关键词： 量子点   复合材料   碳纳米管   修饰材料   转换效率  

摘要： 基于碳纳米管的良好导电性、激子传输性能和量子点聚合物复合材料高的光电转换性能，采用原位缩合法制备了聚合物聚（2-甲氧基-5-辛氧基）-对苯乙炔-功能化碳纳米管-硒化铅量子点复合材料．通过对复合材料的X射线衍射、透射电子显微镜和紫外可见吸收光谱研究，发现聚合物聚（2-甲氧基-5-辛氧基）-对苯乙炔，功能化碳纳米管与硒化铅量子点可以有效地复合，且功能化碳纳米管与聚合物聚（2-甲氧基-5-辛氧基）-对苯乙炔形成网状结构；硒化铅量子点尺寸为5．75nm，其可均匀地分散在聚合物聚（2-甲氧基-5-辛氧基）-对苯乙炔-功能化碳纳米管基体中形成包覆或镶嵌结构，并发生了光诱导电荷转移．通过对复合材料的光电性能研究发现，插入不同厚度阴极修饰材料LiF后其光电性能提高，且当LiF为3nm时，开路电压为0．558V，短路电流为2．338mA，填充因子为37．6％，转换效率为0．466％，与不插入修饰材料时相比复合材料光电性能提高了30％．

关键词： 量子点   超晶格材料   外延生长   光学特性  

摘要： Ⅱ类量子点的外延生长和性能表征在国内外已有多家研究单位开展，但多集中于在GaAs衬底上进行生长，在InP衬底上进行的主要是InAs量子点的生长，而InP衬底上GaSb量子点的生长文献报道很少，缺乏可借鉴的经验。针对GaSb/InGaAs第Ⅱ类量子点的生长及光学性能开展系统性研究，不但有望进一步丰富自组织量子点生长动力学知识、加深人们对于具有第Ⅱ类能带结构的低维半导体材料中激子行为的认识，还有望实现半导体光电探测器的光电信号高保真放大。本材料体系，除了QD-FET之外，还有红外探测器和可调谐激光器等潜在应用。\n 本论文实验采用V80 MBE技术在掺Fe的晶面为100面的InP衬底上以S-K模式自组织生长GaSb/InGaAs量子点超晶格材料。本章首先对在InP衬底上制备GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料的各项参数进行测定，包括衬底温度、Ⅴ/Ⅲ束流比、生长速度、生长厚度等生长工艺参数;随后结合AFM图以及低温PL光谱对生长工艺参数对GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料的形貌、密度、尺寸、发光等性能的影响进行测试，从而找到生长出高质量量子点的生长参数，进一步丰富量子点超晶格材料的生长动力学研究。通过实验我们得出衬底温度在475℃、量子点生长速率在0.13ML/S、Ⅴ/Ⅲ束流比为20、量子点生长厚度为5ML等情况下，生长出的GaSb量子点比较理想。\n 随后研究了InGaAs插入层中In组分对GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料生长动力学以及光学特性的影响。改变缓冲层InGaAs中In的组分可以改变表面量子点的生长情况，在一定的GaSb量子点生长厚度内，低In组分的InGaAs缓冲层可以促进量子点的生成，高In组分的InGaAs缓冲层抑制量子点生成。\n 低温(8k) PL中随着激发功率的增加，在GaSb/InGaAs界面处的电子和空穴的积累加剧使得三角形势阱的阱深加大，从而在三角形势阱内的电子分立能级因为阱深的增加而升高，进而引起第Ⅱ类超晶格发光峰位蓝移。这种随着激发功率的增加，第Ⅱ类超晶格材料的发光峰的峰位蓝移可以由能带弯曲效应来解释。激发功率的三分之一幂与峰位之间均满足线性关系，可以很好的证明其发光类型是第Ⅱ类超晶格光学跃迁。\n 实验结果表明GaSb/InGaAs量子点超晶格材料的光学特性可以由InGaAs缓冲层内的In组分来调整，并且通过调整InGaAs缓冲层内的In组分可以较好地调控GaSb/InGaAs超晶格材料的光学特性。

关键词： 三能级结构   几率方程   量子输运性质   双电磁场驱动   介观尺度   类量子光学  

摘要： 介观尺度的量子器件的加工和控制技术的飞速发展为凝聚态系统中类量子光学的现象的研究开辟了新的道路。作为新型器件的代表，诸如量子点、超导回路等人造原子结构，由于其具备在尺寸以及能级间隔上易于控制的优点，逐渐成为量子信息和量子计算领域的希望之星。在众多研究领域中，外加电磁场对量子点体系输运性质的影响受到人们的广泛关注。\n 与传统的基于绝热输运的系统不同，本文所研究的系统中电子的输运是源于两个快速震荡的辐射场与量子点的相互作用。随时间变化的外势作用下的量子系统能揭示重要的量子相干和量子干涉信息。在量子光学中，与两个近共振场相互作用的三能级系统会展示出丰富有趣的现象，譬如相干布居捕获(CPT)以及电磁诱导透明现象(EIT)。\n 简述本文研究工作的背景知识之后，接下来详尽地介绍了在输运系统中常用的多体波函数几率方程组方法，包括其具体的推导过程以及引用的重要公式和近似等。此外，从实验和理论的角度本文介绍了简单输运系统中常见的物理性质。作为研究工作的准备，本文首先集中于讨论与电子库不耦合的三能级系统。从原子与光相互作用的角度，本文介绍了光同物质作用的作用哈密顿量形式;并通过计算三能级体系的能级占据数，讨论分析了暗态等典型的物理现象。\n 本文从理论上实现了在两个外场驱动下的耦合三量子点系统的量子相干调制机制。在不考虑库仑作用以及强库仑阻塞区间内本论文分别作了计算，发现通过调节外场的参数，输运电流能够被灵敏地控制。例如，改变系统的失谐能量或者Rabi频率大小，能够调节系统实现电磁诱导下的电荷输运透明态(EIET)。此外，电流的涨落效应也是本论文关注的重点。通过考察输运电流的颗粒噪声以及Fano因子，可以证明电子间的相互作用对输运电流的抑制作用。\n 作为该模型的延伸研究，研究了考虑量子点之间的直接耦合作用，分析直接耦合作用与外场激发效应对输运电流的影响关系。同样地以多体波函数几率方程组方法得到系统的几率方程组，并得到输运电流的表达式，研究结果发现量子点间的直接耦合使得输运电流对失谐δ1的变化多出一对峰值。为了说明当外场频率趋近于0时，系统是如何进入EIET态的，研究中逐步改变失谐δ2的大小，发现共振峰位置逐渐移动，并发生重合。

关键词： 分子束外延   InAs量子点   二维电子气   光学性能   光电输运  

摘要： 自组装InAs量子点具有生长工艺简单、光学性能优异、易于与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体器件集成等显著优点，在新型量子器件的研制中受到了广泛关注。在基于InAs量子点的光电器件研究中，HEMT内嵌InAs量子点结构是一个重要的应用方向，相关器件在量子存储、单光子探测、单电子与自旋器件等领域已展现出了很大的发展潜力。目前，对于HEMT内嵌量子点结构器件的研究仍处于初级探索阶段，器件性能还远未达到实用化水平。为提高器件的性能，在物理机制上进一步探讨二维电子气与内嵌InAs量子点间的交互作用具有重要意义。本文首先研究了偏角衬底上生长InAs量子点的动力学机制，随后研究了AlGaAs/GaAs HEMT内嵌InAs量子点材料的光学性质和输运特性。论文主要研究内容包括:\n 1.在GaAs(100)偏[010]6°衬底上进行了InAs/GaAs和InAs/AlAs量子点材料生长。原子力显微测量结果表明，偏角衬底上形成的InAs/GaAs量子点相比GaAs(100)衬底量子点尺寸均匀性明显提高，同时量子点尺寸变小、密度略有增加。但偏角衬底上生长的InAs/AlAs量子点密度非常低，相比GaAs(100)衬底上形成的量子点密度下降了近两个数量级，并出现了一些特大尺寸的量子点。\n 2.采用分子束外延技术生长了AlGaAs/GaAs界面与InAs量子点距离不同的系列样品，研究了异质结界面处二维电子气对量子点光学性质的影响。实验结果表明，量子点光致发光峰发生明显蓝移，蓝移量随二维电子气与量子点层间距离的缩短而增大，我们认为这是由于隧穿电子的能带填充效应引起的。同时发现，临近二维电子气的量子点具有更加优异的温度稳定性。变温光荧光测试结果表明，AlGaAs/GaAs势阱中的电子可以对量子点中热逃逸的电子形成有效补充，从而抑制了量子点中电子的热淬灭过程。\n 3.系统地研究了内嵌InAs量子点对2-DEG输运特性的影响。实验结果表明，载流子浓度随2-DEG与量子点距离的减小而降低，同时电子迁移率迅速下降。随后基于几何相位分析算法对样品的高分辨透射电镜图像进行了处理，得到了其应变分布图。结果表明，应变主要分布在量子点的周围，并延伸到了量子点的上方。通过计算AlGaAs/GaAs势阱的能带分布，说明了当量子点距离界面40nm时应变区域仍与导电沟道存在交叠。因此，内嵌量子点引入的非均匀分布应力场应是除库伦散射外引起电子迁移率恶化的另一个重要因素。

关键词： 耦合双量子点   全计数统计   电子输运   相位相干效应  

摘要： 本文是研究介观系统中并联耦合双量子点模型的量子输运,而量子相干性是量子输运的基本物理机制,量子相干性对应于能量表象下约化密度矩阵的非对角元。\n 首先,根据有效粒子数分辨的量子主方程方法,推导并联耦合双量子点系统的全计数统计来描述系统的输运性质。当量子点间的隧穿耦合强度足够大时,约化密度矩阵的对角元在系统起主要作用;当量子点间的隧穿耦合强度与量子点电极耦合强度的值接近时,量子相干性将影响系统的电子输运特性;当量子点间的隧穿耦合强度弱时,量子相干性对系统的电子全计数统计有影响,随着耦合强度的逐渐变弱,影响将逐渐变大,但会逐渐饱和变为定值。量子点与电极之间非对称耦合会影响量子相干性,而且非对称耦合强度越大影响越大。量子相干性对高阶累积矩(如散粒噪声、偏斜度)的影响大于平均电流。\n 其次,在并联耦合双量子点的模型中加上平行同向磁通。考虑上约化密度矩阵的非对角元后,在对称结构中只要两个量子点的能级不相等,量子点之间的耦合弱时也会出现次泊松到超泊松噪声的过渡。\n 最后,在并联耦合双量子点的模型中加上反平行磁通,研究A-B量子相位相干。结果表明电流的振荡变化是由A-B量子相位相干引起的,这在同向双磁通模型中是不可能产生的。我们还发现了一个新现象,库伦相互作用产生相干振荡。而且,累积矩的峰的位置可以用磁通来测量,类似于超导量子干涉器件。

关键词： 多量子阱   红外探测器   子带间跃迁   分子束外延   光电流响应  

摘要： 红外焦平面探测器是第三代红外探测器，广泛应用于预警、制导和成像等军事领域。与传统的HgCdTe探测器相比，基于子带间跃迁(Imersubband Transition，ISBT)的多量子阱红外探测器（Quantum Well Infrared Photodetector，QWIP）具有均匀性好、成本低、高速度、高集成度、探测范围大、以及谱峰线宽窄等优点。随着晶体外延和器件加工工艺的不断进步，子带跃迁探测器已经率先在Ⅲ-Ⅴ族半导体体系中取得了飞速的发展。随着信息技术的不断发展对器件的速度、扩展能力和体积的要求越来越高，人们有兴趣寻找更新的材料体系来制备高速度、高集成度和微型化的QWIP器件。与Ⅲ-Ⅴ族半导体相比，GaN基多量子阱结构具有大的导带偏移，超快的载流子弛豫时间，便于实现红外、紫外双色探测等特点，有利于实现更快速和更大范围的探测。目前其ISBT结构在1.3μm及1.55μm的光通信波段和3-5μm的大气窗口波段已经取得了很大进展，然而，由于晶体质量的限制以及极化电场的影响，器件光电流响应的探测仍很难实现，目前研究大多集中子带跃迁性质的研究以及光压响应探测等方面。\n 本学位论文以实现GaN基多量子阱ISBT结构的光电流探测为目标，利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)生长技术实现了高质量的GaN基多量子阱ISBT结构的外延生长，在此基础上系统研究了不同势垒结构的子带间跃迁性质，成功实现了GaN基多量子阱的子带间跃迁吸收和光电流响应。主要工作进展和研究成果总结如下:\n 1.设计制备出对应于3-5μm红外大气窗口和紫外日盲区波段的单片集成窄势垒GaN基ISBT结构。通过光吸收测试实现了紫外日盲波段和红外3-5μm大气窗口的双色吸收探测，系统研究了极化电场对子带跃迁性质的影响，发现极化场会造成等效势阱宽度的减小和等效势垒高度的抬高，造成子带跃迁吸收峰的蓝移。分析并解释了AlGaN/GaN ISBT结构独特的非对称暗电流特性。研究表明，氮化物半导体中很强的极化电场造成的能带非对称性是导致暗电流I-V特性不对称的主要原因。通过分析暗电流的通道，发现加厚势垒宽度是抑制暗电流的重要途径。\n 2.设计并生长制备出宽势垒多波段探测Al0.33Ga2.67N/GaN多量子阱ISBT结构。利用超薄AlN低温插入层释放量子阱中的张应变，解决了其表面开裂的问题。暗电流测试证明，通过加宽势垒厚度，暗电流密度降低了两个数量级以上，利用光电流谱测试到多波段子带跃迁光电导响应。\n 3.利用MBE边界温度外延方法，制备出高质量的GaN/In2.15Ga2.85N多量子阱ISBT结构，在3-5μm的测试范围实现子带跃迁光吸收。通过变化势阱宽度，峰值吸收波长位于4.96μm和6.42μm之间有效地调节。随阱宽增大，第二子带能级位置会从势阱口逐渐落入势阱内，峰值吸收波长会先蓝移后红移，与理论模拟分析一致。\n 4.设计生长出量子级联型复合势垒AlyGa1-yN/GaN/AlyGa1-yN/AlxGa1-xN(y＞x)量子结构，利用窄薄势垒量子结构AlyGa1-yN/GaN/AlyGa1-yN调节探测波段，利用厚宽势垒AlxGa1-xN抑制基态隧穿暗电流，解决了宽势垒量子阱中极化场对光电流增益的限制效应。同时，由于在宽势垒顶部AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlyGa1-yN(y＞x)结构中局域着许多电子能带，为光激发电子通过量子级联进行倍增放大提供了能带阶梯。子带跃迁吸收谱测试证明，随着阱宽从1.7nm增大到3.5 nm，子带跃迁峰值吸收波长从2.54μm红移至3.48μm，与理论预计变化趋势一致，为接下来光电流探测奠定了基础。\n 5.设计生长出极化补偿复合势垒Al2.5Ga2.5N/GaN/Al2.25Ga2.75N台阶量子阱结构，通过精确的结构设计和应力调控，利用Al0.5Ga2.5N超薄极化插入层有效地补偿并抵销了Al2.25Ga2.75N宽势垒中的极化场效应。光吸收实验证明，势垒中极化电场被完全补偿，光吸收响应来源于束缚带-连续带的子带跃迁。

关键词： 非平衡格林函数   量子点   A-B干涉仪   自旋输运  

摘要： 利用非平衡格林函数方法,理论研究每臂中嵌有一个平行耦合双量子点分子的A-B干涉仪(平行耦合双量子点分子A-B干涉仪)的电荷及其自旋输运性质.无外磁场时,与每臂中嵌有一个量子点的A-B干涉仪相比较,平行耦合双量子点分子A-B干涉仪中电子隧穿变得更加容易发生.当平行耦合双量子点分子A-B干涉仪中引入外磁场时,能够在电导能谱中观察到一个Fano共振和一个反共振,这两种输运状态在磁场取适当数值时能够同时消失.此外,通过调节左右两电极间的偏压、磁通和Rashba自旋轨道相互作用,可以对体系自旋输运进行调控.

关键词： 双量子点   电声子作用   负微分电导   声子辅助隧穿   金属隧道结   自旋输运   介观系统  

摘要： 我们研究电子输运通过一个振动的双量子点连接到铁磁电极，两个量子点之间态的迁移受到交流微波驱动场的激发。在库伦阻塞机制下运用波恩-马尔科夫近似主方程的方法推导出双量子点约化密度方程，并利用粒子数分辨和全计数统计的方法计算相应的电流和微分电导。研究发现，电子和声子相互作用在某种条件下可以产生声子-辅助隧穿和弗兰克-康顿阻塞。在非共线磁结构装置下，铁磁极化偏角对自旋电流有一定影响，从而影响双量子点系统电子输运性质。\n 在第一章中首先对介观系统作了一个简单的认识，然后介绍了自旋电子学这么一门磁学和微电子学交叉的新型学科，接着重点介绍了量子点及耦合双量子点的一些特性及制作方法，最后还介绍了介观系统中电子输运过程中的一些相关的效应，比如电子库仑阻塞，自旋积累，自旋阻塞以及电声子相互作用。正是有了这些背景知识，本文的理论研究才能深入展开。\n 在第二章中首先介绍了铁磁金属/双量子点/铁磁金属隧道结的理论模型及哈密顿量，然后在波恩-马尔科夫近似下运用量子主方程的方法推导出了双量子点约化密度矩阵方程，这个方程也是粒子数分辨的主方程。\n 本文第三章，首先利用全计数统计的方法计算出双量子点系统的电子输运电流及微分电导，并介绍了电流产生的物理机制。在推导过程中考虑强烈的库仑相互作用包括量子点内和点间，并假设双量子点与谐振子的耦合是对称的。然后利用数值计算的方法讨论了双量子点系统在强的库仑阻塞区电子的输运性质。主要考虑了以下几个参量因子:电-声子耦合强度、铁磁极化率、驱动光场强度和驱动失谐量、以及磁性极化偏角。研究发现电声子耦合作用对双量子点输运性质的影响主要体现在电子和声子的能量交换上面，主要表现在声子的辅助隧穿和负微分电导，其中声子辅助隧穿对应的是隧穿电子吸收声子的能量使电流呈现阶梯增大的特性，而负微分电导则是声子吸收隧穿电子的能量，形成弗兰克-康顿阻塞，导致电流呈现阶梯减小的特性;铁磁极化率的变化主要是改变量子点和电极间电子的隧穿概率;驱动光场对系统的影响主要是改变电子在量子点间的迁移速率，由于量子点能级不对称，会产生动态局域化的现象，电子会被限制在量子点上不能完成隧穿，而驱动光场正好可以激励电子，使其在量子点间迁移，它对负微分电导和动态局域化都有压制作用。铁磁极化偏角的变化是对铁磁极化率的修正，本质上也是改变电子的隧穿概率，这样使得自旋向下电流随着极化偏角的增大而增大，而自旋向上电流正好相反。\n 在本文的最后一章，我们对所做的工作进行了归纳和总结，指出了论文研究的不足之处，并提出了一些对研究方法的改进，此外还对这一研究领域的发展前景做了简要的展望。

关键词： Majorana束缚态   T型量子点体系   Andreev反射  

摘要： 在意大利理论粒子物理学家Ettore Majorana发现Majorana费米子之后,物理学界对这一奇异粒子的研究就从未间断。究其原因,不仅仅是因为它的反粒子是其本身,没有质量、没有电荷、没有自旋,并且处于零能量态的特殊性质,还考虑到这种粒子服从非阿贝尔量子统计,借此可以实现拓扑量子计算,构筑拓扑量子计算机。近年来,对于Majorana费米子的研究,在固体物理领域中获得了重大突破。即通过在半导体量子线中施加磁场和s波超导体等,在其两端可以得到Majorana束缚态,这为人们认知并操控Majorana束缚态提供了新思路。同时,做为基础研究讨论存在Majorana束缚态体系的输运性质也显得非常必要。本文采用非平衡态格林函数和散射矩阵方法的理论,较为系统地从理论上研究了两种量子点结构中Majorana束缚态对输运性质的影响。我们选取了耦合T型量子点以及T型双量子点两种结构。针对不同理论模型及系统参数下输运性质的相关物理量电导、噪声值的谱图进行分析对比,最终得到一些有意义的结果。本论文主要展开如下两个方面的理论研究：首先,通过构造T型耦合量子点结构,选取不同的参数,分析计算了所建立体系的电导谱图。我们发现,在没有Majorana束缚态与量子点耦合的情况下,电导谱线在零偏压处的情况随着耦合量子点的数目的不同而不同,即：当耦合量子点数目为奇数时,零偏压处电导呈现出一个峰值为h/e2的共振电导峰。而当耦合量子点数目为偶数时,零偏压处电导为反共振的谷,电导值为零。接下来,如果有Majorana束缚态与量子点耦合,电导谱线中反共振点或者共振峰均消失。结果表现为,在零偏压处出现一个电导峰,它与耦合的量子点数目无关,峰值均为2h/e。该结果完全修改了T型量子点输运谱中的奇偶效应。可以肯定,这一新现象有助于理解MBS对介观电路输运行为的调制,也有助于完成MBS的探测。其次,研究了T型双量子点结构中MBSs引起的Andreev反射情况。通过对系统电导的计算,发现电导谱线中的低偏压区域出现一个绝缘带。我们利用幺正变换,将该T型量子点结构变换为三个T型量子点串联的构型。通过分析该串联结构中的准粒子输运性质,详细讨论了绝缘带受结构参数的调制效果。分析发现,T型量子点结构贡献的三个反共振点诱导了这一绝缘带的出现,且当这三个反共振点相同时,绝缘带最为明显。此外,我们还给出了Fano因子的曲线,它反映了绝缘带的性质,进而帮助理解MBS在操纵Andreev反射过程中的重要角色。

关键词： 硫化物量子点   石墨烯   复合材料   光电化学传感  

摘要： 量子点传感器具有响应速度快、灵敏度高、暗电流小等优点，在化学生物检测方面得到广泛应用，量子点具有较高的表面活性，容易发生团聚，导致光电化学性能降低。为了提高量子点材料的光电化学性能，可以通过引进有效的电子传输基底材料，如金属，碳纳米管，石墨烯等，可以加速电子-空穴对的分离。众所周知，石墨烯具有二维共轭结构，较大的表面积和较高的电子迁移率，因此是一种理想的基底材料。 光电化学传感分析是一种广泛应用于检测生物、化学分子的技术。在检测过程中，光用来诱导电荷在光电化学活性位点和电极之间转移，电信号用来检测生物、化学分子。与电化学技术和光学技术相比，光电化学传感技术中光信号和电信号分离，因此具有较高的灵敏度和选择性。 本论文探究了石墨烯-硫化物量子点复合材料的制备及其在光电化学分析中的应用，主要内容如下： (1)石墨烯-CdS量子点复合材料的制备及在光电化学检测葡萄糖中的应用：乙酸镉作为镉源，硫脲作为硫源，聚丙烯酸作为分散剂，通过水热法合成石墨烯-CdS量子点复合材料。通过TEM、HRTEM、XRD、XPS、FTIR和UV-vis等手段对石墨烯-CdS量子点复合材料进行表征，从TEM和HRTEM可以看出CdS量子点分布密集且均匀，粒径大约为6nm。实验探究了该材料的光电化学性能，并用于检测葡萄糖分子，检测线性范围为0.1-4mM，检测限为7μM，并表现出很好的选择性。 （2）石墨烯-CdS复合材料的制备及在光电化学检测Cu2+中的应用：PVP作为表面活性剂，硫酸镉作为镉源，硫代硫酸钠作为硫源，制备了石墨烯-CdS复合材料。从TEM可以看出CdS的粒径大约为30nm，实验探究了该材料的光电化学性能，用于检测铜离子，检测线性范围为10-80μM，检测限为9.5nM。 （3）石墨烯-ZnxCd1-xS量子点复合材料的制备及在光电化学检测Cu2+中的应用：利用一步水热法制备了石墨烯-ZnxCd1-xS（x=0～1）量子点复合材料。调节锌和镉的比率（x=0～1），复合材料禁带宽度的变化范围为（2.29～3.61eV），其对可见光有不同的吸收。实验证明石墨烯-Zn0.8Cd0.2S量子点复合材料修饰的ITO电极，在0.2V电压条件下，氧化石墨烯的添加量为2mg GO时，表现出最大的光电流密度8.89μA/cm2。利用此材料制作为光电传感电极，实现对Cu2+的检测，检测范围为1-120μM，检测限为6.5nM，表现出很好的选择性。 （4）石墨烯-ZnS量子点复合材料的制备及在光电化学检测Hg2+中的应用：利用溶剂热法成功制备出了石墨烯-ZnS量子点的复合材料。通过TEM和HRTEM可以看到ZnS均匀分布在石墨烯上。将复合材料修饰在ITO电极上实现了对Hg2+的检测，且检测线性范围为40-400μM，检测限为1μΜ，表现出很好的选择性。