关键词： 多量子点   迟滞现象   单电子过程   InAs   砷化铟   双肖特基势垒二极管   输运特性  

摘要： 研究了含多层InAs量子点结构的双肖特基势垒的电流输运特性 ,观察到了量子点的电子存储效应及其对电流的调制现象、电流多稳态现象和零点电压漂移现象 .因为多量子点之间存在耦合作用 ,造成器件中的很多亚稳态 .通过器件的输运特性显示出比含单层量子点器件更复杂的结果 .随着外加电压的变化 ,器件经历很多弛豫过程 .这些弛豫过程在电流

关键词： 量子输运   量子点单通道系统   量子点   二维层状介质  

摘要： 该文主要目标是要弄清量子输运中的一些问题.我们运用紧束缚近似和转移矩阵方法研究了以下几个问题:1)量子点单通道系统中透射振幅与相位的关系.我们提出了一个严格的表达式将通过量子点的电子的透射振幅与束缚态的波函数联系起来,解释了实验中发现的两个特征:AB振荡在一系列的电导峰处有相同的相位,当量子点势能扫过单个的共振峰时相位突然改变π.2)长程关联无序对二维层状介质局域化性质的影响.发现可能出现Kosterlitz-Thouless类型的金属-绝缘体转变.3)处于横向无规磁场下的两耦合平面的输运性质.结果表明干净平而后存在明显地加大了扩展态的区域.4)掺杂后拉伸的高聚物沿拉伸方向直流电导问题.

关键词： 半导体低维结构   超晶格   声学模   界面光学模   电子态   有效垒高   耦合效应   量子输运  

摘要： 半导体低维结构(半导体超晶格、量子阱、量子线和量子点等)的物理性质的研究是目前凝聚态物理十分活跃的前沿研究领域之一,不断揭示出一系列重要的物理内禀,同时也展现出广泛的应用前景.该文就含结构缺陷的半导体超晶格中的电子态、声学声子模和界面光学声子模等诸方面进行了系统的研究和探索,同时研究了非均匀磁场下开放的T型量子波导中的电子相干输运性质,获得了一些有意义的结果.

关键词： 选择区域生长   InGaAsP   多量子阱材料   半导体材料  

摘要： 采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .

关键词： 半导体量子结构   硅基光电子材料   纳米硅/氧超晶格   硅纳米晶   电子态理论   设计  

摘要： 评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于 Si基光电子材料设计方面的重要进展 .着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望 .最近关于 Si纳米晶光增益和纳米硅 /氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义 .对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于 Si/ O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道 .这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破 .

关键词： 半导体激光器   量子阱混合   波长蓝移   InGaAs/InGaAsP   光致发光谱  

摘要： 为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移 989nm .蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大 ,并且能量比注量对蓝移的影响更大 .

关键词： 离子注入   退火   InGaAs/InGaAsP   量子阱   带隙蓝移  

摘要： 随着半导体晶体生长技术的发展,目前已经能够生长出高质量的量子阱材料.近些年来,基于量子理论的光电子器件也得到了迅速发展,正在成为一个比较活跃的研究课题.人们在考虑到光电集成时,希望能在一个单片的各个区域实现能带宽度选择性调节.该文为了制作\"与偏振无关、低传输损耗的光开关器件\"而研究的\"利用离子注入实现量子阱材料带隙蓝移\"实验方法正是解决这个问题的方法之一.

关键词： MBE生长   GaAlAs/GaAs量子阱激光器   分子束外延   双晶衍射  

摘要： 本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。

关键词： InAlAs/AlGaAs量子点材料   InAlAs/AlGaAs红光量子点激光器   生长机理   光学特性  

摘要： 由于量子点结构独特的光电特性,对应变自组织量子点材料生长、物理性质及器件应用的研究是目前世界上最前沿的课题之一.该论文利用MBE技术制备了高质量的GaAs基InAs和InAlAs/AlGaAs量子点材料,通过原子力显微镜、光致发光亦和透射电子显微镜等实验手段系统、深入地研究了量子眯的光学特性和生长机理,并且成功地研制了InAlAs/AlGaAs红光量子点激光器,取得了一些有意义的结果.

关键词： 砷化镓   半导体材料   量子线  

摘要： 综述了半导体量子线材料的最新动态和发展趋势。