关键词： 量子阱材料   光学性质   质子辐照   GaAs   AlGaAs  

摘要： 用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１０１１～１０１３／ｃｍ ２ 的质子和固定剂量为１×１０１１／ｃｍ ２，能量为３０～１００ｋｅＶ 的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论．结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的．相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大．相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏反而减小．

关键词： 量子阱   InGaAsP   四元系材料   半导体   热稳定性  

摘要： 对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了一系列热稳定性能的研究，通过光荧光谱（ＰＬ）的测量发现：ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料在６５０ ℃以上的常规退火条件下有量子阱混合现象产生，而单量子阱结构较多量子阱或超晶格结构更容易产生量子阱混合．对单量子阱片进行快速退火处理后，荧光峰位置、峰宽无明显变化，表明量子阱混合的产生除了依赖于退火温度的高低，也与退火时间的长短密切相关．

关键词： 半导体量子点   铁电体   纳米   复合材料   制备   性质  

摘要： 铁电体基纳米复合材料作为一类新型功能材料，提供了一系列“高介－高场”调制的介观系统．文章介绍了这一领域的最新研究进展，并重点报道了一类新型铁电体基纳米复合材料———铁电体半导体量子点复合材料的制备与光学性质。

关键词： 量子化学   CIS   电子光谱   稠环芳烃   电致发光材料  

摘要： 采用量子化学半经验方法（ＲＨＦ／ＰＭ３）对几种稠环芳烃化合物电致发光（ＥＬ）材料的性质进行了理论研究。利用能量梯度法优化构型，对各优化的构型作振动分析，均未出现虚频率。在此基础上，采用ＲＨＦ／ＣＩＳ方法计算其电子光谱。并给出了化合物ＥＬ１，ＥＬ２电子光谱的最大波长λ与ＣＩＳ组态之间的关系。所有计算结果与实验值基本吻合。

关键词： 铁电体   半导体   复合薄膜   量子点   溶胶凝胶  

摘要： 该论文研究了一类新型纳米复合材料-铁电体-半导体量子点复合材料的溶胶-凝胶(Sol-gel)制备工艺,成功地制备出具有钙钛矿结构铁电体钛酸钡和纳米四方硫化镉两相的薄膜复合材料.用XRD、TG-DTA研究了复合材料的结晶过程;用SEM、TEM、Raman光谱等手段研究了薄膜的显微结构;用荧光光谱和吸收光谱研究了复合薄膜的光学性质.

关键词： 多量子阱   硅   光致发光   二氧化硅   半导体  

摘要： 近年来硅发光已成为理论和材料研究的一个新热点，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料就是人们研制出的一种新的量子结构．有关理论表明，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱中硅层（阱层）的电子和空穴都受到很强的量子限制效应，硅层能带有可能由体硅的间接带隙转变为准直接带隙，该量子阱材料有可能具有较强的光致发光特性．在７７Ｋ温度下实验，观察到ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料的光致发光，光致发光锋的半峰宽（ＦＷＨＭ）为１０ｎｍ．将其与同温度下的纳米硅薄膜的光致发光进行了对比，发现前者的光致发光峰的半峰宽较窄．

关键词： 碲镉汞   经典输运   量子输运  

摘要： 简要介绍本实验室关于Ｈｇ(１－ｘ)ＣｄxＴｅ的经典输运和量子输运行为的研究。

关键词： MBE技术   生长条件   InAlAs/AlGaAs量子点材料   变温光致发光谱  

摘要： 该工作利用MBE技术制备了高质量的InAlAs/AlGaAs量子点材料,并对其生长条件、结构和光学性质进行了系统的研究,取得的主要如果如下:(1)通过在GaAs(001)衬底上InAlAs/AlGaAs量子点材料的生长研究,得到了临界厚度与InAlAs中In组份、生长温度以及AlGaAs 中A1组份的关系曲线;在实验中首次观察到界面张量对应变异质外延临界厚度的影响;(2) 首次对GaAs高指数面衬底上外延生长的InAlAs自组织量子点进行了研究,并在(311)B GaAs 衬底上获得了排列有序且发光效率很高的InAlAs红光量子点;(3)发现在GaAs(001)衬底上InAlAs量子点的光致发光谱存在明显的双峰结构,其AFM测试结果表明,量子点的横向尺寸也 出现双模分布;(4)首次在实验上观察到在自组织量子点中量子限制作用诱导的г-X转变; (5)提出采用应力诱导自组织量子点的有序拉长形成无位错的纳米量子线的新方法;(6)测量了多层In<,0.55>Al<,0.45>As/Al<,0.5>Ga<,0.5>As量子点的变温光致发光谱,同时观察到 来自浸润层和量子点的发光,并对其发光行为进行了系统地分析研究.

关键词： 超导隧道结   高压   超导物理   磁散射   量子输运  

摘要： 在正常金属铁磁绝缘层ｄ 波超导隧道结中，考虑到铁磁绝缘层的粗糙界面散射和磁散射效应，运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖｄｅ Ｇｅｎｎｅｓ（ＢｄＧ） 方程和ＢｌｏｎｄｅｒＴｉｎｋｈａｍｋｌａｐｗｉｊｋ（ＢＴｋ） 理论模型，计算隧道结中的准粒子传输系数和微分电导．计算表明：１） 粗糙界面散射和磁散射都能压低零偏压电导峰，其中磁散射能使零偏压峰滑移，而粗糙界面却能阻止零偏压峰的滑移，且随着两种散射强度的逐渐增大，又能使零偏压电导峰渐渐变为凹陷；（２） 当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时。

关键词： 多量子阱激光器   分子束外延   光荧光谱   X射线双晶衍射  

摘要： 该论文通过对分子束外延生长动力学的理论分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的外延片的结构进行优化设计,分析了影响ME生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料质量的各种因素,采用MBE法生长了一系列GaAs/AlGaAs多量子阱结构的激光器材料,实验中利用X射线双晶衍射仪、光荧光谱你及电化学C-V测试仪有针对性地对两个典型材料进行了测试分析,通过双晶回摆曲线中干涉条纹及峰劈裂现象以及PL谱中深能级来源的研究,探讨了样品的发光特性和结构特性之间的关系,最后研制出高功率GaAs/AlGaAs多量子阱激光器.