关键词： 多体效应   量子输运   空穴   体系  

摘要： In the last decade, intensive studies both theoretical and experimental have been devoted to the understanding of electronic transport properties in disordered electron systems. As is well known, diffusive natures of electron motions in weakly localized regime are responsible for both localization effects and interaction effects. It turns out that perturbation theories based on the localizations or interactions predict similar

关键词： 半导体   碲   汞   镉   量子输送特性   氦  

摘要： 在0.3～4.2K温度范围,观察到N-型碲镉汞的磁场诱发的金属-绝缘体转变,报道了纵向磁阻在很低的磁场下激活.讨论了纵向磁阻和横向磁阻的各向异性和反常“霍尔系数下凹”区的行为.

关键词： 二维空穴   量子输运特性   异质结  

摘要： 本文研究了利用分子束外延技术(MBE)生长的GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结构中的二维空穴的整数量子Hall效应(IQHE)、以及空穴复杂子带结构对IQHE的影响;讨论了在弱磁场区产生反常正磁阻效应的量子机理,指出两种载流子经典磁阻理论不能解释这一效应.

关键词： 极化声子   玻璃   瑞利散射  

摘要： 本文利用格林函数和图展开方法,提出了无序材料(如玻璃)中的电磁耦合场量子理论,并由此计算和分析了SiO和GeO玻璃中光的瑞利散射及各种无序对散射贡献的大小,证实了虚温度近似中关于玻璃的瑞利散射主要起源于原子密度无序涨落的假设.本文仔细地考虑了电磁耦合场量子色散对瑞利散射损耗的影响.计算表明:对SiO和GeO玻璃,在最小损耗波长,由色散引起的偏离瑞利散射λ规律的相对误差分别为20%和11%.

关键词： 瑞利散射   极化声子   无序   掺杂  

摘要： 本文利用作者在前一篇文章中提出的无序系统中电磁耦合场量子的量子理论,讨论了掺杂对玻璃中瑞利散射的影响。文章给出了瑞利散射截面随参量y=(u_d)/(u_b)和 z=(ω_d)/(ω_b) 变化的计算曲线,其中 u_d,ω_d 和 u_b,ω_b 分别是杂质和基体原子的电偶极矩和跃迁频率。计算表明:当参数 y,z 在某一区域取值时,掺杂可使瑞利散射减小。利用所得结果,本文解释了在实验中观察到的一些掺杂元素使SiO_2玻璃中瑞利散射减小的现象。

关键词： GaAs/AlGaAs   衬底   基片   MBE   激光材料   量子阱材料   外延层   均匀性   双晶衍射   低温光致发光  

摘要： 本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。

关键词： 量子阱材料   MBE   光致发光   激光材料   GaAs/AlGaAs   形貌   发光性能  

摘要： 本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。

关键词： 气体分子   化学位移   电子能级   SnO2   化学传感   键参数函数   电子集居数   电荷迁移   电导率   量子化学  

摘要： 本文应用键参数函数方法、EHMO方法与从头计算方法研究SnO2的传感作用。计算表明,可由气体分子的前线分子轨道能级初步推测SnO2与这些气体作用引起电导率改变的方向。提出NO被SnO2吸附时,NO的O进入晶格氧空位的物理模型,据此理论计算得到吸附后SnO2的禁带加宽,化学位移方向以及电荷迁移都支持了实验观测。指出SnO2化学传感作用本质上是电荷迁移效应。由于电导率改变与晶格氧空位数目等有关,看来定量检测的化学传感器制备是相当困难的,除非能控制晶格氧空位的数目。

关键词： 霍尔效应   InAs   GaAs   HALL效应   磁学   电子能级   超晶格半导体材料  

摘要： 本文简要地综述了超晶格半导体材料GaAs-Al;Ga;As的物理特性及其在激光和大规模集成电路中的应用,评述了整数量子霍尔效应的主要理论。