关键词： 半导体量子结构   硅基光电子材料   纳米硅/氧超晶格   硅纳米晶   电子态理论   设计  

摘要： 评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于 Si基光电子材料设计方面的重要进展 .着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望 .最近关于 Si纳米晶光增益和纳米硅 /氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义 .对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于 Si/ O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道 .这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破 .

关键词： 半导体激光器   量子阱混合   波长蓝移   InGaAs/InGaAsP   光致发光谱  

摘要： 为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移 989nm .蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大 ,并且能量比注量对蓝移的影响更大 .

关键词： 离子注入   退火   InGaAs/InGaAsP   量子阱   带隙蓝移  

摘要： 随着半导体晶体生长技术的发展,目前已经能够生长出高质量的量子阱材料.近些年来,基于量子理论的光电子器件也得到了迅速发展,正在成为一个比较活跃的研究课题.人们在考虑到光电集成时,希望能在一个单片的各个区域实现能带宽度选择性调节.该文为了制作\"与偏振无关、低传输损耗的光开关器件\"而研究的\"利用离子注入实现量子阱材料带隙蓝移\"实验方法正是解决这个问题的方法之一.

摘要： Ground rules defining design of triboluminescent (TL) materials are currently missing, in part since the triboluminescent efficiency is the product of the efficiency of excited-state formation and the efficiency of radiative relaxation from these excited-states. In order to de-couple these two processes, we have measured, for the first time, the solid-state photoluminescent quantum yield of various triboluminescent materials. The measurements highlighted: (i) some triboluminescent materials possess near-optimised radiative yields;(ii) structurally similar triboluminescent compounds can exhibit widely varying yields and (iii) some triboluminescent materials, which appear to the eye as reasonably efficient, possess low radiative yields, allowing possible triboluminescent enhancement. (C) 2001 Published by Elsevier Science B.V.

关键词： MBE生长   GaAlAs/GaAs量子阱激光器   分子束外延   双晶衍射  

摘要： 本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。

关键词： 砷化镓   半导体材料   量子线  

摘要： 综述了半导体量子线材料的最新动态和发展趋势。

关键词： 量子束缚态   共振隧穿   Y型量子线   电子弹道   输运性质  

摘要： 对有限长 Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算 .该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连 ,当施加一偏压时 ,量子通道分别可作为电子的发射极和收集极 .采用了转移矩阵方法和截断近似技术 .计算结果表明 ,当结构对于 x轴对称时 ,在入射电子的能量小于量子结构的第一个横向本征模时 ,电导存在着两个峰 ;当结构对于 x轴不对称时 ,电导则存在着三个峰 .进一步分析表明 ,这些峰来自于电子共振隧穿量子结构中的量子束缚态 .该结构对于经典粒子来说是非束缚体系 .当结构对于 x轴对称时 ,较高能级是双重简并的 ,而当结构对于 x轴不对称时 。

关键词： InAlAs/AlGaAs量子点材料   InAlAs/AlGaAs红光量子点激光器   生长机理   光学特性  

摘要： 由于量子点结构独特的光电特性,对应变自组织量子点材料生长、物理性质及器件应用的研究是目前世界上最前沿的课题之一.该论文利用MBE技术制备了高质量的GaAs基InAs和InAlAs/AlGaAs量子点材料,通过原子力显微镜、光致发光亦和透射电子显微镜等实验手段系统、深入地研究了量子眯的光学特性和生长机理,并且成功地研制了InAlAs/AlGaAs红光量子点激光器,取得了一些有意义的结果.

关键词： 酸酶变色记录材料   五甲氧基红   量子产率   光敏剂  

摘要： 本文研究了由偏二氯乙烯 丙烯酸甲酯共聚合物 (VdCl2 MA)和五甲氧基红指示剂组成的酸敏变色记录材料的光谱特性 ,测定了其光分解量子产率 .通过添加光敏剂使原来只有在 2 54nm紫外光下曝光才能发生光分解反应的酸敏变色材料在 365nm紫外光下曝光也可发生光分解而变色 .酸敏变色材料在 2 54nm处紫外光曝光量子产率为 0 .0 32 -0 .0 2 0 ;在 365nm处紫外光曝光量子产率为 0 .1 1 0 -0 .0 34 .光敏剂的加入使酸敏变色材料量子产率提高了 2 -4倍 .

关键词： 自组织生长   量子点   量子线  

摘要： 综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。