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专题定制
- InGaAs/InP体材料和量子阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析
- 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 北京 100083
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- InGaAs(P)/InP应变量子阱能带计算和有源区材料的选择
- 吉林大学 集成光电子学联合国家重点实验室 吉林 长春
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- 标量电动力学的量子输运理论
- 上饶师专物理系
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来源
国家哲学社会科学学术...
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- 一种用于光—电能量转换材料的谐振式量子阱阶模型
- 中国科学院电子学研究所 100080航天部203所 中国科学院技术科学部
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来源
维普期刊服务平台
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- 表面环境对量子限域材料非线性光学性质的影响
- 吉林大学物理系 长春130023吉林大学化学系 长春130023
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来源
维普期刊服务平台
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- 共振受主态在零禁带Hg_(1-x)Mn_xTe磁量子输运中的影响
- 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 上海200083
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- 准周期耦合量子点的输运性质
- 上海交通大学应用物理系 同济大学固体物理研究所 理论物理中心(CCAST) 中国科学院材料物理中心北京100080
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