关键词： ELECTRONS   MAGNETIC properties   HUBBARD model  

摘要： With the aid of the Hubbard model, and considering orbital degeneracies, we investigate how the magnetic properties of atom-size bridges affect the quantum transport of electrons through them. Within the Hartree-Fock approximation, we calculate the corresponding total energy of the electron system of the atom-size bridge as it is stretched in length. Our numerical results show that stretching the atom-size bridge induces changes in its magnetic state, from paramagnetic to ferromagnetic, and also vice versa. Furthermore, the corresponding conductance variation of the atom-size bridge is demonstrated. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)09617-1].

关键词： photonic integration   quantum well intermixing   semiconductor junction laser  

摘要： A useful development of the sputtered SiO2 intermixing technique is reported, which uses a single stage of sputtered SiO2 deposition and annealing to achieve precise tuning of the bandgap energy in the InGaAs-AlInGaAs material system. The blue shift of photoluminescence spectra can be varied in the range of 0-160 nm, Bandgap-tuned lasers were integrated on a single chip using this technique to assess the post-processed material characteristics and demonstrate its application in optoelectronic integration.

关键词： 弹道输运   量子线   二维电子气  

摘要： 利用一般传输矩阵方法 (Transfer matrix method)和耦合模传输矩阵方法 (Coupledmode transfer matrix method) ,分别计算了几种处于弹道区的非均匀边界形状量子线的电导 ,研究量子线通道相邻分段区域电子传输模式之间的耦合对电导的影响。结果表明 ,这种耦合对空腔结构量子线电子输运性质有重要影响 ,是研究非均匀边界形状量子线电导必须考虑的关键因素。

关键词： 含氮芳烃化合物   电子光谱   量子化学  

摘要： 采用量子化学半经验方法RHF/AM1,对 3种含氮芳烃化合物电致发光材料 (EL)的性质进行了理论研究 .对 3种化合物优化后的构型作振动分析 ,均未出现虚频率 .在此基础上 ,采用RHF/CIS方法计算了电子光谱 ,计算结果与实验值基本吻合 .

关键词： 量子点   空间有序   量子点激光器   InAs/GaAs  

摘要： 利用分子束外延技术和Stranski_Krastanow生长模式 ,系统研究了In(Ga)As GaAs,InAlAs AlGaAs GaAs,In(Ga)As InAlAs InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .通过调节实验条件 ,可以对量子点的空间排列及有序性进行控制 ,并实现了InP衬底上量子点向量子线的渡越 .研制出激射波长λ =96 0nm ,条宽 1 0 0 μm ,腔长 80 0 μm的InAs GaAs量子点激光器 ,室温连续输出功率大于 1W ,室温阈值电流密度 2 1 8A cm2 ,0 .5 3W室温连续工作寿命超过 30 0 0h .

关键词： EL材料   RHF/CIS方法   电子光谱   芳香胺化合物  

摘要： 几种芳香胺类化合物E－12、E－13、E－14和E－15均为性能良好的有机电致发光（EL）和光致发光（PL）材料。采用量子化学计算方法，用RHF／AM1方法优化其构型，用RHF／CIS方法计算其电子光谱，计算结果与实验值基本吻合。

关键词： 含氮芳烃化合物   EL材料   量子化学  

摘要： 采用量子化学半经验方法PM 3对几种含氮芳烃电致发光材料 (EL)的性质进行了理论研究 ,对化合物FL - 7,作了构象分析 ,找到了能量最低的构象。对各化合物优化后的构型作振动分析 ,均未出现虚频率 ,在此基础上 ,采用CIS方法计算电子光谱 ,并给出了 4种化合物FL - 4 ,FL - 7,FL - 10 ,FL - 12的荧光光谱。所有计算结果与实验值基本吻合。

关键词： 介观   自旋极化电子输运   非平衡格林函数   量子点  

摘要： 该文用平衡格林函数方法,研究了量子点内电子-电子相互作用对介观铁磁-绝缘层-量子点-绝缘层-铁磁体系的自旋极化电子输运的影响.针对量子点内库仑相互作用的弱与强两种情形,导出了通过上述体系的稳态电流的普遍公式,该公式可适用于左右铁磁电极(或导线)有任意磁化方向及任意有限偏压的情形,不仅可应用于线性输运区,也可应用于非线性输运区.在共振电流峰中,这两部分电流的贡献是不同的.尽管铁磁导线的磁化方向及强度是由自旋向上和自旋向下的电子总数决定,但是电流峰的性质主要是由费米面附近的特定自旋的电子的数密度决定.在强度不同的库仑相互作用下,不仅电流峰的性质不同,而且量子点内能级上电子的平均占据数的性质也不同.研究人员还考虑了在量子点的区域有磁场的情况下的自旋极化电子输运.研究表明,强、弱相互作用的输运性质是不同的.

关键词： 量子阱混合   InGaAs/InGaAsP   离入注入   激光器  

摘要： 为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激光器结构，在700oC下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大，并且能量比剂量对蓝移的影响更大。

关键词： 量子阱材料   辐照   深能级陷阱   缺陷  

摘要： Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器件在空间技术中应用的稳定性 ,由于人造卫星运行所穿透的宇宙范·艾伦辐射带中核辐射主要来自电子束及质子束 ,因此本工作以电子、质子辐照为主研究其引入的深能级缺陷。采用传统的分子束外延 (MBE)方法在GaAs衬底上生长具有量子阱的AlGaAs/GaAs材料 ,包括单量子阱(SQW )和多量子阱 (MQW )样品。用静电加速器对样品进行电子束辐照实验 ,电子束能范围为 0 .4～ 1.8MeV ,注量为 1× 10 13～ 1× 10 16 cm- 2 。用高压倍加器进行质子束辐照 ,质子束能量范围为 2 0～ 130MeV ,注量为 1× 10 11～ 1× 10 14 cm- 2 。为进行深能级瞬态谱 (DLTS)的测量 ,以样品n+ GaAs衬底上的铟作为欧姆接触 ,在样品正面蒸上50 0 μm左右的金点作为肖特基势垒 ,使用IBMPC计算机作为数据采集和处理系统的匈牙利Semitrap公司生产的高灵敏度锁相深能级瞬态谱仪DLS 82F进行DLTS测试 ,测量灵敏度为△C/C～ 10 - 5,测量的温度范围为 77～380K ,采用温度和频率扫描二种途径并通过Arrheninsplots验证有关深能级位置 ,而能级的俘获截面则通过改变样品上所加的脉冲宽度来获得。辐照前后的样品均经过深能级?