关键词:
铁电隧道结
量子输运
ReS2
第一性原理计算
摘要:
随着科学的进步和发展,电子产品的更新速度越来越快,人们对电子器件的性能提出了更高的要求。随着器件不断小型化,硅基半导体器件尺寸已经达到其物理极限,所以研究新材料来代替硅基材料变的越来越迫切。随着二维范德华材料的兴起,为新型电子器件的发展带来了机遇。二维材料具有原子级厚度、层间依靠范德华力结合和表面无悬挂键等特性,在数据存储领域具有广阔的前景。目前,基于二维材料已经发展了各种原子级数据存储器件,其中铁电隧道结由于其具有非易失信息存储态脱颖而出。最近以双层h-BN滑移铁电性为代表的滑移电子学的出现,进一步推动了铁电隧道结的快速发展。本文采用第一性原理计算方法,基于非平衡格林函数结合密度泛函理论研究了多层ReS2基滑移铁电隧道结的电子输运特性,揭示了其与电极、铁电势垒层层数的依赖关系,主要研究内容和结果如下:
(1)不同电极对双层ReS2基铁电隧道结的电子输运性质的影响研究。首先我们计算了双层ReS2的铁电极化强度,结果表明不同堆叠方式ReS2所表现出来的铁电极化方向相反,分别是0.30 pc/m和-0.31 pc/m。基于此利用两种不同堆叠方式的ReS2为中间势垒与不同电极材料设计了三种范德华铁电隧道结:石墨烯/双层ReS2/石墨烯、石墨烯/双层ReS2/Pt Te2、Pt Te2/双层ReS2/Pt Te2。计算结果表明:平衡态下,对称的石墨烯电极、非对称的石墨烯/Pt Te2电极以及对称的Pt Te2电极的隧道结的电致电阻(TER)为69%,25%,10%。进一步,在施加偏压的作用下,相应的TER最大可达到663%,563%,152%。综合比较这三种电极组,我们发现对称的石墨烯电极是双层ReS2基铁电隧道结的最佳选择。
(2)采用非对称电极,在势垒层和电极之间加入一层BN隔离相互作用来研究铁电隧道结的电子输运性质。在上一章节的基础上,设计出多种异质结构:石墨烯/BN/双层ReS2/石墨烯、石墨烯/BN/双层ReS2/Pt Te2、石墨烯/双层ReS2/BN/Pt Te2、Pt Te2/BN/双层ReS2/Pt Te2。利用第一性原理计算结果表明:它们在平衡状态下的TER分别为26%,233%,235%,12%。进一步在施加偏压的作用下,相应的TER最大可达到6.16×10~4%,537%,2.82×10~4%,257%。同时对Cu金属电极做了研究,搭建了Cu/双层BN/ReS2/Pt Te2范德华异质结构,计算其平衡状态TER为33%,在施加偏压下最大可达到174%,综合比较,认为石墨烯/双层ReS2/BN/Pt Te2器件性能最佳,也说明加入一层BN,提高了器件的性能。
(3)铁电势垒的层数对铁电隧道结的电子输运性质的影响研究,对于石墨烯/双层ReS2/BN/Pt Te2,我们改变了ReS2的结构层数,分别用三层和四层的ReS2结构来代替双层ReS2搭建范德华铁电隧道结,利用第一原理计算其电子输运性质,结果表明,改变ReS2的结构层数,也可以改变其输运性质,经过计算,三层ReS2结构在平衡状态下的TER为615%。四层ReS2结构在平衡状态的TER为223%。施加偏压后,相应的TER最大可达到2.06×10~5%,1.05×10~6%。说明铁电势垒层数对铁电隧道结性能影响很大。