关键词： 红外探测器   量子阱   材料   红外器件  

摘要： 介绍了近年来迅速发展的8～12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件以及HgTe-CdTe超晶格材料的简单原理、特点及国外最新动态。预计在90年代它们将与HgCdTe材料和器件同样受到人们的关注与重视。

关键词： 量子窄区   串联   绝热输运   欧姆输运  

摘要： 利用Landauer公式的多通道推广形式,研究了两个不相等的量子窄区在串联情形下的绝热输运和欧姆输运。这两个窄区以一个密闭的空腔相连接,计算结果表明绝热输运导致窄区电阻的非相加性,而非绝热输运服从欧姆相加规则。这与实验定性一致。

关键词： InGaAs/GaAs   量子阱   调制光谱  

摘要： 我们采用光调制透射方法从In_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱样品测量了调制透射谱,得到了InGaAs量子阱中激子的清晰的调制结构.由电场调制原理对调制透射谱进行拟合,得到了激子的跃迁能量.结果与其他测量以及理论计算结果有较好的一致.

关键词： 半导材料   量子阱   超晶格  

摘要： 本文介绍了用MBE技术制作半导体超晶格和量子阱材料的进展,以及在高速电子器件和光学器件方面的应用。

关键词： 半导体激光器   研究所   半导体光激射器   金属材料   量子化   量子论   日本  

摘要： 据日本《O Plus E》杂志1991年第136期报道,日本科学技术厅金属材料技术研究所利用量子阱开发高性能半导体激光器.从下年度五年计划开始.该研究所采用独创的液滴外延法制作化合物半导体的超微晶体,使电子处在这种立体空间内,目标是实现振荡频率很低的相干半导体激光器.新一代电子器件是一种量子化功能器件,在超高速、大容量的信息通信中是不可缺少的,其目标是实现先进的相干光通信.

关键词： 量子窄区串联   绝热输运   欧姆输运  

关键词： 介观系统   量子相干性   输运  

摘要： 本文综合介绍近几年来，在研究“介观”系统（ｍｅｓｏｓｃｏｐｉｃ　ｓｙｓｔｅｍｓ）中电子的输运现象时所观察到的量子干涉效应．含有无序的散射中心的金属细线或小环，半导体二维电子气中量子点接触结构，一维量子线，以及双联通的微结构等，都属于“介观”系统，其电子的相泣相干长度Ｌφ可以与系统的结构尺度相比较，电子波的量子干涉现象变得十分显著和重要。本文着重介绍金属和半导体异质结中Ａｂａｒｏｎ－ｏｖ－Ｂｏｈｍ效应、金属细线中电导的量子相干涨落现象和电导的非定域性．

关键词： GaAs/AlGaAs   量子阱   运输特性  

摘要： 本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。

关键词： 量子阱材料   电子显微镜   光致发光  

摘要： 对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材料的结构质量对其光电性能有一定影响。另外,也观察到分子束外延对改进异质结界面的平整度有明显作用。

关键词： 半导体   微结构   量子   弹道式   输运  

摘要： 半导体微结构的尺度可以与电子的相位相干长度相比较，在输运过程中，电子保持“相位记忆”，表现为量子弹道式输运和具有量子相干性．本文着重介绍在零磁场和磁场下，量子点接触微结构中的电子的量子弹道输运过程和电导呈现量子化现象．