关键词： 量子计算机   英特尔公司   材料开发   硅膜   研究人员   计算性能   IBM   微软  

摘要： 量子计算机是未来计算机的主要发展方向，IBM、微软、谷歌和英特尔都在全力开发量子计算机。英特尔公司就在日前表示，他们将与荷兰代尔夫特理工大学的研究人员展开合作，利用现有的硅材料开发量子计算机。英特尔公司声称，目前他们已经可以在芯片工厂使用的标准硅晶元基础上，制造一层超纯净的硅膜，并通过量子机制，给计算机带来更强大的计算性能。

关键词： 氧化锌   纳米   复合材料  

摘要： 介绍了氧化锌量子点的纳米结构及各种形貌,归纳了目前制备氧化锌纳米材料的多种方法,介绍了列举了各种不同修饰方法对氧化锌材料的优缺点,最后氧化锌材料的特殊结构产生的几方面领域的应用。

关键词： 锂离子电池   负极材料   二茂铁   石墨烯   碳纳米管  

摘要： 锂离子电池在能量储存和转换中因具有长循环寿命，高能量密度和高稳定性的优点而倍受关注。众所周知，决定锂离子电池具有良好性能的器件主要是正负极材料。目前，商业化石墨是锂离子电池主要负极材料。尽管石墨相对于其它负极材料具有资源丰富，价格低廉，稳定性的优点，但是较低的理论容量（372 mAh g-1）却进一步限制了它商业化发展。Fe3O4相对于石墨是一种具有潜在的负极材料，其理论容量为926 mAh g-1，且具有无毒，低成本，资源丰富的优点。但是其本身导电率差，且在充放电循环过程中会产生较大的体积变化造成纳米颗粒粉化和结构坍塌，进而导致差的循环性能和倍率性能。因此，开发一代高性能的负极材料对锂离子电池性能的提升具有非常重要的意义。\n 本文主要通过一种新颖的制备方法和选材，对材料组分和结构加以设计和调控，最终制备出不同结构的一维，二维，三维碳包覆的 Fe3O4复合材料。主要亮点为以下几点，（1）、选择不同基材和运用新颖的金属-有机限域交联法任意调控碳层厚度和制备不同形貌结构的复合材料，（2）、分布均匀且量子点大小的 Fe3O4纳米颗粒，（3）、电极材料具有层次孔结构和高比表面积。根据相关文献报道，上述亮点正是优化电极材料性能的重要因素，碳包覆不仅可以提高整个电极材料的导电率，而且能有效缓冲体积膨胀。超小粒径的 Fe3O4缩小了锂离子的传输距离和减缓了体积膨胀。层次孔结构和高比表面积更能提高电解液和电极材料的接触面积，缩短锂离子和电子的传输距离，加快电解液的传输速率。具体研究内容如下：\n 1、以金属-有机杂化分子二茂铁为碳和金属氧化物共同前驱体及其SiO2为模板，通过金属-有机限域交联法合成 Fe3O4 dots/C空心纳米球。系统调控了SiO2模板大小，从而制备不同大小的空心纳米球并研究其电化学性能。Fe3O4 dots/C空心纳米球在电流密度为3000 mA g-1时，比容量为550 mAh g-1，在电流密度为500 mA g-1，循环200圈后比容量依然能保持1000 mAh g-1，显示出良好的循环性能和倍率性能。另外，通过调控二茂铁的含量可设计合成不同结构形貌的超薄纳米片。当二茂铁含量为5 mg时合成出三维网络结构超薄纳米片，二茂铁为10 mg时可制备出三维网络结构超薄半空心球，二茂铁为20 mg时可合成结构破碎的空心纳米球。以三维网络结构超薄半空心球作为负极材料时，在电流密度为50 mA g-1时，首次放电容量为2611 mAh g-1，循环200圈后比容量为1015 mAh g-1。\n 2、运用限域交联反应同时诱导生长的方法，以氧化石墨烯为基材，金属-有机杂化分子二茂铁为碳和金属氧化物共同前驱体，制备了三明治型G@Fe3O4/C的复合材料。当用作锂离子电池负极材料时，G@Fe3O4/C复合材料在电流密度为500 mA g-1时，循环200圈后，可逆容量稳定在980 mAh g-1，在电流密度为3000 mA g-1时，容量高达为638 mAh g-1。上述优秀的性能可能归结于以下原因：（1）、超小 Fe3O4纳米离子可缩短锂离子分布路径从而加快了锂离子反应，（2）、石墨烯和无定形碳上的层次孔促进了电解液的分布和转移，同时作为体积变化的缓冲体，（3）、石墨烯提供了柔软和高强度的导电骨架缓冲了巨大体积变化。\n 3、以碳纳米管为基材，金属-有机杂化分子二茂铁为前驱体，通过限域交联法成功制备了 CNT@Fe3O4 dots/C同轴纳米线。CNT@Fe3O4 dots/C有着独特的纳米结构和组分，其包括超小的 Fe3O4纳米颗粒均匀的分布在碳层里（~5 nm），通过二茂铁含量可任意调控 CNT壳层厚度，同时具有高比表面积和微-中-大孔纳米结构。基于上述优点系统研究了其储锂机制和储锂性能。在电流密度为3000 mA g-1时，比容量高达402 mAh g-1，在电流密度为500 mA g-1时，循环180圈后，比容量高达800 mAh g-1。

关键词： 半导体荧光量子点   复合材料   白光发光二极管   原位合成   显色指数  

摘要： 半导体荧光量子点是一种新型的无机纳米材料，以其独特的带隙可调性能得到了人们广泛的关注，在太阳能电池、发光二极管和生物标记等领域显示出重要的学术价值和可观的应用前景。本文基于量子点在白光LED方面的应用，成功合成了黄绿光CuInS2/ZnS量子点和红光CuInSe2/ZnS量子点，并详细探究了CuInSe2量子点的形成机理和发光机制。为了解决硅树脂与量子点在制备复合材料时的固化问题，并改善量子点在硅树脂中的分散情况，本文采用原位合成的方法制备复合材料，并通过加入带巯基的表面改性剂来促进量子点的分散。此外，本文将利用量子点复合材料通过两种方案来制备白光LED，具体研究内容如下：\n （1）黄绿光CuInS2/ZnS核壳量子点的制备。采用一锅法成功制备了CuInS2/ZnS量子点，并研究了成核反应的温度、包覆壳层时间对量子点发光峰波长和荧光量子产率的影响。最终确定的反应条件为：在200℃进行成核反应，ZnS壳层包覆过程持续240min，制备的CuInS2/ZnS核壳量子点的发光峰波长为534nm，荧光量子产率能够达到69.42%。\n （2）红光CuInSe2/ZnS核壳量子点的制备。采用热注射法制备CuInSe2量子点，探究了油胺作为配位化合物对实验的影响，进而提出了CuInSe2量子点的形成机理；通过合成不同铜铟比的量子点来探究组分对量子点结构和光学性能的影响，铜铟比为1/1的CuInSe2量子点包覆完ZnS后荧光量子产率能够达到40.7%，发光峰波长为720nm，而铜铟比为1/2的CuInSe2量子点包覆完ZnS后荧光光谱会出现两个发射峰；通过瞬态荧光光谱仪测量了CuInSe2量子点的荧光寿命，并详细研究了它的发光机理。\n （3）量子点复合材料的制备及其在白光LED中的应用。将制备的量子点预先与反应单体混合，采用原位合成的方法来制备硅树脂，固化后制成量子点复合薄膜，并测试了该薄膜的透过率和热稳定性；在合成硅树脂时通过加入(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷来改善量子点的分散问题。将合成的黄绿光量子点复合材料用于封装制备白光LED，通过改变量子点的用量，本实验得到了三种色温的白光LED；加入红光量子点后，白光LED的显色指数能够明显提高。

关键词： 无镉量子点   荧光特性   图案化   白光LED   杂化材料  

摘要： 半导体量子点因其独特的荧光特性受到了许多研究者的青睐，包括荧光发射可调、半峰宽窄、荧光稳定性好等优点，在生物医学、光电等许多领域内都扮演着重要角色。然而，半导体量子点最大的缺陷就是其中镉、铅等重金属元素，这与绿色环保的社会理念不相符，导致了在应用方面受到了限制。\n 基于此背景，本论文以无镉量子点包括碳量子点和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族硫铟铜量子点及其荧光杂化材料为导向，着力解决由于重金属离子带来的环保问题。通过高温裂解、水相合成等方法快速合成目标量子点，并且借助于现代分析手段研究合成地量子点的结构、形貌和荧光性质，并将碳量子点应用于图案化和共性复合材料中，硫铟铜量子点杂化材料应用于光电器件中。具体开展的工作如下:\n (1)采用天然高蛋白的猪小肠为原料，一步高温裂解法分解猪小肠制备生物质碳量子点。通过分析碳量子点的结构、形貌及荧光性质证明碳量子点具有高水溶性，形貌呈现单分散的球形，在紫外激法下有明亮的蓝色荧光，绝对量子产率达到22％，并且探究不同因素对碳量子点的荧光性能的影响。随后结合聚乙烯醇(PVA)制备纳米复合材料应用于丝网印刷和喷墨打印两种图案化方式，有望应用到防伪领域。\n (2)以廉价的草本植物为碳源，通过简单有效的合成路线制备多发射的碳量子点和高荧光的CdTe/CDs。一步高温裂解法分解太子参、灵芝、甘草和当归，制备尺寸均一的纯碳量子点。制备的碳量子点不需钝化，在多种有机溶剂中都具有优秀的溶解性，并且展现了优异的荧光性质，量子产率最高可达到28％。进一步使用硝酸和TTDDA对碳量子点钝化处理，钝化后的碳量子点结合传统CdTe量子点形成新型的组合体，并能结合两者量子点优异的性质。这种共性碳量子点有望应用于防伪和光电子器件中。\n (3)使用快速绿色的微波法合成水相Cu-In-S/ZnS核壳量子点，并嵌入到PVP基质中，将其作为荧光粉制备白光LED。微波法制备的水相Cu-In-S/ZnS量子点在95℃下反应可缩短至20 min。研究不同Cu/In比下对荧光的影响，整个光谱范围为543 nm-700 nm，其荧光量子产率在包覆ZnS壳层后最高可达到43％。通过将量子点直接与水混合，随后烘干制备Cu-In-S/ZnS/PVP固体粉末，并研究了复合材料的稳定性。最后，这种纳米复合材料粉末可作为光转换材料应用于白光LED。表明该类无镉量子点在光电器件中具有应用前景，为后续工作提供了研究基础。

关键词： 二维材料   改性修饰   二维碳化锗   磁性自旋量子   第一性原理  

摘要： 得益于超级计算机的高速发展，近年来基于密度泛函理论的第一性原理计算方法在物理学、化学和材料科学领域得到了广泛应用。理论计算的方法不仅仅可以对已有的实验现象进行解释，提供理论基础，同时可以预测材料的新奇性质和设计新材料，为实验提供指导和研究方向。2004年，Geim和Novoselov利用机械剥离法成功制备石墨烯并于2010年获得诺贝尔物理学奖。自此，对石墨烯的研究成为物理、化学和材料科学各大领域的热点问题。由于石墨烯二维层状材料展现的新奇性质和巨大的应用前景，其它二维材料也逐渐成为科研人员的研究对象。相关研究表明单原子层氮化硼、氮化镓、碳化硅等结构已经在实验上成功制备。二维层状材料相对于块体材料而言通常具有独特的力学、热学、光学、电学和磁学性质，并且由于二维材料包含的原子都暴露在环境中，通过对二维材料进行改性修饰可以对其性质进行调节控制。本文主要对III-V（GaN）及IV（SiC、GeC）族二维材料的功能化进行第一性原理研究计算，主要研究结果如下：\n 1.本文运用半氢化的方法对二维碳化锗（GeC）材料进行表面修饰，研究了功能化碳化锗材料的电学和磁学性质。计算结果显示，碳原子和锗原子两者均可与氢原子成键形成稳定结构。吸附氢原子后，吸附位的原子由sp2杂化方式转化为sp3杂化，因此体系由平面结构变为褶皱状。研究表明当氢原子吸附到锗原子时，碳原子上局域磁矩，体系表现为室温铁磁性半导体，带隙为0.93 eV，居里温度达到299K；当氢原子吸附到碳原子时，锗原子上局域磁矩，体系表现为反铁磁性半导体，带隙为0.81 eV。计算结果表明氢原子吸附到锗原子上的能量更低，体系更稳定即更容易展现铁磁性。并且，我们用氯原子和羟基官能团替换氢原子，发现不同替换浓度可以调节碳化锗材料的电学和磁学性质。随着氯原子替换浓度的增加，体系带隙逐渐减小至0，从半导体转变为半金属；随着羟基替换浓度的增加，体系从铁磁性半导体转变为反铁磁性半导体，净磁矩消失。\n 2.晶体生长过程中难免会形成缺陷，因此探究缺陷环境下材料的电子结构和磁学性质是很有必要的。本文用模拟的手段，构造了二维碳化硅材料中可能存在的三种缺陷，并计算缺陷的引入对材料物理性质的影响。计算结果显示，单个碳原子缺陷和碳、硅双原子缺陷并不在体系中引入磁性，两种情况下带隙分别为1.29eV和0.84 eV。单个硅原子缺陷使得体系有2μB的净磁矩，体系为0.1 eV的窄带隙半导体。另外，我们考虑了几种金属和非金属元素掺杂，并且计算了掺杂的形成能和结合能。结果显示，所考虑的几种掺杂元素都可以与碳化硅材料匹配，并且不同的掺杂元素掺杂使得二维碳化硅材料展现了不同的物理性质。\n 3.相较于普通的二维平面材料，纳米带结构因为其独特的边缘构造因而具有更为丰富的磁性和电子结构。本文计算了III-V族锯齿型氮化镓纳米带边缘不同氢化和氟化方式的电学和磁学性质。研究表明，双氢原子和氟原子吸附的Ga边界具有铁磁性；双氢原子或氟原子吸附的N原子边界没有磁性。当Ga边界原子吸附两个氟原子而N边界原子吸附单个氟原子时，体系表现为半金属性质。此外，通过外加电场可以进一步调控锯齿型氮化镓纳米带的电学和磁学性质。当施加Ga→N方向的外电场时，随着电场强度的增加，氟化氮化镓纳米带从半金属性质转变为半导体；当施加N→Ga方向的外电场时，随着电场强度的增加，氟化氮化镓纳米带从半金属性质过渡到磁性金属进而变为非磁性金属。

关键词： 张应变锗量子点   发光结构   光学性质   分子束外延  

摘要： 本论文理论结合实验地探索利用张应变Ge量子点来实现Si基高效光源。研究内容包括张应变Ge量子点可行性分析，张应变Ge量子点的发光结构的设计、生长和表征，最后对进一步提高和调节张应变Ge量子光学性质的方法进行了理论分析。文中的理论分析主要通过有限元方法完成，样品生长通过分子束外延实现，最后用多种表征手段表征样品的结构、光学性质等。主要取得研究成果如下:\n 1.提出并分析了用张应变Ge量子点来实现Ge的高效发光。通过分子束外延的方法成功在InP基上生长了张应变Ge量子。实验和理论上对张应变Ge量子点的应变分布进行了分析。研究发现应变在量子点内非均匀分布，并且其中切应变分量对能带有着重大的影响。切应变通过破坏晶体的对称性来分裂原本简并的导带L谷，同时切应变在Ge向直接带隙转变的过程中起着抑制作用。量子点内的剩余应变随着量子点宽高比增加而增加。\n 2.探索了基于张应变Ge量子点的Ge/In0.52Al0.48As/InP发光结构。通过分子束外延技术成功生长In0.52Al0.48As上的张应变Ge量子点。探索了其生长模式为V-W生长模式，验证了量子点之间不存在Ge浸润层，进而没有反相畴缺陷。通过有限元模拟分析得到了张应变Ge量子点内的应变分布。有盖层的Ge量子点相比没有盖层的情况不仅消除了表面态，并且能保持更大的张应变。分析得到，张应变Ge量子点转变为直接带隙材料。获得了来自张应变Ge量子点的光致发光谱。室温下光致发光谱有个峰值能量在1eV的强峰。通过变温光致发光谱，发现了一个很有可能来自于量子点内带间跃迁的P1峰。P1在温度9K到110K能被测得，这个温度区间的能量变化和体材料Ge在这个温度区间直接带隙能量变化很接近。P1的积分强度随着温度降低而增加，这与理论计算的得到Ge已经转变为直接带隙的结果吻合。\n 3.系统研究了尺寸各异，不同晶格失配度的张应变Ge量子点的应变分布和电子结构。结果表明有盖层的张应变Ge量子点比无盖层的张应变Ge量子点保持有更大的张应变量。量子点的宽高比越大，其横向应变分量exx(eyy)越大，垂直应变分量ezz和静水应变量eh越小。导带Γ谷的电子比L谷的电子对量子限制效应更敏感，导致随着量子点尺寸的增加，导带Γ谷的基态能级与导带L谷基态能级能量差的缩小，最终在张应变的帮助下使Ge量子点转变直接带隙材料。Ge与衬底的晶格失配度是Ge中张应变的来源。导带Γ谷与导带L谷的能量差随着晶格失配度的增大而缩小。量子点直径、高度或晶格失配度大于阈值，Ge量子点就会转变直接带隙材料。张应变Ge量子点的直接带隙的大小随着量子点尺寸的增大而缩减。\n 本论文工作表明了张应变Ge量子点为实现Si基高效光源具有重大潜力。

关键词： 氧化锌量子点   磁性石墨烯   光催化   亚甲基蓝  

摘要： 通过溶剂热法和溶胶-凝胶法分别制备磁性石墨烯和氧化锌量子点,然后通过超声的方法将氧化锌量子点成功负载到磁性石墨烯上制得氧化锌量子点修饰的磁性石墨烯三元复合材料。通过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对制得的材料进行表征。结果显示氧化锌量子点均匀地分布在石墨烯表面,粒径为5nm。通过在紫外光照射下降解亚甲基蓝来研究复合材料的光催化性能。结果显示,对亚甲基蓝的降解率,单纯的氧化锌量子点为53.32%;而氧化锌量子点修饰的磁性石墨烯三元复合材料提高到了87.56%,即使在使用5次后仍然具有较高的光催化活性和稳定性。

关键词： 量子阱激光器   分子束外延生长   制备工艺   分布布拉格反射  

摘要： 2～4μm波段中红外激光器在痕量气体检测、激光医疗、空间光通信和红外光电对抗中都有着十分广泛而重要的应用价值。基于GaSb基窄带隙半导体的量子阱半导体激光器以其小体积、高功率、高效率和良好的环境适应性等突出优势成为中红外波段高性能激光器技术研究的核心体系。近年来，拓展GaSb基量子阱激光器激射波段是该体系具有挑战性的前沿研究课题。在科技部973计划、国家自然科学基金委重点项目等的支持下，本文研究了高性能GaSb基Ⅰ型量子阱激光器，开展了激光器材料的分子束外延生长、器件设计和制备工艺研究，此外还探索了分布布拉格反射(DBR)高阶模式激光器的设计和制备工艺技术。取得阶段性成果如下:\n (1)基于GaSb体系二元材料参数采用线性插值法Vegard\'s法则计算了InGaAsSb和AlGaAsSb的晶格常数，得到了不同Ⅲ族组分下的As组分，并进一步计算了AlGaInAsSb五元材料的晶格常数。采用Sadao-Adachi近似模型计算了InGaAsSb和AlGaAsSb不同组分下的折射率。基于折射率参数计算出2微米和3微米光场下的光学限制因子，以及光学限制因子随限制层Al组分和波导层厚度的变化关系，结合串联电阻和开启电压选定限制层Al组分的范围(0.5～0.7)、得出了最佳波导层厚度与激射波长的相关性质。\n (2)四元、五元势垒InGaAsSb量子阱的分子束外延(MBE)生长条件。基于PL谱测试对发光性能进行表征，采用HR-XRD、AFM和光学显微镜测试分析材料内部结构和表面形貌，分别得出四元势垒AlGaAsSb的优化生长温度以及合适的量子阱应变范围(1.3％)，得出五元势垒AlGaInAsSb不同生长温度下的应力改变规律，发现四元、五元势垒的优化生长温度都处于再构温度Tc+45℃以上。采用优化的外延生长条件并通过引入界面控制获得了InGaAsSb/AlGaInAsSb量子阱，室温PL谱发光波长覆盖了2.7～3.4μm范围。\n (3)研制成功2.6-2.9微米波段的GaSb基量子阱激光器。其中，激射波长2.6μm的激光器实现室温连续激射，输出功率325mW，阈值电流402A/cm2;激射波长2.75μm激光器实现室温连续激射，输出功率60mW，阈值电流533A/cm-2;激射波长2.91μm激光器实现了室温脉冲激射，阈值电流667A/cm2。激射波长2.97μm激光器实现了室温脉冲激射，阈值电流721A/cm2。\n (4)设计制备了高阶DBR光栅量子阱激光器，针对高阶DBR光栅结构特点优化了刻蚀掩膜方法和气体配比，采用接触式光刻技术制备出高阶DBR光栅激光器，研究了光栅凹槽深度和占空比间对选模质量的制约特性，实现了高阶DBR激光器的单纵模室温连续激射，激射波长2微米，边模抑制比22.5dB。

关键词： 类石墨氮化碳   钒酸铟   窄带隙半导体   碳量子点   光催化剂   催化性能   罗丹明降解  

摘要： 在环境严重污染和能源紧张的今天，如何有效治理环境、缓解能源危机，实现可持续发展已成为重要的研究课题。光催化材料与技术能够利用自然界取之不尽的太阳能，在温和条件下进行污染物降解和能量转化，为解决能源环境问题提供了新的途径。然而，传统的以 TiO2为代表的紫外光响应光催化材料因对太阳光能量利用不足（＜5%）发展受到了限制。因此，窄带隙可见光响应光催化材料逐渐成为研究的热点。\n 本文以类石墨氮化碳（g-C3N4）、多元氧化物InVO4两种典型的窄带隙半导体为研究对象，针对传统固相法所制备材料比表面积低、光生载流子易复合等问题，采用水热方法，通过质子化处理、表面活性剂辅助等手段分别制备了g-C3N4多孔块体及InVO4多孔微球，并选用廉价易制备的碳量子点与其复合，以促进单一窄带隙半导体光生电子、空穴有效分离，提高光催化性能。主要研究内容和结论如下：\n （1）基于g-C3N4两步质子化工艺，采用一步水热法制备了g-C3N4/C-dots复合材料，并进行结构性能表征。结果表明：C-dots较为密集地覆盖于g-C3N4表面，C-dots的引入减少了g-C3N4光生电子和空穴的复合，时间分辨荧光衰减光谱和电子顺磁共振谱均表明光生载流子分离效率和界面转移能力明显高于单一g-C3N4。g-C3N4/C-dots复合材料表现出优于单一g-C3N4的可见光催化性能，尤其是在H2O2存在的条件下，C-dots对g-C3N4光催化活性的增强作用更加明显，其原因主要是由于C-dots密集覆盖在g-C3N4表面，光生电子会在复合材料表面富集，此时光催化活性主要依赖于电子与催化体系中O2的作用生成活性基团，而加入H2O2后可加大对光生电子的利用，生成具有高氧化性的羟基自由基。\n （2）基于g-C3N4两步质子化工艺，采用恒温水浴回流法制备了C-dots修饰g-C3N4复合材料，并进行结构性能表征。结果表明：C-dots分散负载于g-C3N4表面，有效促进了光生电子和空穴的分离，并使C-dots与g-C3N4同时暴露于外部环境，从而加大了对光生电子、空穴的利用，显著提高了光催化反应活性。此时，g-C3N4/C-dots复合材料光催化反应活性与水热法所制备g-C3N4/C-dots复合材料在引入H2O2后的反应活性相当。随着C-dots含量的增加，g-C3N4/C-dots复合材料的光催化活性先增大而后减小，可见光降解甲基橙染料的一级反应速率常数k最高值为0.392h-1，是单一回流g-C3N4的2.5倍。\n （3）以InCl3·4H2O和NH4VO3为前驱体，采用表面活性剂辅助水热法制备正交相InVO4多孔微球，然后通过恒温水浴回流法制备了多孔InVO4/C-dots复合材料，并进行结构性能表征。结果表明：随着C-dots含量的增加，复合材料的比表面积呈现先增大后减小的趋势，最高可达18.549m2/g。多孔InVO4/C-dots复合材料的量子效率明显优于单一InVO4，表现出优异的可见光催化性能，且随着C-dots含量的增加，复合材料的光催化性能呈现先增大后减小的趋势，其光催化分解罗丹明B的一级反应速率常数k最高可达0.085h-1，为单一InVO4的2倍。多孔InVO4/C-dots产生的·O2-活性基团使罗丹明B整个发色基团结构破坏断裂是其光催化分解的主要原因。