关键词： 量子点   量子点接触   声电电流   声表面波  

摘要： 本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子点接触的静电势垒的梯度.实验证明,量子点接触的电势并不总是阻碍电子输运.电势的调制能够帮助我们了解电子与电子之间的库伦阻塞效应.

关键词： 热电输运   非平衡格林函数   反共振点   量子点  

摘要： 采用非平衡格林函数的方法来求解量子输运问题。考虑一个由四个单能级量子点和AB环组成的系统,研究该系统的热电特性。在这样的一个量子点系统中,通过调节量子点之间的能量间距、量子点间的耦合系数和系统的温度来研究该系统的热电特性。

关键词： 材料   金属有机化学气相沉积   InGaAs/GaAs量子阱   偏向角   发光强度   半峰全宽  

摘要： 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。

关键词： 非平衡格林函数   T型双量子点分子   Aharonov-Bohm干涉仪   自旋输运  

摘要： 利用非平衡格林函数方法,理论研究T型双量子点分子Aharonov-Bohm(A-B)干涉仪的电荷及其自旋输运性质.通过控制T型双量子点分子内量子点间有无耦合,能够实现在同一电子能级位置处分别出现共振和反共振状态,根据此性质,能将体系设计成量子开关器件.当将两个完全相同的T型双量子点分子分别嵌入A-B干涉仪两臂中时,磁通取适当数值,能够出现完全的量子相消干涉.通过调节量子点能级、左右两电极间的偏压和Rashba自旋轨道相互作用强度,可对体系自旋流进行调控.

关键词： 新材料   量子   资助   集成   NSF   国家科学基金   Robert   物理学教授  

摘要： 美国国家科学基金（NSF）给集成量子材料中心资助了2000万美元。在未来5年，这个研究机构中心将支持科学家和教育计划研究量子材料独特的电子行为。例如石墨烯将会，被用于研究。 “随着我们进入了一个后硅时代，量子材料作为一项新兴的技术对科学家和工程人员以及从生产到经营的整个经济圈都具有很大吸引力，”领导这个中心的马萨诸塞州哈佛大学应用物理和物理学教授Robert ***说，“合作开展这项研究的科学家们对未来的量子材料和量子装备有着美好展望，10年前我们不可能想象到这些新材料和新装备。”

关键词： 阶梯型量子线   Rashba自旋轨道耦合   自旋极化输运  

摘要： 采用递归格林函数法研究了含Rashba自旋轨道耦合效应的阶梯型量子线中电子自旋极化输运性质.结果表明由于多阶梯结构量子线的纵向不对称性和Rashba自旋轨道耦合效应产生的势阱导致系统中出现了准束缚态,它与连续态耦合,从而使系统电导出现了Fano共振结构.进一步研究发现,随着共振腔长度的增加,系统电导的共振峰数目会增加,幅度也会增强.与单阶结构相比,多阶结构的极化电流更大,并且在特定能量区间出现了若干条禁带.这些效应说明所研究的体系有可能能用来设计自旋电子器件.

关键词： 锰掺杂量子点   近藤效应   量子输运   有效磁场  

摘要： 采用非平衡格林函数方法,探讨了量子点掺杂锰原子纳米材料的低温输运特性。结果表明,输运受到掺杂锰原子的强烈影响。具体来说,在微分电导中出现(2S+1)个近藤劈裂峰,锰原子表现为一个多值量子化有效磁场,导致这种劈裂。

关键词： 光电子学   量子输运   传输矩阵   量子点阵列   H型   四终端系统  

摘要： 利用一个基于紧束缚模型的散射区格点上能量波动的二终端系统透射系数的一般计算方法,提出了基于实空间格点的H型四终端量子点阵列的系统,将其转化成二终端量子点阵列模型去探讨,通过利用实空间格林函数,计算了H型四终端量子点阵列的透射率,研究其量子输运问题。

关键词： density functional theory   continuum mechanics   ferroelectric   Bayesian statistics  

摘要： Quantum mechanical stress relations are studied to guide the development of a continuum scale electromechanical constitutive model for ferroelectric materials. Stresses at the quantum scale are determined through the use of the Hellmann-Feynman theorem to obtain an electrostatic stress that depends on the electric quadrupole density as opposed to polarization dependent electrostriction. The result is integrated into a continuum model using a generalized set of electronic coordinate vector order parameters contained within a Lagrangian density formulation. The new constitutive model is shown to be consistent with both quantum based stress and classical phenomenological electrostriction. This conclusion is verified through a numerical study of lead titanate where calculations of energy, stress and polarization from density functional theory (DFT) are fit to continuum stored energy and electrostatic stresses. The numerical analysis includes uncertainty quantification using Bayesian statistics to gain further insight into material parameter uncertainty when approximating DFT calculations as a reduced-order continuum model.

关键词： CNTFETs   GNRFETs   HMG-CNTFETs   Non-equilibrium Green's function  

摘要： In this paper, we explore the electrical properties and high-frequency performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs), based on the non-equilibrium Green's functions (NEGF) solved self - consistently with Poisson's equations. The calculated results show that CNTFETs exhibit superior performance compared with graphene nanoribbon field-effect transistors (GNRFETs), such as better control ability of the gate on the channel, higher drive current with lower subthreshold leakage current, and lower subthreshold-swing (SS). Due to larger band-structure-limited velocity in CNTFETs, ballistic CNTFETs present better high-frequency performance limit than that of Si MOSFETs. The parameter effects of CNTFETs are also investigated. In addition, to enhance the immunity against short - channel effects (SCE), hetero - material - gate CNTFETs (HMG-CNTFETs) have been proposed, and we present a detailed numerical simulation to analyze the performances of scaling down, and conclude that HMG-CNTFETs can meet the ITRS'10 requirements better than CNTs.