关键词： 三元量子点   有机高分子复合材料   非线性光学效应   激光防护  

摘要： 由于独特的非线性光学特性,量子点在激光防护领域受到了广泛的关注。但是,量子点易团聚变质的特点,使得其在应用过程中非线性光学效应大打折扣。为解决该问题,研究了三元量子点有机高分子复合材料的制备方法,并在532 nm激光条件下使用Z扫描技术对制备的Cd_xZn_(1-x)Se/PMMA量子点有机高分子材料进行了非线性光学性能研究。结果表明,以甲基丙烯酸甲酯为聚合物单体,过氧化苯甲酰为引发剂,采用改良的"共混法"成功制得了均一、稳定、透明的Cd_xZn_(1-x)Se/PMMA量子点有机复合材料;其最佳三阶非线性吸收、三阶非线性折射系数分别达到了7.90×10-8m/W与-0.99×10-8esu,非线性光学特性显著。因此,Cd_xZn_(1-x)Se/PMMA量子点有机高分子复合材料在激光防护材料中具有重要的潜在应用价值。

关键词： 双极量子能量输运模型   稳态解   唯一性  

摘要： 利用一些不等式技巧,在一维有界区域上证明一个半导体双极量子能量输运稳态模型弱解的唯一性.即当晶格温度较大,且Planck常数、电子电流密度和空穴电流密度较小时,该模型的弱解是唯一的.结果表明,该器件模型的解是适定的.

关键词： 碳量子点   白光发光二极管   单一基质荧光材料   应用  

摘要： 作为碳纳米材料家族的新成员,碳量子点(CQDs)在发光二极管、离子检测、生物成像、太阳能技术和光催化等领域引起了广泛的注意。目前,发光二极管(LED),尤其是白光LED成为了研究者研究的焦点并且得到快速的发展。本文阐述了基于不同CQDs荧光材料(包括其复合物和单一基质CQDs)的白光LED的最新进展。其中,突出了单一基质CQDs荧光材料在白光发光二极管中的研究。最后,分析了当前单一基质CQDs在白光LED应用中所存在的问题,并对其应用给予展望。

关键词： 量子点复合材料   白光发光二极管(wLED)   显色指数   cdse/cds  

摘要： 采用有机化学合成法,利用正三辛基膦(TOP)辅助的快速注入生长方法,改进传统的制备工艺,实现了CdSe/CdS厚壳层核壳(8.6 ML)量子点复合材料的合成制备,并对所合成的核、核壳量子点及其复合材料的晶格结构、形貌特点与发光性质进行了XRD、TEM、SEM、UV-Vis、PL表征和红光补偿效果测试。测试结果表明,CdSe核具有立方纤锌矿晶格结构;CdSe/CdS量子点复合材料直径为45~75μm,呈菱形规则形貌,且颗粒分散性良好。采用该方法,可以提高量子产率,产率由4%(CdSe核)升至48%(CdSe/CdS核壳量子点);可以增强激子态发光能力,CdSe/CdS核壳量子点复合材料的荧光强度约为CdSe核的13倍。将该材料与YAG∶Ce^(3+)黄色荧光粉组合应用,获得了高光效(148.29 lm/W)、高显色指数(Ra为90.1,R9为97.0)的白光发光二级管,表明按照上述方法获得的CdSe/CdS核壳量子点复合材料在白光发光二极管中深红光波段具有较好的补偿效果。

关键词： MoO3纳米带   PbS量子点   液相法   气敏性能   低温  

摘要： 采用液相法制备PbS量子点修饰MoO_3纳米带复合材料。利用XRD、FESEM、TEM、EDS等表征手段分析样品组成、结构与形貌,分别将MoO_3纳米带、PbS量子点、PbS量子点/MoO_3纳米带组装成陶瓷管气敏元件并测试其对NH_3的气敏性能。结果表明,在低温(20~100℃)下PbS量子点/MoO_3纳米带复合材料对NH3具有良好检测能力,最低测试限为10 ppm。由于PbS量子点均匀分布在MoO_3纳米带表面可形成异质结界面,这可有助于电子、空穴的分离,从而显著改善电子传输性能和气敏特性。

关键词： 马约拉纳费米子   零偏置反常   主方程方法   微分电导   Fano因子  

摘要： 从理论上研究马约拉纳费米子-量子点杂化系统的输运性质.基于广义主方程方法,计算通过此系统的电流、微分电导和Fano因子.计算结果表明:马约拉纳费米子与量子点中电子的耦合导致系统的零偏置反常,而2个马约拉纳费米子的耦合压制系统的零偏置反常.

关键词： CdTe量子点   石墨烯   电化学发光   Ag^+  

摘要： 以巯基丁二酸为修饰剂制备了CdTe量子点(CdTe QDs),采用微波辐射法还原氧化石墨且通过加入聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)得到带正电荷的石墨烯,并与带负电荷的CdTe QDs通过静电作用结合得到石墨烯-CdTe量子点复合材料(CdTe QDs/RGO-PDDA)复合物。研究了不同取样时间下CdTe QDs的电化学发光性能,并考察了扫描速度、共反应剂浓度和缓冲溶液pH值对CdTe QDs电化学发光强度的影响,通过对CdTe QDs/RGO-PDDA复合物电化学发光的研究,得出石墨烯的加入可以提高CdTe QDs电化学发光的强度和稳定性;最后基于CdTe QDs/RGO-PDDA构建了对Ag^+检测的电化学发光传感器,该传感器具有较强的抗干扰性,并得出线性回归方程为Y=10007.25-172.12X,线性回归系数R^2=0.9861。

关键词： 三角形石墨烯纳米片   一维量子点阵列   磁电子学性质   磁输运性质  

摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了三角形石墨烯纳米片用不同连接方式拼接而成的四种一维量子点阵列(1D QDAs)的磁电子学性质和磁输运性质.结合能计算表明所有1D QDAs是非常稳定的.特别是研究发现1D QDAs的电子和磁性质不仅依赖于磁性态,也明显依赖于连接方式,如在无磁态时,不同量子点阵列(QDAs)可为金属或窄带隙半导体.在铁磁态时,不同QDAs能为半金属(half-metal)或带隙不同的双极化磁性半导体.而在反铁磁态时,不同QDAs为带隙不等的半导体.这些结果意味着连接方式对有效调控纳米结构电子和磁性质扮演重要的角色.1D QDAs呈现的半金属或双极化磁性半导体性质对于发展磁器件是非常重要的,而这些性质未曾在本征石墨烯纳米带中出现.同时,我们也研究了一种阵列的磁器件特性,发现其拥有完美的(100%)单或双自旋过滤效应,尤其是呈现超过109%的巨磁阻效应.

关键词： 量子理论   真空涨落   Casimir效应   传输矩阵   特异材料   量子悬浮   三明治结构  

摘要： 在金属板与电介质材料板基底间插入色散特异材料板形成三明治结构,并对其Casimir作用力进行了研究.基于Casimir-Lifshitz理论,通过麦克斯韦应力张量计算了真空涨落的辐射压,并对三明治结构利用电磁模式传输矩阵方法进行了数值计算分析.计算结果表明,原本两板结构中存在的Casimir吸引力,在插入特异材料板后的三明治结构中将转变为斥力,从而使轻薄的金属板产生量子悬浮效应。讨论了特异材料板的色散电磁响应特性以及电介质板基底的影响,结果表明特异材料磁等离子频率越大、磁共振频率越小以及电介质板基底的介电常数越小时,三明治结构中获得的斥力越大.此外,板间距增加到一定范围时,三明治结构中将出现Casimir平衡回复力.特异材料填充因子越小、三明治结构中层距和层厚越大时,三明治结构间的回复力会出现在较长距的位置.三明治结构中的量子悬浮效应与平衡回复力可保证微纳米机械系统稳定性,展现出基于真空辐射压的应用前景.

关键词： 硫化镉   量子点   复合材料   离子交联型聚合物   冷冻干燥  

摘要： 以镉盐离子交联型聚合物为前驱体,利用冷冻干燥法合成含有准分子级硫化镉(Cd S)量子点的Cd S/甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物(MMA-MAA)复合材料,使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与乙酸镉物理共混后冷冻干燥作对比研究。采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计及光催化反应装置分别对其进行化学结构、纳米团簇形态、光学特性及光催化性能进行分析。结果表明:Cd S/MMA-MAA复合材料被成功合成,其准分子级Cd S量子点散射峰无法被XRD探测到,而熔融热压后发现1.1 nm的团簇;Cd S/PMMA参考样品热压前后纳米簇径变化不大,分别为2.3与2.4 nm;Cd S/MMA-MAA复合材料中Cd S的UV-Vis特征吸收带边出现蓝移,归因于Cd S的量子尺寸效应。光催化性能实验表明,Cd S/MMA-MAA复合材料光催化性能高于Cd S/PMMA参考样。