关键词： 可见光激光器   分子束外延   气态源  

摘要： 我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．

关键词： 量子线   声子模   热电子输运   半导体  

摘要： 采用当今的半导体亚微结构工艺,人们不仅能够制造一个维度方向约束的量子阱二维电子系统,而且能够制造出各种截面形状、尺寸极小的具有二个维度约束的量子线一维电子系统。当系统的横向约束小于电子的平均自由程时,电子能带将在约束方向分裂并形成分立的子带;如果系统的横向约束可与主要的光学声子波长相比拟,体光学声子模被同时约束并分成限制声子模和表面声子模。这种声子限制效应将影响电-声子相互作用的强度或散射几率,并预计当约束尺寸小于10nm时会对电子的高温或高场输运性质产生修正。

关键词： 分子束外延   量子阱激光器   激光材料  

摘要： 采用ＶａｒｉａｎＧｅｎⅡＭＢＥ生长系统研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阶（ＳＳＱＷ）激光器结构材料。通过ＭＢＥ生长实验，探索了Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ｔＡｓ／ＧａＡｓＳＳＱＷ激光器发射波长（λ）与Ｉｎ组分（ｘ）和阱宽（Ｌ＿ｚ）的关系，并与理论计算作了比较，两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响，主要包括：Ⅴ／Ⅲ束流比，量子阱结构的生长温度Ｔ＿ｇ（ＱＷ），生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础，通过优化器件结构和ＭＢＥ生长条件，获得了性能优异的Ｉｎ＿（０．２）Ｇａ＿（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阱激光器：其次长为９６３ｎｍ，阈值电流密度为１３５Ａ／ｃｍ￣２，微分量子效率为３５．１％。

关键词： SiGe/Si   量子阱   激子   发光谱  

摘要： 在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确．

关键词： 自旋玻璃   磁性材料   量子输运方程  

摘要： 通过引入电子的弹性散射和非弹性散射的自能和相应的物理格林函数，将磁场中的Ｍａｈａｎ－Ｈｎｓｃｈ量子输运方程推广到自旋玻璃系统中，在电子的近弹性散射近似下，求解了ｓ－ｄ交换相互作用导致的自旋玻璃态霍耳电导；获得了电阻率与自旋玻璃Ｅｄｗａｒｄｓ－Ａｎｄｅｒｓｏｎ（ＥＡ）序参数和局域磁化率之间的关系；讨论了自旋玻璃热电势和特征温度。

关键词： 多量子阱   磁量子输运   砷化镓  

摘要： 使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阶结构．在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化．在０．３～４．２Ｋ（３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻．观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡．根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中磁致金属一绝缘体转变的实验条件．

关键词： 红外探测器   GaAs/AlGaAs   量子阱  

摘要： 本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长出了大面积（２英寸）均匀（厚度△ｔ＿ｍａｘ／≤３％，组分△　ｘ＿ｍａｘ／ｘ≤３．４％，掺杂浓度△ｎｍａｘ／ｎ≤３％，椭圆缺陷≤３００ｃｍ－２）的外延材料．分析了暗电流的成因，通过加厚势垒（Ｌｂ≥３００）、控制掺杂（ｎ≤１×１０￣１８ｃｍ￣３）、精确设计子带结构，将暗电流降低了几个数量级，同时使电子的输运得到了改善．由此得到了高质量的多量子阶红外探测器材料．

关键词： 胶子   输运方程   量子输运理论   夸克  

摘要： 本文推导出了胶子的一般性量子输运方程和限制方程,并讨论了理论的半经典和经典极限情况。

关键词： MOVPE   量子阱   半导体   光子发光  

摘要： 报导了LP-MOVPE InGaAsP/InP体材料和量子阱的生长.生长的与InP匹配的1.55μm波长的InGaAsP材料,在77K时光荧光半峰宽达18.7meV,InGaAsP/InP量子阱的半峰宽为18.0meV.