关键词:
复合材料
反应烧结
原位氮化
介电性能
摘要:
碳化硅(SiC)纤维增强陶瓷基复合材料具有强度高,热稳定性好,耐腐蚀,抗氧化等优良性能,可作为结构及功能一体化吸波隐身材料,在航空航天、能源等高科技领域有广阔的发展前景。本研究以SiC纤维作为复合材料的增强体和吸波剂,以氮化硅(Si3N4)作为复合材料的基体,在基体中引入硼粉(B)原位氮化生成BN调节纤维与基体的结合力,最终通过反应烧结法制备SiC纤维增强陶瓷基复合材料。研究了B原位氮化对基体氮化率、相组成、微观结构、力学性能、介电性能以及可加工性能等的影响,同时探究了B原位氮化对复合材料性能的影响。研究结果表明:Zr02作为催化剂,提高了基体的氮化率。成型压力为8MPa的条件下,B含量为Owt%、5wt%、10wt%的样品经1390℃氮化处理后,氮化率分别为89.91%,89.15%,87.22%。而未添加ZrO2的含B量为Owt%、5wt%、10wt%的基体经1390℃氮化处理后,氮化率仅为59.11%,62.43%,64.60%,经1470℃氮化处理后,氮化率达到87.91%,85.02%,83.08%。原位生成的BN呈弯曲的片层状,在Si3N4晶粒周围形成类似于核-壳结构。随着B原位氮化生成BN含量的增加,β-Si3N4相的量增加,基体的孔隙率逐渐增加,弯曲强度逐渐降低。B原位氮化生成的BN有效地改善了基体的机械加工性能及介电性能,在2-18GHz的频率下,基体的介电常数和介电损耗正切值随着B原位氮化生成BN量的增加而降低。对于添加ZrO2的基体,当B含量为10wt%时,基体的介电常数为3.36-3.81,介电损耗正切值为3.62×10-3-1.38×10-2。而未添加Zr02的基体经1470℃氮化处理后才充分氮化,B含量为10wt%的基体介电常数为3.26-3.57,介电损耗正切值为 1.01×10-3-1.07×10-2。原位生成的BN改善了纤维与基体的结合状态。未添加B的复合材料断面为脆性断裂,无SiC纤维拔出,纤维与基体结合较强。添加B粉原位生成BN后,复合材料断面有明显的SiC纤维拔出和解离脱粘,为假塑性断裂行为。在2-18GHz的频率下,陶瓷基复合材料介电常数和介电损耗正切值随着B原位氮化生成BN量的增加而下降。此外,提高SiC纤维体积分数后,介电常数和介电损耗正切值也随之增加。