关键词:
Ga薄膜
Cd薄膜
酞菁钴
扫描隧道显微镜
扫描隧道谱
摘要:
二维材料科学是现代科学技术的一个重要前沿领域。随着材料制备技术和相关分析手段的不断发展,人们现在已经能够制备和生长原子尺度或纳米尺度的二维材料,并且预期这些二维材料的结构及其与体材料完全不同的新奇性质和功能。然而,它的最终性能与其生长过程是密切相关的,因此对二维材料结构的控制生长,以及生长物理机制的研究等显得尤为重要。在此研究过程中,扫描隧道显微镜(STM)是很好的表征手段,它不仅能在原子尺寸上表征纳米材料的结构形貌,还能获得表面电子结构等信息。金属酞菁(MPcs)二维材料作为一种自组装的有机二维材料,结构稳定,对称性好,在气体传感器、有机效应晶体管、有机发光器件和太阳能电池等方面都具有广阔的应用前景,越来越多的国内外表面物理研究人员对其展开了如火如荼的研究。自1989年IBM阿尔马登(Almaden)研究中心得到MPcs分子的高分辨STM图以来,MPcs吸附在金属表面(如:金、银、铜等)和绝缘体表面(如:氯化钠)的几何吸附以及电子结构被广泛研究,然而MPcs吸附于半金属表面(如:铋)及其从单层体系到多层膜体系的结构转变鲜有报道。金属二维材料在半导体硅表面的生长是薄膜材料科学中传统而有生命力的研究热点。Ga吸附于半导体Si(111)-7×7表面作为典型的ⅢA族金属吸附在硅表面,受到了人们的广泛关注。室温下沉积Ga原子覆盖度达到1/3 ML,退火温度达到550℃时,(?)×(?)-Ga R30o结构出现。增加Ga原子覆盖度到1 ML,各种不同的重构结构可以得到,如Ga-6.3×6.3,Ga-11×11,Ga-6(?)×6(?) R30o和Ga-1×1。前三种重构已经采用低能电子衍射(LEED)和STM被证实,而Ga-1×1仅通过LEED测量观测到,实空间的STM观测有待进一步研究。在二维材料的生长过程中,界面结构通常对其形态起着关键性的作用。了解界面结构及其演变是我们研究二维材料外延生长机制的基础。在过去几十年中,人们采用不同的实验技术探测外延生长二维材料的界面结构已取得较为显著的成果。然而,在原子尺度下无损的观测界面结构依然存在着很大的挑战。近年来人们发现,STM可以观测到深埋的金属-半导体界面结构。在Pb-Si(111)体系中,Pb薄膜看起来就像是透明的,界面结构可以直接显示出来。本文围绕上述问题,利用超高真空低温隧道显微镜(LT-STM)对酞菁钴(CoPc)在半金属铋表面的外延生长、金属镓和金属镉在半导体Si(111)表面的外延生长进行了研究,并对其生长机制及物理性质进行了探讨。本文的主要研究内容和实验结果如下:***分子在半金属衬底Bi(111)上自组装过程中的结构转变在低覆盖度下,沉积在衬底Bi(111)上的孤立CoPc分子可绕着分子中心的Co2+旋转,这说明CoPc分子-Bi(111)衬底间相互作用较弱。当单分子相遇形成分子团簇时,由于分子间范德华力的作用,分子不再旋转而采取"平躺"的形式吸附于衬底上。继续增加分子覆盖度,CoPc形成单层的自组装分子二维薄膜,且分子构型随覆盖度增加出现了由"之字链"(0.75 ML)到"直链"(0.85 ML),再到"二聚链"(1 ML)的结构转变,薄膜中的分子取向和链取向都沿着衬底Bi(111)的晶向,且同一分子链中分子取向相同。在"之字链"薄膜中,分子取向完全相同,沿着衬底Bi(111)三个不同晶向其中的一个,链取向沿着另外两个晶向。在"直链"和"二聚链"薄膜中,链取向完全相同,沿着衬底Bi(111)的一个晶向,不同链中的分子取向沿着另外两个晶向。"直链"是"之字链"转变成"二聚链"的一个中间态。"二聚链"较"之字链"的堆积密度增加了12.5%。在CoPc薄膜的第二层分子中,分子取向逐渐转变成了"站立"形式。同时,我们发现了一种"平躺链"和"站立链"交替排列的"混合畴",它是由"平躺畴"到"站立畴"的一种过渡畴。继续增加CoPc分子覆盖度,"混合畴"全部转变为"站立畴"。由于第一层分子的屏蔽作用,第二层分子在"分子-衬底相互作用"与"分子-分子相互作用"的竞争中,"分子-分子相互作用"逐渐占据了主导地位,分子取向出现了由"平躺"到"站立"的转变。***膜在Si(111)-(?)×(?)-Ga衬底上的生长与结构研究我们在Si(111)-(?)×(?)-Ga衬底上生长了单层和双层Ga膜,并利用LT-STM进行了原位检测。经测量得知,单层Ga膜为鲜有报道的4×(?)-Ga,膜厚为0.25 nm。STM图显示这一结构的拓扑形貌图随偏压变化有显著差异。当偏压较高时,Ga膜呈现出条纹状,条纹方向沿着Si(111)晶格方向。当偏压降低时,每个晶胞呈现出三个较大的亮点,其中两个亮点的连线方向与Si(111)晶向成74o夹角。我们基于第一性原理的密度泛函理论并利用广义梯度近似模拟了Ga原子