关键词： 半导体材料   量子阱材料   调制光谱  

摘要： 本文采用光调制光谱方法测量了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs双单量子阱材料的光调制反射光谱(PR),同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁,采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量,与简单的有限方势阱模型的计算结果符合。并且由调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡,计算得到材料表面内建电场约为29.3kV/cm。

关键词： 夸克   输运方程   量子色动力学  

摘要： 在本文,我们推导出了夸克的一般性量子输运方程和限制方程,并讨论了理论的半经典和经典极限情况。

关键词： 永久性   光谱烧孔   量子效率  

摘要： 分析了永久性光谱烧孔(PHB)材料成孔量子效率的测量原理,建立了相应的测试方法和装置.在液氦温度(4.2K)下对聚合物基质PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)中掺杂5,10,15,20-四-对羟基苯基卟吩(THP)体系的成孔量子效率进行了测量计算.

关键词： 纳米复合材料   量子尺寸效应  

摘要： 1 引言随着高新技术的发展,光电子学对非线性光学材料的需要愈来愈迫切。自从日本物理学家久保亮五首次提出金属纳米粒子的“Kubo效应”以来,纳米材料的研究异常活跃。纳米材料的研究已从金属粒子扩展到金属氧化物、极性化合物和半导体等。纳米复合材料提供了一种最容易的方式来研究低维量子阱材料(量子点、量子线等)。0—3nm复合材料就是将0维的量子点分散在3维的基体里面。3维的基体有玻璃、聚合物。

关键词： 容许跃迁   禁戒跃迁   激子   量子阱  

摘要： 用光调制透射和电调制透射两种方法研究了In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱中激子的带间跃迁,对晶格匹配的(x=0.53)或有应力的(x=0.6)宽阱材料(L_x=250(?))和窄阱材料(L_x=50(?))等四类样品的跃迁能量和展宽参数做了系统研究,实验结果与用一个有限高的方势阱模型的计算结果符合甚好.根据展宽参数与量子数n的关系,还估算出材料界面的不平整度δ_t(?)6.2(?).当对样品施加直流反偏压时,除允许跃迁外,还观察到激子的禁戒跃迁及其随电场增加的“红移”现象(QCSE效应),最大红移为20meV,所对应的场强为45kV/cm.

关键词： 超晶格红外探测材料   量子阱器件   长波红外探测器   红外热电子晶体管  

摘要： 超晶格材料与量子阱器件的发展提供了一条实现8～12μm红外探测的新途径,作者曾介绍过GaAs-GaAlAs n型光导多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件及HgTe-CdTe超晶格材料,本文将补充GaAs-GaAlAs p型光导多量子阱和光伏(或称Kastalsky)型红外探测器;以GaAs或InGaAs为基极的红外热电子晶体管(IHET);Ga_(1-x)Al_xSb-AlSb超晶格材料和Ge_xSi_(1-x)-Si量子阱材料与内光电子发射红外探测器。这些都是目前研制长波红外材料与器件的热点。

关键词： 应变   能带结构算法   光纤通信   材料  

摘要： 本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张应变情况下,利用InGaAs做有源区较为合适。

关键词： 磁性合金   电导   量子输运  

摘要： 利用推广的自洽迭代递归方法,精确求解了具有s-d交换相互作用系统的磁场顶角函数;计算了Kondo电导张量.发现,经过顶角函数的高级修正后,电导张量缩小到无高级修正值的1/(1+h~2).