关键词:
量子材料
第一性原理计算
电子结构
异质结
原子插层
摘要:
近二十年,关于量子材料的研究逐渐受到了越来越多的关注,因为它们具有源自其量子力学行为的卓越电子、磁性和光学特性,这些特性使量子材料在电子,计算,能源等领域的应用前景非常广阔。近年来,量子材料的研究取得了许多重大进展。例如,研究人员发现了新的拓扑绝缘体,这些材料只能在其表面导电,而在整体上是绝缘的,有望用于低功耗电子和量子计算应用。此外,对二维电子气中的量子霍尔效应和分数量子霍尔效应的研究使人们对电子在强磁场中的行为有了新的认识,这有可能用于制造新型电子设备。对于新型量子材料的发现以及量子材料的物性调控是一项具有挑战性的课题,需要深入了解基础物理学和开发复杂的制造技术。研究人员通常结合使用理论预测、实验测量和先进的表征技术来揭示量子材料的迷人特性。在本文中,我们通过第一性原理计算的方法,分别采用构建异质结以及原子插层的手段对几种量子材料进行物性调控的理论研究,研究内容可以总结为如下三条:1)在由二维铁磁,铁电,谷电子材料组成的异质结中实现铁电极化反转对谷极化的非易失性调控近年来,二维谷电子材料因其独特的谷物理性质而受到人们的广泛关注。利用其谷自由度可以设计相关的谷电子器件,如谷自旋阀。通过施加外加磁场或磁性原子掺杂等方法可以打破二维谷电子材料的时间反演对称,从而实现谷极化。根据谷相关光学选择规则,不同的谷极化态可以通过圆偏振光来识别。由此,可以利用二维谷电子材料设计新型的光学存储器件,如何有效调控并保存谷极化对于拓展谷电子器件在实际的应用至关重要。我们在此提出了一种利用铁电极化及其非易失性来调控和稳定保存谷极化状态的方案,并设计了一种由二维谷电子材料Hf N,二维铁磁材料Cr I,和二维铁电材料InSe垂直堆垛构成三层异质结Hf N/Cr I/InSe来验证此方案。基于第一性原理计算,发现铁电极化反转能够改变铁磁材料中磁性原子的自旋取向,从而改变二维谷电子材料的谷极化,当InSe极化向上时,Cr I的易磁化轴为z轴,Hf N的谷极化为15 me V;而当InSe极化向下时,Cr I的易磁化轴为x-y平面,Hf N的谷极化为0。由此,上述方案的可行性被理论证明,这为基于二维谷电子材料的高性能微纳器件设计提供了一种思路。2)通过原子插层实现了铁电性与超导电性在二维插层材料中共存非中心对称超导体具有超导二极管效应,当其时间反转对称也被打破时,相反方向的临界电流是不同的,从而有望用于设计新型的低功耗电子器件。在此,我们理论上提出了一种铁电性与超导电性共存的铁电超导体,可以实现铁电可逆的超导二极管效应。通过第一性原理计算,我们预测了单层Cu NbSe(即插层Cu原子的双层Nb Se)就是这样一种铁电超导体,其铁电性控制着层极化以及自旋轨道耦合引起的自旋劈裂信号。由于临界电流的非互易效应与自旋劈裂对应,所以通过铁电的极化反转可以实现可逆的超导二极管效应。我们强调,在此以Cu NbSe为模型体系预测的效应,可能也存在于一些由层间滑移诱导铁电的二维超导双层体系中。我们的工作为研究二维材料中超导和铁电性之间的相互作用打开了大门。3)通过调控原子嵌入与脱出实现材料的非易失性电导变化受人脑神经突触框架的启发,神经形态计算有望克服传统冯诺依曼架构的瓶颈,应用于人工智能。在此,基于第一性原理计算,我们预测了一类有望用于神经形态计算应用的候选材料MCuX(M=V,Nb,Ta;X=S,Se,Te)。当MCuX插入锂原子时,由于大量电子填充[每化学式单位(f.u.)约0.8 e],系统将从半导体转变为金属,并且仍保持良好的结构稳定性。同时,插入的锂原子在MCuX中具有较低的扩散势垒(~0.6 e V/f.u.),保证了通过栅极电压控制锂原子嵌入/脱出的可行性。这些结果表明,这一类材料可以实现两种稳定记忆状态(即高/低电阻状态)之间的可逆切换,表明它有可能用于设计突触晶体管以实现神经形态计算。这个工作为从理论计算的角度推进与神经形态计算相关的候选材料的搜索提供了灵感。