关键词： InGaAs/InP   量子阱   InP可见光   激光器   结构材料   GSMBE生长  

关键词： 激光材料   量子阱材料   砷化镓   砷化镓铝  

摘要： 采用进口分子束外延设备（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。在理论分析和实验总结的基础上，对材料结构进行了优化，增加了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层来进行缺陷抑制，并在外延时精确地控制生长，这样获得的量子阱材料通过Ｘ射线双晶衍射和Ｃ－Ｖ测量表明：得到的材料性能优良，为新型光电器件的创作和进一步的材料研究打下了基础。

关键词： X射线双晶衍射   多量子阱   硒化镉  

摘要： 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别．

关键词： 光学性质   半导体   纳米结构   量子限制   零维结构  

摘要： 本文在描述量子箱（点）的模型化和箱中受限激子的基础上，着重讨论了量子箱的光学性质和共振隧道效应。

关键词： 硅源   杂质   量子阱   发光   锗源  

摘要： 发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子附带过激子发光的主要因素．研究了在低阻衬底上外延、在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光．

关键词： GaInAsP/InP   磷化铟   GSMBE法   生长   激光器   量子阱  

摘要： 本文报道通过在位组分调整，配合Ｘ射线双晶衍射测试和光致发光测试，生长了与ＩｎＰ精确匹配的ＧａＩｎＡｓＰ（失配度达４×１０－４）．生长了ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构的光致发光半峰宽达５．７２ｍｅＶ．实验表明源炉挡板开启后生长速率是不均匀的，这对生长量子阶和ＤＢＲ结构是个值得注意的问题，经考虑生长速率变化后生长的面发射激光器结构样片的反射率谱与理论计算的结果很好地相符．

关键词： 超长波长锑化物   半导体激光器   量子阱材料   理论计算   生长制备   材料特性  

摘要： 该论文在研制超长波长锑化物半导体激光器的应用背景下,对InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料进行了理论计算、生长制备和材料特性进行了研究.

关键词： 分子束外延   量子阱   硅   发光材料   反常沟道效应  

摘要： 采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．

关键词： 量子点   复合材料   半导体材料  

关键词： 量子阱   量子势垒   砷化镓   铝   MOCVD   激光器材料  

摘要： 用ＭＯＣＶＤ生长发射波长为８０８ｎｍ的ＡＬＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒（ＭＱＢ）层，有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外，从而降低了激光器的阈值电流，提高了它的特征温度。增加了ＭＱＢ后，器件的阈值电流密度Ｉ＿（ｔｈ）从原来的４００～６００Ａ／ｃｍ￣２下降到３００～４００Ａ／ｃｍ￣２，特征温度从１６０Ｋ提高到２１０Ｋ。