关键词:
三维石墨烯
3D打印
化学气相渗透
陶瓷基复合材料
电磁吸波
摘要:
随着电子技术的迅速发展,电磁波(Electromagnetic Waves,EMWs)在通信、遥感、雷达等领域得到了广泛的应用。但由于电磁波通讯所产生的电磁辐射会造成信息泄露和电磁干扰等问题,因此需要发展具有宽频带、高吸收、低密度、薄厚度和高稳定性的电磁波吸收材料,以减少电磁波的泄露与消除电磁辐射的危害。三维石墨烯具有低密度、高导电率、大比表面积和介电性能可调等诸多优异性能,在电磁吸波领域具有巨大的应用潜力。三维石墨烯的互连网络结构可对电磁波进行多重散射,延长电磁波在材料内部的传输路径,进而基于电导损耗衰减入射电磁波。然而,三维石墨烯的高介电常数会使材料产生趋肤效应,导致电磁波直接发生表面反射,难以进入材料内部发生损耗。因此,针对上述问题,本论文以三维石墨烯/碳化硅复合吸波材料为研究对象,针对三维石墨烯介电常数过高、阻抗匹配度低、电磁波损耗机制单一等问题,开展了兼具轻量化、高阻抗匹配及高电磁损耗能力的三维石墨烯/碳化硅吸波复合材料研究。通过在三维石墨烯中原位引入具有低介电常数的氮化硼(Boron Nitride,BN)界面和碳化硅(Silicon Carbide,SiC)界面,以实现材料阻抗匹配度与电磁波衰减能力的协同优化。本论文以氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)纳米片与六水合三氯化铁(Fe Cl3·6H2O)为原料,基于GO片层之间的π-π相互作用与Fe3+离子对GO片层的配位作用,成功制备得到具有优异流变性能的GO水凝胶。利用3D打印技术的宏观结构可设计性,对三维结构的尺寸进行精确设计。结合冷冻自组装技术,对三维石墨烯的密度、孔隙率及比表面积实现定向设计,进而实现三维石墨烯宏观/微观结构优化设计与调控。制备得到的三维石墨烯具有多孔互连网络结构,其孔隙率高达96.5%,比表面积高达277.2 m2/g。为了实现对材料介电性能的调控,利用化学气相渗透技术(Chemical Vapor Infiltration,CVI)在三维石墨烯中原位引入BN界面与SiC界面,进而构建多重界面结构,实现材料阻抗匹配度及电磁损耗能力的协同优化。具有低介电常数的BN界面相原位生长于石墨烯片层上,通过调控界面相的厚度及包覆状态,可对具有高电导率的三维石墨烯实现介电性能衰减,进而精确调控材料的介电性能并实现阻抗匹配;层状SiC与石墨烯片层、BN界面形成多重界面结构,引入界面极化、偶极子极化等介电损耗机制;石墨烯表面附着的Fe3+离子经热还原反应与固相反应,原位生成了具有弱铁磁性的Fe Si相,从而引入磁损耗机制增强材料对电磁波的损耗能力。因此,基于三维石墨烯多孔结构与多重界面结构的构筑,可实现对材料阻抗匹配度及电磁波损耗性能的协同优化,最终赋予材料优异的吸波性能。本论文所制备三维石墨烯/碳化硅复合材料在2~18 GHz频率范围内表现出优异的宽频吸波特性,当材料厚度为4.0 mm时,其最大有效吸收带宽(Effective Absorbing Bandwidth,EAB)可达12.04 GHz(5.96~18.00 GHz),最小反射损耗(Minimum Reflection Loss,RLmin)可达-29.4 d B。本论文借助3D打印、冷冻自组装与CVI技术制备了三维石墨烯/碳化硅复合吸波材料,其具有宏观/微观结构可控、阻抗匹配度高、电磁波损耗性能强等优异性能,从而为三维碳基纳米材料宏观/微观结构调控及电磁吸波性能优化设计提供了科学依据与技术支持。