关键词： 荧光量子点   磁性纳米材料   水相合成  

摘要： 量子点(quantum dots，又称半导体纳米晶体)它是由Ⅱ族-Ⅵ族和Ⅲ族Ⅴ族元素组成的无机纳米颗粒，其尺度约为1-10纳米，由于尺度量子效应和介电限域效应使它们表现具有独特的光致发光性能。主要表现为：发射和吸收光谱具有尺寸依赖性，斯托克位移大，量子产率高，荧光寿命长，不易化学和生物降解、光解或漂白。目前量子点已用于免疫分析，基因分析，活体及细胞荧光成像等领域。将在细胞生物学、临床诊断、食品安全检测、药物筛选等领域具有广泛的应用前景。由于尺度量子效应，铁磁性的Fe<,3>O<,4>尺度到达3-10纳米时，也表现出不同于体相材料的超顺磁性(即在磁场存在下具有磁性，当磁场消失时表现为非磁性)。这种有特殊性能的材料在核磁共振成像、靶向药物治疗、生物分子及细胞分离、临床诊断等方面具有十分广泛的应用。 \n 合成高质量的量子点和磁性纳米晶体采用最广泛的是液相(溶胶)合成方法，其中又分为有机相合成和水相合成两种。有机相合成方法通常是在高温(300℃)下进行，其反应速度快，无论制备量子点还是磁性纳米晶体，得到的纳米晶体分散度都较好(粒径的相对标准偏差RSD<5％)，结晶程度高。通过此法制得的量子点量子产率高达30～80％。然而，该反应的条件苛刻，反应物有毒，成本高。重要的是有机相合成法得到的纳米晶体难溶于水，不能直接用于生物标记。通常采用配体交换和包覆的方法，对纳米晶体的表面进行修饰以增加其亲水性。水相合成法一般是在稳定剂存在下，通过共沉淀法在较低温度下生成晶核并生长成为纳米颗粒。与有机相合成法相比，水相合成法具有操作简单、重复性好、且易于规模化制备等优点。但得到的产物质量不高。如量子点量子产率一般较低(<10％)，而且合成时间需要数小时至几天。用水相合成法合成四氧化三铁纳米晶体不仅需要控制较多因素，如水温、铁离子浓度、pH值等。而且其最大的不足在于合成产物是多分散的(RSD>30％)，结晶度不好。这严重影响其应用，特别在生物医学领域的应用。\n 本论文主要针对目前碲化镉量子点和四氧化三铁磁性纳米晶体水相合成法的一些缺陷，进行了以下工作：\n 1)在前人研究的基础上，对传统水相合成cdTe量子点的方法进行了改进，使水相合成的cdTe量子点的荧光量子产率从文献报道的<10％提高到40～67％，达到有机相合成法合成产物相当的量子产率。\n 2)将微波辐射引入量子点的水相合成。使用这种方法，在较温和的温度(100℃～160℃)下，几分钟到四十五分钟内快速合成出发射波长从绿色到近红外光的一系歹cdTe量子点。合成的cdTe具有很高的量子产率(40～60％)，包括发红光(650 nm～730 nm)量子点也具有近40％的量子产率，而这在一般水热法和有机相合成法中很难实现。这种方法克服了水相合成高质量量子点中速度慢的缺点，得到的量子点的粒径分布和荧光性能都能与有机相合成法相媲美。 \n 3)将微波法扩展到超顺磁性纳米四氧化三铁的合成。利用多元醇(甘油)和巯基丙酸为混合稳定剂来控制纳米晶体的生长。在200℃微波加热一到两小时合成出5～8 nm、粒径分布大约为16％的四氧化三铁纳米晶体。由于表面包覆着甘油和巯基丙酸，得到的四氧化三铁纳米晶体具有优良的水溶性。磁性表征结果表明产物是超顺磁性的，具有较高的比饱和磁强度。为其进一步在生物和分析化学水环境中的应用奠定了基础。同时发现微波合成法也可用来合成尖晶石四氧化三钴纳米晶体。在非常短时间内(十分钟)以及较低的温度下(100℃～160℃)可合成出高质量球形和立方的尺寸均一10～20 nm尖晶石四氧化三钴纳米晶体。实验并且证明了微波水热法合成的四氧化三钴的机理，二价钴氧化成三价钴的氧化剂是溶解氧而不是前人所报道的硝酸根离子(以硝酸钻为钴源)。 \n 4)在水相中利用种子诱导法合成出CdTe@Co(OH)<,2>、CdTe@Ni(OH)<,2>和cdTe@FeOOH三种磁性和荧光双功能核壳纳米材料。与文献报道的方法用磁性纳米材料作为核不同，该法以水相合成的发荧光的CdTe量子点为核，加入钴、铁、镍等过渡金属盐溶液，金属离子在碱性和稳定剂存在情况下逐渐水解，生成氢氧化物沉积在CdTe纳米颗粒的表面形成核壳结构。磁性表征证明这种材料具有一定的磁性，非常有趣的是包覆上磁性的氢氧化物后，量子点依然具有较好的发光性能。

关键词： 不同发光波长   InGaAs量子点   亚分子单层   循环配比   材料生长  

摘要： In(Ga)As/GaAs量子点材料体系因具有非常诱人的发光器件应用前景，而受到人们的广泛关注。特别是如何通过控制量子点的尺寸、形状、密度，来改善量子点的发光质量以及控制发光峰位等，一直是国际上的前沿研究课题之一。本论文对不同波长In(Ga)As/GaAs量子点的MBE材料生长和光学特性进行了研究，尝试了若干种调制量子点发光波长的方法，获得的主要结果如下：\n 1.1060nm波长InGaAs自组织量子点的材料生长研究\n (1)研究了InAs/GaAs交替循环式生长的InGaAs量子点的形貌和光学特性，研究表明：改变InAs/GaAs循环周期中InAs的沉积量可以有效地调节量子点的发光波长；同时，采用[(InAs)m/GaAs)0.5，(m<0.5)]的循环方式较[(InAs)n/GaAs)1，(0.8<n<1)]的方式能更有效地改善量子点的形貌和提高发光质量。该结果已在*** Growth上发表。\n (2)制备出1060nm波长的高质量InGaAs自组织量子点和以它为有源区的量子点激光器。室温连续工作状态下，该激光器双面输出功率达1.55瓦，Jth为200A/cm2，单面斜率效率达32％。该量子点材料和激光器的制备方法已申报了国家发明专利。\n 2.940nm波长InGaAs亚分子单层垂直耦合量子点的生长研究\n (1)比较了由自组织(S-K)和亚分子单层(SML)两种生长模式所制备的InGaAs量子点的结构和光学特性。研究表明，利用S-K模式生长的InGaAs/AlGaAs量子点，发光质量较差并且发光波长较难调控至940nm，而SML模式可获得高质量的940nm波长的亚分子单层量子点(SML-QD)。研究还发现SML-QD不含浸润层，表现出独特的变温光致发光特性。\n (2)制备出940hm波长的SML-QD和以它为有源区的量子点激光器，室温连续工作状态下，该激光器单面输出功率达0.53瓦，Jth为390A/cm2。该量子点材料和激光器的制备方法已申报了国家发明专利。\n 3.长波长In(Ga)As量子点材料的生长研究\n (1)首次探讨了In0.2Ga0.8As盖层的两种不同生长方式对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响。两种盖层生长方式为：亚分子单层方式(简称SML方式)和In/Ga/As三源炉同时打开的普通生长方式(简称COM方式)。研究表明：SML方式会导致量子点中的In与周边盖层中的Ga发生互扩散效应，而COM方式可以使盖层中的In向量子点聚集。这最终导致COM方式下的量子点波长红移幅度远大于SML方式。\n (2)首次开展了在InAs应变层上原子层外延(ALE)生长InGaAs量子点的研究。研究表明，InAs应力层的引入，可以增加量子点的密度，但难以获得均匀性好的量子点。实验中首次观测到量子点受InAs应变层调制而出现的一维有序排列现象，提出应变梯度模型并结合ALE下In、Ga沿[1-10]方向的增强性各向异性迁移行为对上述现象进行了合理解释。本实验最终获得室温下GaAs晶格中的1.3μm量子点发光。这将为研制1.3μm量子点激光器提供了技术支撑。

关键词： 自组织   离子束溅射   Si   量子点   KS方程   重沉积   非稳态辐射增强扩散   蓝宝石   Al2O3  

摘要： 纳米结构材料表现的奇妙特性，以及它们在光、电、磁和生物化学等各个领域展现的非凡应用前景，激励着人们对这一神奇的领域进行更加深入地研究。本论文主要针对其中的Si量子点的尺寸调控和发光进行理论和实验上的研究；另外，还研究了蓝宝石光学特性和机械特性的调控以及新型偶氮化合物薄膜的三阶光学非线性效应研究。获得以下结果：\n 1．系统研究了离子溅射Si(100)表面得到的量子点尺寸、样品表面粗糙度和离子束束流密度之间的关系，以及束流密度为380μA／cm2的溅射条件下，溅射后样品表面粗糙度和样品表面温度间的变化关系。上述实验结果说明，在低束流密度离子束溅射过程中，Si(100)表面量子点结构的形成过程主要是Ehrlich-Schwoebel(ES)理论表述的机制，而不是通常认为的Bradley-Harper(BH)机制。\n 2．在用只含BH模型的KS方程模拟大束流密度溅射过程时，发现应该考虑重沉积效应。在加入反映重沉积效应的抑制项后，新KS方程模拟出的结果和实验结果完全相符。\n 3．分别研究了离子束对生长在Si(100)面上的Ge量子点和在Si(100)面上的Si量子点的修饰作用。我们发现修饰Ge量子点的最后结果和束流密度无关，而对于Si量子点，修饰结果与束流密度和初始形貌密切关系。\n 4．研究了Si量子点发光。发现随着Si量子点尺寸的减小，它们的荧光光谱发生蓝移。我们初步认为这是由于在Si量子点的纵向发生量子限域效应的结果。\n 5．利用一种新的掺杂方法，即非稳态辐射增强扩散，对用于导弹窗材料----蓝宝石单晶氧化铝进行表层金属n掺杂。结果表明在有效掺杂范围内，经过掺杂后的A1203(0001)，其光透射率(波长范围450-3500nm)维持在原来的88％以上，而硬度最大可提高~3倍，同时扬氏模量可提高~1倍。\n 6．利用Z-scan的方法研究了新型偶氮化合物薄膜的三阶光学非线性效应。得到的非线性折射率为3．7×10-6cm2／W，这比通常的无机非线性材料大8个量级以上。

关键词： 量子输运   凝聚态物理学   电子输运   共振   低维系统   量子开关器件  

摘要： 量子输运性质是凝聚态物理学中一个非常重要的研究方向。近年来，随着高效率信息技术对超小尺寸电子器件的不断需求以及微加工技术的迅速发展，介观系统以及纳米结构中的量子输运性质倍受人们的关注。本论文从以下两个方面深入探讨了低维系统中的量子输运性质。\n 第一，我们对一维对称型介观环中磁通诱导的持续电流作了系统的理论研究。首先，我们构造了一维Symmetric—polymer(SP)介观环，此结构相当于把一个缺陷基团嵌入了两个周期基团之中，而整个系统是镜面对称的。在此基础上，利用紧束缚近似和转移矩阵的方法，我们研究了一维SP介观环中的电子能谱、电子波函数以及持续电流的性质。研究表明，此SP介观环中的电子能级关于磁通形成能带结构，并且带隙中出现了缺陷模。而SP介观环中的持续电流与磁通、在位能以及费米能级的大小都有密切的关系。具体来说，当在位能和电子填充数保持不变时，持续电流与磁通呈现类正弦函数的关系；如果改变在位能而保持费米能级不变，则随着在位能的增加，持续电流的值将会减小；如果电子填充数发生奇偶变化，持续电流会有相位的改变且电流反向，尤其是当改变费米能级时，SP介观环会出现反常大持续电流和异常小持续电流之间的有规律的转变。此项工作提供了一种解释实验中观察到的反常大持续电流的理论模型，而且在量子开关器件方面有潜在的应用前景。\n 第二，我们研究了金属纳米线中电子的共振透射现象。该研究是将Symmetric Metallic Nanowire(SMN)嵌入主原子链之中形成对称金属纳米线。在紧束缚近似下，我们研究了此纳米线中的电子输运的性质。研究表明，纳米线中形成能带结构，电子带隙中出现多个全透射峰;并且在带隙中的全透射峰表现出了与结构有关的丰富的特性。具体来说，当改变结构参数时，我们可以控制共振能量点的位置和共振透射的模数，并且全透射峰的品质因子可以通过改变参数而指数增加。该项工作提供了一种控制纳米电子器件中的电子输运的独特的方法。\n 总之，我们的研究工作一方面揭示了具有对称结构的介观环中量子输运性质所表现出的丰富的特性，为实验上观察到的反常大持续电流提供了合理的理论解释，同时在量子开关器件上具有一定的应用前景；另一方面我们揭示了金属纳米线中的量子输运规律，发现了由于结构内部位置的关联而导致的电子的共振透射现象。这些研究结果为发展新型材料和新型器件提供了理论依据，为实现量子调控开拓了思路。

关键词： 自旋相关   介观环   量子门   织构电场   Fano共振线型   自旋交换作用  

摘要： 自从在量子系统周期演化过程中发现Berry相位以来，几何相位的重要作用已经在许多物理分子学科中被发现。尤其是，在介观环的量子输运中，几何相位对电子相干输运的调控研究已经成为介观物理的重要专题。\n 本硕士论文主要研究带有量子门的Aharonov-Casher环中的自旋相关电子输运；获得AC相移以及量子门对介观环器件电导振荡的调控作用，以及温度对AC环中电子输运的影响。\n 在本文中，主要研究了两个问题。第一个问题：研究在零温下电子通过AC环的传输特征。在同时为加电场和磁场情况下，我们获得了介观环中运动电子的能谱和本征函数。在弱塞曼耦合条件下，推导了量子门-环系统电子自旋相关传输系数的解析表示。研究表明量子门作为一个相位调制器。控制环系统电导AC和AB振荡的形式；同时，AC和AB相位的竞争决定了电子通过环的输运行为特征。我们还讨论电子的Zeman耦合对于自旋态电子输运影响。我们发现，对于一般入射电子能量，自旋态电子传输系呈现AC振荡。在绝热范围内，AC相移是线性增加，AC电导呈周期的振荡；在非绝热范围内，AC相移的非单调变化，导致反常电导变化。如果入射电子费米能量等于孤立量子门一个束缚能级时，自旋态电子的传输系数被锁定为一个恒定的值；它与AC和AB相移无关。由入射电子能量和环的几何结构参量决定。并且我们获得了恒定振荡全投射或全反射的条件。\n 第二个问题，我们讨论了温度对电导AC振荡的影响。研究表明，随着温度的升高，电导的AC振荡通常将出现一个三峰的周期线性，这是由于在有限温度下入射电子费米能量附近KBT范围内电子都是以一定的统计权重参与传输，而导致的部分退相干。计算结果表明，随着入射电子费米温度的增加，部分退相干的温度会升高。\n 本硕士论文中，我们还研究了含有磁性杂质一维量子线中极化电子自旋相关的传输。我们假定，电子和杂质的自旋交换作用将产生电子自旋的翻转散射；这个散射是弹道散射，没有任何形式的能量交换。研究表明，当入射电子费米能量通过每个子能带底时，子能带内和子能带间的自旋向上/向下传输系数都将出现一个Fano共振线型。随着入射能量增加，子能带内自旋向上传输系数的Fano共振强度减弱，共振宽度增大。这是由于低能的入射电子增强了自旋交换作用的有效耦合强度。我们发现，强的交换作用和小的入射电子能量将增强传导电子和杂质自旋的纠缠，它将导致相位相干退化，并进一步破坏电导量子化台阶结构，压制电导台阶的高度。\n 希望这些结果能够对新一带的自旋电子器件设计和制造提供有意义的理论基础。

关键词： 电子自旋   自旋弛豫   量子阱结构  

摘要： 自旋电子学是一门新兴的学科，利用电子自旋自由度制造的器件，与传统的半导体器件相比，有着非易失性、数据处理速度快、能量消耗低和集成密度高等优点，从而给现有的电子业带来革命性的变化。未来的自旋电子器件是要利用半导体及其量子阱结构材料中的电子自旋自由度的偏振态作为信息载体和逻辑位，实现量子计算。因而，首先要解决的基本问题是如何实现半导体中电子自旋的极化或注入。其次，要了解电子自旋极化的寿命，本文以GaAs量子阱及体材料为研究对象，从理论和实验两个角度分析了室温下电子自旋极化弛豫过程及其机理，主要成果概述如下：\n (1)运用电子自旋依赖的飞秒抽运探测技术研究了室温下GaAs/A1GaAs多量子阱中电子自旋极化弛豫与动量弛豫及载流子浓度的关系。在实验中观察到自旋弛豫时间随浓度的增加而增加的变化趋势。依据载流子浓度对动量散射的非线性作用理论，得出自旋弛豫时间随动量弛豫时间的变化规律，在DP机制的框架内很好地拟合并解释了实验结果。这是首次定量的分析了GaAs量子阱中的电子自旋极化弛豫与动量弛豫及载流子浓度的关系，对认识和应用量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性具有重要参考价值。\n (2)首次在实验上测量了室温下中心反演对称性缺失的GaAs体材料在不同载流子浓度下的自旋弛豫时间t。。实验测得τ。随载流子浓度N的增加而减少，通过拟合实验数据得出τs∝N-1/2，这种情况与上述GaAs量子阱的情况不同，但与体材料中依据DP自旋弛豫机理导出的关系相符。这一结果说明，材料结构的改变，载流子浓度对电子动量弛豫的影响情况亦不同。在体材料三维条件下，屏蔽效应随载流子浓度增加而增强，动量弛豫时间增长导致τs减小。\n (3)进一步研究了GaAs体材料自旋弛豫时间对电子过超能量的依赖关系。实验观测到自旋弛豫时间随电子过超能量的增加而减少。另外，实验还观测到瞬态透射谱出现“反饱和吸收”的现象，这是带隙重整化效应引起的。自旋弛豫时间对电子过超能量依赖关系的研究为基于自旋弛豫光开关器件的研制提供了参考，也提供了一种获得最佳的自旋特性的依据。\n 总之，本论文阐述的自旋偏振弛豫的理论和实验研究，对了解影响自旋寿命的因素，探索延长自旋寿命以及控制自旋极化态的途径，以及对自旋电子器件的研发提供了很有价值的研究资料。

关键词： 量子点   电子输运   精密加工   格林函数  

摘要： 近年来，随着电子束蚀刻和分子束外延等精密加工技术的发展，人们已经成功制造出线度只有10-8m的人造低维半导体结构，其中包括量子点、量子阱和量子线。介观电子输运主要研究的就是电子在微小系统中的输运性质，本文主要应用非平衡格林函数理论对量子点输运特性进行了研究。本文由以下两个章节构成：\n 在第一章中，我们首先简要介绍了量子点的制备方法、量子点输运过程中的两个重要现象：库仑阻塞现象和近藤效应。\n 接着以一个简单的量子点与导线耦合的例子，介绍非平衡格林函数方法用于研究量子点直流输运问题的六个基本步骤：\n 1．根据所研究的系统写出模型哈密顿量；\n 2．用Heisenberg运动方程的方法，把要计算的输运电流表示成在时间表象下的含推迟格林函数和lesser格林函数的形式；\n 3．应用解析延拓定理，把lesser格林函数表达成中间散射区的格林函数和孤立导线的格林函数的乘积；\n 4．利用付立叶变换，将时间表象下的输运电流公式转换成能量表象下的输运电流公式；\n 5．选择宽带近似方法，求出导线和量子点之间的自能；\n 6．用Heisenberg运动方程的方法，计算推迟格林函数，\n 并把结果带入自能表达式和输运电流表达式。\n 在第二章中，我们首先介绍了双量子点的共振隧穿、光子辅助隧穿以及简化的两能级系统。\n 接着我们运用了Keldysh格林函数方法，对在光学泵作用下的两个耦合量子点的电子输运性质进行了理论上的研究。\n 我们先写出光学泵作用下通过耦合量子点的输运电流公式，再分两步计算耦合量子点的推迟格林函数：\n 1．分别计算光学泵作用下没有耦合的量子点1和量子点2的推迟格林函数，\n 2．计算光学泵作用下耦合量子点的格林函数。将耦合量子点的推迟格林函数代入输运电流公式，即可求出输运电流。\n 我们发现了电流—电压曲线上的平台结构以及透射系数的共振峰，这些可以由量子点的局域态密度来解释。我们还讨论了光学泵抽运的频率及其强度对系统输运性质的影响。当光学泵抽运的频率等于空穴的分立能级时，电子的动力学局域化发生。这个结果可以用来实现光控制开关。

关键词： 量子点   含时电子输运   Green函数   散射矩阵   Fan0振荡   泵效应   RKKY作用   自旋-轨道耦合  

摘要： 本文用Green函数方法和散射矩阵方法，分别研究了门电极耦合微波时量子点的电子输运性质，二维电子气传递的量子点之间的RKKY相互作用，以及具有自旋-轨道耦合的势垒在纵向偏压下的横向电导等问题.\n 全文共分为六章：第一章介绍了量子点的结构和常见的输运现象，并介绍了处理电子输运问题的两种常用方法：散射矩阵方法和Green函数方法.第二章研究了二能级量子点门电极上加反对称交流电压后的平均线性微分电导.当交流频率与能级差共振时，电导随费米能的变化曲线中，在共振隧穿峰的位置出现一个dip；在近共振时，在共振隧穿峰的附近出现一个Fano共振峰.第三章研究了量子点能级在微波耦合影响下作周期振动时的泵效应.当量子点与左右电极耦合不对称时才能产生泵电流.在非绝热参数区，由于不同的光子协助隧穿过程的参与，泵电流随振动频率的曲线呈现振荡行为.增加温度和增加量子点与电极的耦合强度除了能抹平泵电流曲线的振荡以外，在不同的参数区具有正反两方面的效果.当某一侧电极是超导体时，由于超导能隙随温度的升高而缩减，使得温度升高时的泵效应在某些参数区间得到了极大的加强.根据简明的物理图景，解释了以上泵电流的所有行为.第四章研究了由二维电子气传递的两个量子点之间的RKKY作用.RKKY作用随量子点之间距离的增加而振荡并衰减.这种振荡含有两种周期成份，分别大于和小于费米波长.RKKY作用随量子点能级位置的变化也是振荡的.这一计算结果与其它文献中的结论有明显不同.第五章研究了由两块自旋极化材料夹一个势垒形成的三明治系统在纵向偏压下的横向输运特性，其中势垒中存在Dresselhaus自旋-轨道耦合作用.在源极和漏极靠近势垒两侧几个平均自由程的范围内，存在着由电子透射和反射造成的横向电流.它们两者之间的夹角取决于源极和漏极自旋极化相对取向的具体配置.我们研究了这两个横向电导对参数的依赖，讨论了它们两者之间的普遍关系.第六章对全文进行了简要总结，并对今后的研究进行了展望.

关键词： 应变   半导体量子点   自组织  

摘要： 对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明,横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反,在适当条件下,两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中,计算量子点的电子结构时,应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响,不能简单的利用孤立量子点模型来代替.

关键词： 电子结构   导电率   电池材料   离散变分密度泛函   化学键  

摘要： 本文用离散变分密度泛函(DFT-DVM)方法计算了LiMPO4(M=Mn，Fe，Co和Ni)和FePO4，讨论了组成，电子结构，化学键等与性能之间的关系。在态密度图中，O2p分态密度主要贡献总态密度靠近费米能级的价带，M3d主要贡献总态密度靠近费米能级的导带，其它各个分态密度的主峰则离费米能级较远。LiFePO4的离子键和共价键强度都比FePO4低，以及态密度的变化都表明，LiFePO4的电导率比FePO4高，这在一些实验中已经得到了证明。从LiMnPO4到LiNiPO4，离子键和共价键强度都降低，再加上态密度的比较都表明，从LiMnPO4到LiNiPO4电导率逐渐升高，这与实验结果一致。\n 另外，本文还用离散变分密度泛函(DFT-DVM)方法计算了在LiFePO4中掺杂M原子(M=Mn，Co和Ni)，讨论了组成，电子结构，化学键等与性能之间的关系。从LiFexMn1-xPO4到LiFexNi1-xPO4，离子键和共价键强度都降低，再加上态密度的比较都表明，从LiFexMn1-xPO4到LiFexNi1-xPO4电导率逐渐升高，这还需要更进一步的实验数据。