关键词:
陶瓷基复合材料
碳化硅纳米线
力学性能
吸波性能
摘要:
碳化硅(Si C)纳米线由于具有低维与小尺寸效应,在电、热、光、磁以及机械性能方面表现出优良的性质,在复合材料、电子材料、传感器等方面具有潜在的重要价值。当今社会经济快速发展,在尖端技术方面的发展,对材料的要求更加苛刻。结构与功能一体化的材料越来越受到材料科研者的青睐,碳化硅纳米线作为增强体制备复合材料不仅是对其力学性能的增强,而且对材料的电磁波损耗能力也有提升。制备一维碳化硅和结构功能一体化的复合材料以及纳米线的生长机理与复合材料性能的研究具有重要意义。本文采用碳纤维和乙炔黑为不同碳源,Fe Ni50为催化剂,通过热蒸发法首先制备了碳纤维无纺布上原位生长Si C纳米线材料(SiCNW-Cf),其次通过溶胶凝胶法与真空热压烧结工艺结合制备Cf与Si CNW共同增强锂铝硅微晶玻璃复合材料(Si CNW-Cf/LAS)。研究了不同碳源,不同摩尔硅碳比,不同催化剂浓度对碳纤维原位生长Si C纳米线的影响,纳米线生长机理的讨论;不同摩尔硅碳比下制备的Si CNW-Cf对Si CNW-Cf/LAS复合材料力学性能和吸波性能。主要得到以下研究结果:碳纤维和乙炔黑为不同碳源时,都在原位形成了Si C纳米线。以碳纤维为唯一碳源时,在催化剂浓度为0.005mol/L,摩尔硅碳比为1:1时,在碳纤维表面原位生长了毛刷状SiC纳米线,经XRD测试表明所制得的产物是β-SiCNW,由TEM表征进一步证明了所制备的Si C纳米线为单晶结构,利用SEM对Si CNW-Cf材料进行形貌分析,观察到Si C纳米线端部具有“蘑菇头”状形貌,说明本文中SiC纳米线具有气液固(VLS)生长机制。在摩尔硅碳比减小时,碳纤维为单一碳源时其表面较难生长Si C纳米线。催化剂浓度为0.1mol/L时,碳纤维表面被严重腐蚀,出现凹坑,形成的纳米线直径较粗,存在大量较为粗大的“蘑菇头”,随催化剂浓度减小,腐蚀凹坑减少,纳米线的直径也减小,端部球状颗粒也减小甚至消失,其中催化剂浓度为0.005mol/L时生长的纳米线直径与分布都较为均匀。不同摩尔硅碳比下制备的Si CNW-Cf/LAS复合材料的主晶相都为β-锂辉石相,仅在摩尔硅碳比为1:1中检测到了Si C的衍射峰,但是相比较于主晶相,其峰值相当小。复合材料的抗弯强度在中间夹层Si CNW-Cf的摩尔硅碳比为1:1时达到最大为597±11MPa,其断裂韧性及断裂功也在不同比例中为最大值,分别为11.01MPa·m1/2和3.54kJ·m-2。相比不含中间夹层的复合材料的断裂韧性(7.52 MPa·m1/2)提高了46.4%。从断口形貌上来看,随中间夹层摩尔硅碳比的减小,复合材料纤维拔出长度逐渐变短,直至与断口齐平。这些导致材料的抗弯强度和断裂韧性急剧下降。Si CNW-Cf/LAS复合材料的复介电常数更加稳定,变化范围较小,证明LAS基体的加入对其介电常数的稳定性有所提升,同时,由于纤维布的加入,介电常数的大小与Si CNW-Cf相比较有所提升。在摩尔硅碳比为1:1、1:2、1:3时制备的Si CNW-Cf/LAS复合材料的反射衰减性能相当,当摩尔硅碳比为1:2时Si CNW-Cf/LAS复合材料具有最大的有效带宽,反射衰减在复合材料厚度为1.5mm时在13.4-18GHz小于-10d B,有效带宽达到了4.6GHz。Si CNW-Cf/LAS的复介电常数与德拜的双极松弛过程密切相关,Si CNW-Cf/LAS材料对电磁波的损耗基于德拜的双极松弛、电子极化、界面极化等损耗理论。