关键词： 半导体器件   量子阱   超晶格   材料  

摘要： 本文回顾了超晶格概念的提出及材料制备技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。文末概述了作者在量子阱超晶格材料的设计与性能预测方面进行的一些工作。

关键词： GaAs   GaA1As   多量子阱   折射率   色散  

摘要： 本文提供了一种在GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)材料的直接带边附近折射率参数色散关系的获得方法。其特点是在多层介质膜系统中用光学传递矩阵对MQW进行处理的基础上引入室温激子振荡因子,然后对材料的实验反射谱进行拟合。这种色散关系对于光电器件设计及其理论期望来讲是十分重要的。这种方法除能得到折射率实部与虚部的色散关系外,还可得到激子共振吸收谱。

关键词： 量子阱   能带混和   能隙材料  

摘要： 本文使用单带双谷理论研究了直接/间接能隙量子阱中的能带混和现象.研究了量子阱中的束缚态随合金组分和液体静压力变化的关系.讨论了由第Ⅰ类超晶格向第Ⅱ类超晶格的转变.最后论述了这些状态转换的意义及单带双谷理论的有效性.

关键词： 三类高   材料结构   性能关系  

关键词： 超导材料   超导机量   量子化学计算  

摘要： 本文综述了近年来发现的金属有机电子供受络合物和高分子聚合物这两类六种固体有机高分子超导材料的结构特征,以及某些化合物的合成方法。并对超导机理和超导临界转化温度(Tc)进行了量子化学计算。并认为只要能找到合理解释超导现象的理论模型,有机高分子超导材料将会有飞速的发展。

关键词： 多体效应   量子输运   空穴   体系  

摘要： In the last decade, intensive studies both theoretical and experimental have been devoted to the understanding of electronic transport properties in disordered electron systems. As is well known, diffusive natures of electron motions in weakly localized regime are responsible for both localization effects and interaction effects. It turns out that perturbation theories based on the localizations or interactions predict similar

关键词： 半导体   碲   汞   镉   量子输送特性   氦  

摘要： 在0.3～4.2K温度范围,观察到N-型碲镉汞的磁场诱发的金属-绝缘体转变,报道了纵向磁阻在很低的磁场下激活.讨论了纵向磁阻和横向磁阻的各向异性和反常“霍尔系数下凹”区的行为.

关键词： 二维空穴   量子输运特性   异质结  

摘要： 本文研究了利用分子束外延技术(MBE)生长的GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结构中的二维空穴的整数量子Hall效应(IQHE)、以及空穴复杂子带结构对IQHE的影响;讨论了在弱磁场区产生反常正磁阻效应的量子机理,指出两种载流子经典磁阻理论不能解释这一效应.

关键词： 极化声子   玻璃   瑞利散射  

摘要： 本文利用格林函数和图展开方法,提出了无序材料(如玻璃)中的电磁耦合场量子理论,并由此计算和分析了SiO和GeO玻璃中光的瑞利散射及各种无序对散射贡献的大小,证实了虚温度近似中关于玻璃的瑞利散射主要起源于原子密度无序涨落的假设.本文仔细地考虑了电磁耦合场量子色散对瑞利散射损耗的影响.计算表明:对SiO和GeO玻璃,在最小损耗波长,由色散引起的偏离瑞利散射λ规律的相对误差分别为20%和11%.