吸收,这一结果进一步验证了量子点中子带跃迁选择定则的改变,可以吸收垂直入射的红外光,而且预示了量子点在红外探测器应用上的光明前景;5、制作出响应8~12μm波段的InGaAs/GaAs多量子阱红外探测器.利用不对称势垒结构的GaAs/AlGaAs多量子阱制 备出响应8~12μm的光伏型红外探测器,在零偏压下获得光电响应.

关键词： 有机感光体   激光二极管   酞菁   光电导材料  

摘要： 介绍了一种优良的光电导体的制作，用Ｏｎｓａｇｅｒ模型对其性能进行了模拟，认为其高量子效率是光电导体性能优良的原因。

关键词： 碳纳米管   一维功能材料   量子输运   力学性质  

摘要： 文章简要地介绍了碳纳米管新型准一维功能材料在量子输运、力学性质和制备技术方面的研究进展，特别介绍了制备出２—３ｍｍ长的碳纳米管的最新研究成果．

关键词： 纳米线   制备   一维   半导体量子材料   碳纳米管  

摘要： 文章简要评述了一种制备一维半导体量子材料的新方法，即用碳纳米管作为模板，通过化学气相反应生长半导体纳米线，用此方法已经成功地制备出了一系列碳化物纳米线，更重要的是还制备出了ＧａＮ纳米线．

关键词： 锗   量子点   射频磁控溅射   制备   半导体  

摘要： 采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制.

关键词： 离子注入   硅纳米晶粒   量子点材料   光电材料  

摘要： 对由量子限域效应引起的硅纳米晶粒的强烈光致发光现象、离子注入技术制备量子光电材料及其在光电子器件应用领域的优势和前景作了评述和探讨．