关键词： 量子阱材料   辐照   深能级陷阱   缺陷  

摘要： Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器件在空间技术中应用的稳定性 ,由于人造卫星运行所穿透的宇宙范·艾伦辐射带中核辐射主要来自电子束及质子束 ,因此本工作以电子、质子辐照为主研究其引入的深能级缺陷。采用传统的分子束外延 (MBE)方法在GaAs衬底上生长具有量子阱的AlGaAs/GaAs材料 ,包括单量子阱(SQW )和多量子阱 (MQW )样品。用静电加速器对样品进行电子束辐照实验 ,电子束能范围为 0 .4～ 1.8MeV ,注量为 1× 10 13～ 1× 10 16 cm- 2 。用高压倍加器进行质子束辐照 ,质子束能量范围为 2 0～ 130MeV ,注量为 1× 10 11～ 1× 10 14 cm- 2 。为进行深能级瞬态谱 (DLTS)的测量 ,以样品n+ GaAs衬底上的铟作为欧姆接触 ,在样品正面蒸上50 0 μm左右的金点作为肖特基势垒 ,使用IBMPC计算机作为数据采集和处理系统的匈牙利Semitrap公司生产的高灵敏度锁相深能级瞬态谱仪DLS 82F进行DLTS测试 ,测量灵敏度为△C/C～ 10 - 5,测量的温度范围为 77～380K ,采用温度和频率扫描二种途径并通过Arrheninsplots验证有关深能级位置 ,而能级的俘获截面则通过改变样品上所加的脉冲宽度来获得。辐照前后的样品均经过深能级?

关键词： AlGaAs   量子阱   红外探测器   MOCVD   砷化镓  

摘要： 用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 .

关键词： 纳米结构   量子输运   磁超晶格   半导体(静电)超晶格   弹道电导   共振劈裂   量子电缆   量子点阵列  

摘要： 纳米科学和技术是近几十年发展起来的前沿研究领域.纳米结构中的输运现象有着许许多多的奇妙物征,并因此受到人们的广泛关注.该论文就磁纳米体系、量子电缆结构和量子点系统中的量子输运现象展开理论上的研究.该文共分四章.第一章为绪论,简要的回顾了纳米体系中的量子输运的一些实验和理论进展,并阐述了较著名的介观输运理论.在第二章中,作者们研究了磁纳米结构中的弹道输运性质,侧重研究弹道电导峰的共振劈裂规律.该章又分成四个小节.第一节研究了磁超晶格的弹道电导峰的劈裂规则,发现对于电子隧空由n-1重.在第二节中,作者们研究了半导体(静电)超晶格和磁超晶格中的共振劈裂.第三节为准周期磁超晶格结构中的共振隧空研究.第四节着重比较均匀磁场和纳米周期磁场对多量子阱中的电子共振输运的影响.在第三章,作者们提出了量子电缆的概念,并研究了它的子带谱特征、弹道输运性质,同时探索了它的潜在应用.该文章分成三小节.第一小节的研究内容为量子电缆的单电子子带谱结构.量子电缆具有奇特的子带谱结构.在第二节中,作者们研究了量子电缆的弹道输运性质.首次发现了高度为三个或四个量子电导单位的电导平台,这样的电导平台来自于量子电缆子带的偶然简并.第三节探讨了量子电缆的可能应用.量子电缆结构可以用作获知圆柱量子线的准束缚态情况和准一维态密度信息的输运谱仪.利用非平衡格林函数理论,作者们在第四章研究了一维量子点阵列的相干电子输运,得到了电流和共振隧空系数的严格解析式.

关键词： 自组织生长   量子点   应用   半导体材料   低维结构  

摘要： 综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。

关键词： 磁量子结构   自旋电子   隧穿输运   半导体  

摘要： 研究了零偏压和偏置电压作用下磁量子结构中自旋电子的隧穿输运性质 .结果表明电子自旋输运的性质不仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢 ,而且取决于偏置电压 .在零偏压下 ,由等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构不具有自旋过滤的特点 ,而由不等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构却具有较好的自旋过滤特点 .偏置电压极大地改变了磁量子结构中电子的极化程度 ,使得电子隧穿等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构的输运性质也显著地依赖于电子的自旋指向 .

关键词： 双势垒结构   双磁垒结构   隧穿时间   量子输运  

摘要： 该论文针对既具有重要应用价值又具基础理论研究意义的电场作用下的磁纳米结构中电子的量子输运行为以及半导体双势垒结构中电子隧穿时间问题做了较为系统和深入的理论研究.

关键词： 高能二聚体   高聚合物粘结炸药   钝感机理   分子间相互作用   苯并氧化呋咱化合物   从头计算法   密度泛函理论   PM3方法  

摘要： 研究分子间相互作用不仅可以混合炸药配方设计奠定理论基础、提供信息,而且将推进高(含)能材料学科发展.该文首次应用量化学理论方法较系统地计算研究了(HN<,3>)<,2>、(CH<,3>NO<,2>)<,2>、(C<,2>H<,4>O)<,2>、(C<,3>H<,6>O)<,2>、(HNO<,3>)<,2>NH<,3>+NH<,2>、NO<,2>NH<,3>+CH<,3>NO<,2>、NH<,3>+CH<,3>ONO<,2>、TATB+HMX、TATB+RDX、TATB为基的含氟高聚物粘结炸药、(TNT)<,2>、TNT+RDX和(RDX)<,2>等系列二聚和混合体系的分子间相互作用.

关键词： 光子协助隧穿   瞬态输运   量子点  

摘要： 首先, 该文对多端介观系统采用非平衡Green函数方法导出了具有普遍性的瞬时电流以公式.接着,应用所导出的普遍瞬时电流公式,研究了能单个量子点体系,量子点分子体系,和正常-超导复合体系的瞬态输运;从理论上很好地解释了近几年来在实验上观测到的许多重要的瞬态输运性质;并预言了一些有趣的现象,例如:在保持瞬时偏压为正时,瞬时电流可能出现很大的负值;单量子点体系在低频强场下的激发共振;量子点分子体系的分子态旁带的强烈被抑制; 正常-超导复合体系中间距为1/2hω的光子协助Andreev隧穿峰以及丰富的正常光子协助隧穿(PAT)过程. 此外,作者还研究了瞬态输运的电流噪声,并利用瞬态输运的性质,建议了一种测量隧穿幅相位的方法.

关键词： 超导薄膜   宏观量子隧穿效应   输运性质  

摘要： 高温超导体的磁通动力学性质的研究是超导电性研究的一个重要方面,具有理论和应用两方面的重要意义.在该论文工作中,研究人员主要对在低温下YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>(YBCO)超导薄膜样品中磁通的宏观量子隧穿效应和在超导-正常(S-N)转变附近(Y<,08>Pr<,0.2>Ba<,2>Cu<,3>O<,7-δ>外延膜的电输运性质进行了研究.

关键词： 量子阱   离子注入   带隙蓝移   量子光学  

摘要： 研究了氖离子注入诱导 In Ga As/In P量子阱材料带隙变化的规律 .研究结果表明 ,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移 .蓝移的大小与量子阱的宽度 ,阱距表面深度 ,注入离子剂量 ,能量 ,及退火条件有关 .