关键词： 多量子阱激光器   分子束外延   光荧光谱   X射线双晶衍射  

摘要： 该论文通过对分子束外延生长动力学的理论分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的外延片的结构进行优化设计,分析了影响ME生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料质量的各种因素,采用MBE法生长了一系列GaAs/AlGaAs多量子阱结构的激光器材料,实验中利用X射线双晶衍射仪、光荧光谱你及电化学C-V测试仪有针对性地对两个典型材料进行了测试分析,通过双晶回摆曲线中干涉条纹及峰劈裂现象以及PL谱中深能级来源的研究,探讨了样品的发光特性和结构特性之间的关系,最后研制出高功率GaAs/AlGaAs多量子阱激光器.

关键词： 铁电体   半导体   复合薄膜   量子点   溶胶凝胶  

摘要： 该论文研究了一类新型纳米复合材料-铁电体-半导体量子点复合材料的溶胶-凝胶(Sol-gel)制备工艺,成功地制备出具有钙钛矿结构铁电体钛酸钡和纳米四方硫化镉两相的薄膜复合材料.用XRD、TG-DTA研究了复合材料的结晶过程;用SEM、TEM、Raman光谱等手段研究了薄膜的显微结构;用荧光光谱和吸收光谱研究了复合薄膜的光学性质.

关键词： Z扫描   a-Si/SiO2   多量子阱   光学非线性  

摘要： 利用Ｚ扫描法和波长为０．５３ μｍ 、脉宽为１０ ｎｓ的调Ｑ－Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器测量了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２ 多量子阱材料的三阶非线性折射率。

关键词： 共振隧穿二极管   量子输运   纳米电子学  

摘要： 简要评述共振隧穿二极管（ＲＴＤ）器件研究进展。重点探讨以下问题：为什么ＲＴＤ研究经久不衰？器件理论模型达到何等水平？器件特性、结构和材料方面有哪些关键？围绕这些问题，介绍了有关基本概念，对ＲＴＤ器件物理模型和特性近来的研究成果和前景进行了分析，并提要性地和同类的其它量子器件作了比较。

关键词： 多量子阱   光致发光   半导体   砷化镓   镓铝砷化合物  

摘要： 采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１，１２０２０ｃｍ－１，１２２４０ｃｍ－１，１２５５０ｃｍ－１和１３０７０ｃｍ－１。

关键词： 激光器材料   二氧化硅   磷化铟   量子阱  

摘要： 我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2 覆盖的样品经 80 0℃ ,30 s快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 7nm,退火时有 Si O2 覆盖的样品经过同样的快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 56nm.即在同一片子上实现了在需要量子阱混合的区域带隙的“蓝移”足够大的同时 ,不希望量子阱混合的区域能带结构的变化创记录的小 .本文认为增大量子阱的宽度、采用无应力的量子阱结构以及引入足够厚的缓冲层可以改善量子阱材料的晶格质量 ,有利于提高量子阱混合技术的可靠性与重复性 ,改善量子阱材料的热稳定性 .

关键词： 输运理论   量子效应   夸克-胶子   等离子体  

摘要： 在普遍量子情形下，建立了协变Ｗｉｇｎｅｒ函数的能量矩的等时动力论链和链的截断方案，得到了与低阶矩相关的物理密度量的输运方程和约束方程，并且证明高阶矩都能通过低阶矩表示．

关键词： 光致变色材料   俘精酸酐   AM1   量子化学  

摘要： 用AM1对呋喃基取代的六种俘精酸酐类分子开环体、闭环体基态与激发态的结构进行了优化,所得俘精酸酐1的开环体基态平衡几何结构与已有的实验结果一致.计算结果能较好地解释俘精酸酐的热稳定性和光致变色性能,对取代基对俘精酸酐结构的影响取得了一些新的认识.根据俘精酸酐1开环体上各碳原子的净电荷密度,讨论了它的^(13)CNMR波谱.

关键词： 分子束外延   量子点   电子显微镜   TEM   砷化铟  

摘要： 报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论．结果表明：多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着InAs量子点层数的增加，量子点的密度下降，其尺寸随层数的增加趋向均匀．在试验条件下，5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理，其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成．

关键词： 超导隧道结   S波   磁散射   微分电导   铁磁绝缘层  

摘要： 】在正常金属铁磁绝缘层Ｓ波超导隧道结中，考虑到铁磁层的磁散射和粗糙界面散射，运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ－ｄｅ－Ｇｅｎｎｅｓ（ＢｄＧ）方程和Ｂｌｏｎｄｅｒ－Ｔｉｎｋｈａｍ－Ｋｌａｐｗｉｊｋ（ＢＴＫ）理论模型，计算隧道结中的准粒子输运系数和微分电导。计算表明：（１）粗糙界面散射和磁散射都能使能隙电导峰变低、零能凹陷升高，随着两散射逐渐增强，还可使能隙峰变为凹陷，零能凹陷变为宽峰；（２）当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时，隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰。