关键词： 量子输运   电子准经典方程   电场   磁场  

摘要： 分别从周期场中电子准经典运动方程和作者之一最近提出的输运平衡方程出发，分析了二维Ｂｌｏｃｈ电子在电场和磁场作用下的准经典输运，给出了不同电场下电子纵向漂移速度ｖｘ和霍耳漂移速度ｖｙ随磁场的变化趋势．结果显示，ｖｘ和ｖｙ均随磁场连续变化，在任何给定电场下都没有发现纵向漂移速度或霍耳漂移速度随磁感应强度发生突变．这一结论与其他作者的预言相左．分析了造成分歧的可能原因，并指出：在电子准经典运动方程中直接引入阻尼力来描述准经典输运的办法有其局限性．

关键词： 张应变   光荧光谱   量子阱材料   半导体材料  

摘要： 给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。

关键词： 多量子阱   红外探测器   结构设计   分子束外延生长   红外吸收测试   电子态   红外吸收   红外探测器材料  

摘要： 该文描述了GaAs/AlGaAs和AlAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的结构设计、材料的分子束外延生长和红外吸收测试,分析解释了一些与吸收有关的现象.研究人员观察到在GaAs/AlGaAs多量子阱中束缚态到连续态跃迁吸收谱非常窄,其谱宽仅仅是以前报导的十分之一.先前人们把这种宽谱特性旭因于连续态子能级的展宽,从而人们认为要设计一窄响应的多量子阱红外探测器,必须采用束缚态到束缚态的跃迁机制.该文计算指出连续态子能级的展宽的影响很小;而阱宽不一致将使多量子阱子带跃迁探测器响应谱宽大大增加.研究人员设计生长了-GaAs/AlGaAs多量子阱结构,其多量子阱区交替包含厚度稍有差别的GaAs阱,测量结果得到一宽度为阱宽一致时的6倍的吸收谱.所以当阱宽一致时,仍可采用束缚态到连续态跃迁多量子阱结构去获得一窄响应的红外探测器.同时可以交替生长厚度不一致的量子阱获得一宽响应的探测器.该文进一步分析了阱宽起伏对多量子阱电子态和红外吸收的影响.分析表明,阱宽不一致阱中电子更加局域,不但使子带间跃迁吸收谱宽大大增加,而使其吸收峰红移.同时还将导致各量子阱中子带内等离子振荡不能同相,因而子带内等离子振荡从类体模方式变为二维模振荡方式.各量子阱中的等离子振荡振幅将互相抵销,导致吸收很弱,难以观察到.分析结果与他们的实验现象相符,并解释了他们观察的现象与其他一些研究组的报导结果的差异的原因.研究人员组以前加偏振片分析子带间跃迁吸收和平面内等离子振荡吸收时,观察到如下一个奇怪的现象.偏振光沿样品边缘45°斜角入射,偏振矢量平行于入射平面,沿生长方向(z)和阱平面各有二分之一的光强,但测量结果表明子带间吸收增强,平面内等离子振荡吸收消失.该文分析了集体振荡吸收时偏振光在多量子阱中的干涉行为.当发生集体振荡吸收时,电磁波在阱地势垒的界面处全反射.当偏振光45°斜入射时,入射光和反射光在平行阱平面的电场矢量抵销,z方向加强.由此解释了该现象.研究人员用分子束外延技术在GaAs(112)面上生长了X能谷AlAs/AlGaAs直入射多量子阱红外探测器材料.研究人员第一次在非直接带隙AlAs/AlGaAs多量子阱中观察到波长位于8-12μm大气窗口的吸收峰(11.6μm).

关键词： 量子点   激子   量子限制效应  

摘要： 研究了间接带隙材料量子点的量子限制理论,阐明了间接带隙到直接带隙光跃迁性质的转变机理,计算了激子跃迁能和激子结合能,这些理论结果提示了在纳米 Si、Ge 发光过程中的量子限制效应的重要性。

关键词： 夸克   色空间   量子输运方程   QSP   经典输运方程  

摘要： 用Ｓ作为描述夸克自旋的动力学变量建立了它的经典输运方程，并讨论了该方程与量子输运方程的一致性，通过一致性的比较探讨了经典分布函数在色空间和自旋空间的一些特性。

关键词： 有机   电致发光器件   量子化学   CIS   多环芳烃  

摘要： 采用从头算方法（ＲＨＦ／４－３１Ｇ）和半经验方法ＡＭ１，ＰＭ３对几种多环芳烃化合物电致发光（ＥＬ）材料的性质进行了理论研究．并对三联苯作了构象分析，找出能量最低的构象，即两侧苯环分别向里外各扭转４１．６°±０．５°．对各优化后的构型作振动分析，均未出现虚频率．在此基础上，采用ＲＨＦ／ＣＩＳ方法计算其电子光谱，并给出了化合物Ｅ２，Ｅ３电子光谱的波长λ与ＣＩＳ的组态数之间的关系．

关键词： 摇摆曲线   模拟分析   应变量子阱  

摘要： 报告了多薄层异质结构材料的X射线衍射模拟摇摆曲线和压应变、张应变量子阱材料的实测摇摆曲线;指出了计算机模拟分析实测摇摆曲线是精确求得失配率、量子阱周期的科学方法;分析和讨论了与失配率、量子阱周期有关的简单计算公式的适用性。

关键词： 磁光材料   磁光记录   磁光频谱   法拉第效应  

摘要： 从量子角度分析了Ｂｉ３＋离子替代对紫蓝磁光材料法拉第效应的影响，研究了ＤｙＩＧ（镝铁石榴石）材料的磁光频谱特性，结果表明ＤｙＩＧ材料在３５０ｍｍ和５５０ｎｍ有两个磁光极大峰值，这极有利于短波高密度磁光记录。

ISBN: (纸本)7040058073